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TDG650E602TSP 空间 GaN E-mode 晶体管
• 一类/一级生产筛选 • 提供批次验收测试选项 • 650 V 增强型功率晶体管 • 顶部冷却、低电感 GaNPX ® 封装 • RDS(on) = 25 mΩ • IDS(max) = 60 A • 超低 FOM • 简单的栅极驱动要求（0 V 至 6 V） • 瞬态耐受栅极驱动（-20 V/+10 V） • 非常高的开关频率（> 10 MHz） • 快速且可控的下降和上升时间 • 反向传导能力 • 零反向恢复损耗 • 小型 9 x 7.6 mm 2 PCB 占用空间 • 双栅极焊盘可实现最佳电路板布局
TDG650E601TSP 空间 GaN E-mode 晶体管
栅极驱动为获得最佳 R DS(on) 性能，建议的栅极驱动电压范围 V GS 为 0 V 至 + 6 V。此外，重复栅极至源极电压最大额定值 V GS(AC) 为 +7 V 至 -10 V。对于长达 1 µs 的脉冲，栅极可以承受高达 +10 V 和 – 20 V 的非重复瞬变。这些规格使设计人员能够轻松使用 6.0 V 或 6.5 V 栅极驱动设置。在 6 V 栅极驱动电压下，增强型高电子迁移率晶体管 (E-HEMT) 得到完全增强并达到其最佳效率点。可以使用 5 V 栅极驱动，但可能会导致工作效率降低。从本质上讲，GaN Systems E-HEMT 不需要负栅极偏置来关闭。负栅极偏置（通常为 V GS = -3 V）可确保在栅极电压尖峰下安全运行，但是，如果驱动不当，它可能会增加反向传导损耗。有关更多详细信息，请参阅 www.gansystems.com 上的栅极驱动器应用说明“采用 GaN E-HEMT 的栅极驱动器电路设计”
石墨烯晶体管的全面研究和设计
摘要：石墨烯以其出色的电气，光学和机械性能而闻名，在下一代电子产品的领域中占据了中心地位。在本文中，我们对石墨烯场现场效应晶体管的综合制造过程进行了彻底的研究。重新确定了在确定设备性能时的关键角色石墨烯质量发挥作用，我们探索了许多技术和计量方法，以评估和确保石墨烯层的卓越质量。此外，我们深入研究了掺杂石墨烯的复杂细微差别，并检查了其对电子特性的影响。我们发现了这些掺杂剂对电荷载体浓度，带隙和整体设备性能的变革性影响。通过合并石墨烯场现场效应晶体管制造和分析的这些关键方面，本研究为旨在优化基于石墨烯电子设备的性能的研究人员和工程师提供了整体理解。
TRADIC晶体管数字计算机的性能
在 1952 年 2 月的联合计算机会议上，我发表了一篇关于晶体管作为数字计算机组件的论文。我当时的演讲基于一些早期的晶体管经验，这些经验促成了 TRADIC 计划。本文将介绍这些早期经验的进展情况。1951 年，我们有了一个高速点接触晶体管。2 我们还有一个使用该晶体管的放大器，它可以以 1 mc 的脉冲速率再生数字数据。应空军的要求，*启动了一个程序，以开发用于机载应用的晶体管数字计算机。该应用的最佳特征可能是，它需要定期对少于 20 个输入数字执行一系列广泛的计算。机器所需的输出数量甚至比输入数量还要少。计算机将成为军用机器的一部分；也就是说，它的输入不是来自电动打字机或穿孔带的数字，而是来自轴和特殊刻度盘。它的输出同样不是打印的纸张，而是轴位置和向其他机器发出的操作信号。因此，我们面临的大量问题都与
EPC7020 – 抗辐射功率晶体管
Rad Hard eGaN® 晶体管专为高可靠性或商业卫星空间环境中的关键应用而设计。GaN 晶体管在空间环境中具有出色的可靠性性能，因为单事件没有少数载流子，作为宽带半导体，质子和中子的位移更小，而且没有氧化物击穿。这些器件具有极高的电子迁移率和低温度系数，从而导致非常低的 R DS(on) 值。芯片的横向结构提供了非常低的栅极电荷 (QG ) 和极快的开关时间。这些特性使电源开关频率更快，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的设计。
区域化学驱动的有机电化学晶体管性能
图 2. p(g2T-TT) 和 pgBTTT 聚合物的截面突出显示 S--O 相互作用（黑色虚线 OHDGLQJ WR SODQDUL]HG GLKHGUDOV EROG UHG ZLWK ș -180°），以及在没有 S--O 的情况下具有扭曲二面角的截面（WHUDFWLRQV EROG EODFN ZLWK ș -156°）。红色虚线方块突出显示 pgBTTT 和 p(g2T-77 *HRPHWULHV ZHUH RSWLPL]HG XVLQJ Ȧ% ;' - * ZKHUH Ȧ Bohr -1
晶体管，集成电路的基本元件
晶体管的名称来自“传输”和“电阻”，它是微电子集成电路的基本元件，在纳米电子尺度上经过必要的改变后，它仍将保持原有的地位：它还非常适合放大等功能，它还执行一项基本功能，即根据需要打开或关闭电流，就像一个开关装置（图）。因此，它的基本工作原理可直接应用于逻辑电路（反相器、门、加法器和存储单元）中二进制代码的处理（0，电流被阻止，1，电流通过）。晶体管基于电子在固体中而不是在真空中的传输，就像旧式三极管的电子管一样，它由三个电极（阳极、阴极和栅极）组成，其中两个电极用作电子储存器：源极用作电子管的发射极灯丝，漏极用作集电板，栅极用作“控制器”。这些元件在当今使用的两种主要晶体管类型中以不同的方式工作：先出现的双极结型晶体管和场效应晶体管 (FET)。双极晶体管使用两种类型的电荷载体，电子（负电荷）和空穴（正电荷），并由相同掺杂（p 或 n）的半导体衬底部分组成
负电容铁电场效应晶体管
将铁电负电容 (NC) 集成到场效应晶体管 (FET) 中有望突破被称为玻尔兹曼暴政的功耗基本限制。然而，在非瞬态非滞后状态下实现稳定的静态负电容仍然是一项艰巨的任务。问题源于缺乏对如何利用由于域状态出现而产生的 NC 的根本起源来实现 NC FET 的理解。在这里，我们提出了一种基于铁电域的场效应晶体管的巧妙设计，具有稳定的可逆静态负电容。使用铁电电容器的电介质涂层可以实现负电容的可调性，从而极大地提高了场效应晶体管的性能。
用于监测的有机电化学晶体管...
专用阻抗系统的引入。[4] 其最简单的形式是，在浸入细菌培养物的一对电极上测量单一频率的交流阻抗。[5] 随着细菌的生长，培养基的电导率会发生变化[6]，这是细菌代谢的结果，不带电的底物会转化为带电的代谢物。[4,7] 这反过来又导致阻抗的变化。[5] 事实证明，阻抗优于通常用于尿液[8] 和血液中细菌检测的菌落形成单位计数。[9,10] 研究发现，培养基的电导率与吸光度监测的细菌生长有很好的相关性。[11] 尽管该领域取得了进展，但只有少数阻抗传感器实现了商业化，主要是因为检测限不令人满意且生产成本高。 [5] 1977 年共轭聚合物的发现和有机生物电子学的出现，为科学界提供了能够进行离子和电子传输的低成本、易于加工的材料。[12,13] 这导致了微生物学和感染研究的创新方法和新型设备的开发。[14–17]