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Rad Hard eGaN® 晶体管专为高可靠性或商业卫星空间环境中的关键应用而设计。GaN 晶体管在空间环境中具有出色的可靠性性能,因为单事件没有少数载流子,作为宽带半导体,质子和中子的位移更小,而且没有氧化物击穿。这些器件具有极高的电子迁移率和低温度系数,从而导致非常低的 R DS(on) 值。芯片的横向结构提供了非常低的栅极电荷 (QG ) 和极快的开关时间。这些特性使电源开关频率更快,从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的设计。
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