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![arxiv：2502.14861v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2025年2月20日](/simg/6/6963b17f2090d74d434fe6359e7867248b3340aa.webp)
arxiv：2502.14861v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2025年2月20日
堆叠的二维晶格的异质结构在设计新型材料特性方面表现出了巨大的希望。作为这种系统的原型示例，六角形共享的蜂窝 - 卡加姆晶格已在各种材料平台中实验合成。在这项工作中，我们探索了蜂窝状晶格的三个旋转对称变体：六边形，三亚贡和双轴相。分别表现出二轴和双轴相分别表现出微不足道的不体和狄拉克半分条带结构，但六边形相位的六角相构成了一个高阶拓扑相，由γ点附近的频带倒置驱动。这突出了与六角形同型系统中观察到的k点的传统频带反转的关键区别。fur-hoverore，我们演示了这些阶段的不同拓扑特性如何导致由扭曲或晶格不匹配的HK Sys-sys-sys形成的Moir'E异质结构内的网络带结构。可以通过蜂窝和kagome系统之间的外在扭曲或固有的晶格不匹配来实验观察这些网络带结构。
![arxiv：2502.07106v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2025年2月10日](/simg/9/9ab1be593f415ef856f1e3ada37df824b02e41af.webp)
arxiv：2502.07106v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2025年2月10日
Metadata在与这些变化的一致协同时扮演了越来越重要的角色，因为小规模的大学研究小组对大规模行业实验室进行了强制使用元数据标准。因此，材料科学家采用并修改了现有的元数据标准，并成立了群体来制定新标准。尽管这些活动具有高级元数据实践和各种研究基础设施，但它们缺乏凝聚力的框架。因此，试图符合元数据标准的材料科学家在从哪里开始挑战。材料科学界需要一个提供基本水平的入口点的SCAF折叠，还包含核心组合，以促进整个领域的连接性。开发包含支持发现和其他元数据功能的核心标准的框架对于在AI领域发生的前所未有的机会进行计算模拟的人尤为重要[5]。
![arxiv：2502.04090v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2025年2月6日](/simg/2/22b1af59ec741a861d59347600f9eb0caca5a64a.webp)
arxiv：2502.04090v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2025年2月6日
原子上薄的金属素是一个新的材料家族，代表用于新型应用的薄自由电子气体的最终极限。尽管金属研究已获得了吸引力，但对其无处不在的边缘的特性有限。在这里，我们使用密度功能理论模拟来研究Mg，Cu，Y，Au和Pb质子的各种边缘，并带有六边形和弯曲的蜂窝晶格。研究边缘的松弛，能量，应力和电子结构，我们发现某些特性具有清晰的趋势，而另一些特性对元素和晶格类型都敏感。鉴于边缘性能是金属稳定性和侧面异质结构中的相互作用的基础，其详细理解将有助于指导金属合成和应用的开发。
![arxiv：2502.00328v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2025年2月1日](/simg/7/7b9f2e90938e38ff9c74dc9c922750aa2f3e515a.webp)
![arXiv:2501.17833v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2025 年 1 月 29 日](/simg/0/0d0da7c897cf0aa1360c1d8a8e5885bd5b7478ff.webp)
arXiv:2501.17833v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2025 年 1 月 29 日
位移铁电体中序参量的集体振幅模式称为铁素体，表示长程有序极化的振幅波动。在远低于相变温度 T c 的温度下，铁素体激发的能量在长波长极限内明显间隙。当接近 T c 时，该间隙急剧软化为最小值或无间隙值，从而对热性能产生重大贡献。在此背景下，我们通过结合位移铁电体的微观自洽相变理论来探索铁素体在热容量和热传输中的作用，而不是传统的将热性能仅归因于声学声子的方法。以铁电体 PbTiO 3 为例，我们表明，相变附近铁素体的软化对于准确捕捉热性能的实验温度和电场依赖性至关重要。
![arxiv：2501.13026v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2025年1月22日](/simg/b/bed151e8b46660dc4b0af7aa755c9f95e7d9698e.webp)
arxiv：2501.13026v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2025年1月22日
自2005年发现石墨烯以来，相互作用的2D电子系统中特殊地面的形成引起了人们的关注[1]。除了磁有序外，还报告了有关最近实验中的电荷顺序和与Mott阶段配对的报道[2-4]。在WSE 2 /WS 2层[5，6]和α -rucl 3 [3，4]中的最新实验中，我们分析了在双层激子中存在莫特相的条件，并且在量子和热波动方面的稳定性及其稳定性。氯化氯化物α-相（α -rucl 3）是一种具有强旋轨耦合的分层化合物，以其有趣的电子特性而闻名，尤其是其在量子材料中的潜在使用和自旋液体相[7-12]。其电子结构受RU 4 d轨道和晶体场效应的影响。α相具有强旋轨耦合的特征，该耦合表现出多轨蜂窝状莫特绝缘阶段[3，7，13-19]。对于相关电子系统的研究，此阶段特别有趣。已经对α -rucl 3的蜂窝晶格的电子结构的作用进行了广泛研究，使用光发光表格[14]，拉曼散射[20-22]，光发射光谱[23]，THZ光谱[24，25]，x-雷雷镜[26] intrastry sptription [26] intrastry Sptiptrys [26] [27]。尽管Mott Gap的大小正在争论中，但在实验研究中已经证明了Mott绝缘子在α -RUCL 3中的存在[13，17，21，23]。Qiu等。 参考文献中报告。 1。Qiu等。参考文献中报告。1。调查Mott绝缘子的核心任务之一应解决带电颗粒分布的刚度。这在很大程度上取决于间隙的大小相对于跳跃速率以及材料的化学掺杂。通过化学掺杂Mott绝缘子来调整材料特性是非常具有挑战性的。具有示例性莫特绝缘子的有前途的候选者是α -rucl 3，顶层的石墨烯是α -rucl 3。而α -rucl 3带有孔，而额外的石墨烯片充当电子储层。[3]如何量身定制由石墨烯和α -rucl 3组成的范德华异构结构等电子结构。该材料的示意图如图然后，石墨烯层的电子和α -rucl 3层中的孔会受到有吸引力的层间相互作用，从而导致激子的形成[28]。在此设置中，激子的密度通过电子的密度控制，后者通过连接到石墨烯片的电栅极调节[3]。栅极电压诱导激子气体的有效化学电位µ。与化学掺杂相反，来自石墨烯的掺杂提供了连续的可调节性，并且不会引入不希望的晶格失真。分别对电子和孔的内部排斥可以产生电荷密度波或广义的Wigner晶体[29]。电荷顺序也可能是由电子 - 波相互作用引起的[30]。基于自一致的Hartree-fock或连贯的电位近似[31]的最新计算表明，如果对材料的特定细节计算自我能量，则复杂的自我能量可以描述实验结果的合理近似来描述实验结果。不参考特定的显微镜机制，这是对双重
![arxiv：2405.13930v2 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年8月30日](/simg/6/64ba9471142025333a8c40c3d60c40235baab76a.webp)
![arxiv：2406.06020v3 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年11月14日](/simg/d/d33631c28fd4d0362036a158b8733bd36e2095f4.webp)
arxiv：2406.06020v3 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年11月14日
二硫化钼（MOS 2）在菌株下具有许多有趣的证券和可能的技术应用。最近的一项实验研究检查了应变对单层MOS 2带对轻度弯曲石墨表面的带隙的影响，报告说，在双轴应变下，泊松比为0.44，带隙以400 MeV/％的速率降低。在这项工作中，我们使用广义梯度近似（GGA）PBE，混合功能性HSE06进行了密度功能理论（DFT）计算，并使用PBE波函数（G0W0@PBE）使用GW近似值进行了多体扰动理论。对于未经培训的单层，我们发现了理论与实验之间的带段的标准水平一致。对于实验泊松比的双轴菌株，我们发现，带隙以63 MeV/％菌株（PBE），73 MeV/％菌株（HSE06）和43 MeV/％菌株（G0W0@PBE）的速率降低，这些速率比实验率小。我们还发现，PBE预测不同的泊松比为0.25的速率（90 meV/％菌株）。自旋轨道校正（SOC）对间隙或其应变依赖性几乎没有影响。理论和实验之间的强烈分歧可能反映了底物对间隙应变依赖性的出乎意料的强烈影响。此外，我们观察到在应变下从直接到间接带隙的过渡，并且（在相等的双轴应变为10％）中，半导体到金属转变，与以前的理论工作一致。
![arxiv：2410.18305v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年10月23日](/simg/e/e7f8b0684e02a9d5de758877a1a9043c233d6145.webp)
arxiv：2410.18305v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年10月23日
我们研究了点缺陷和Hg杂质在碘化抗氢化氢的电子特性中的影响（BI 4 I 4）。在不同温度下退火后我们的传输测量结果表明，BI 4 I 4的电阻率取决于其热史，这表明天然缺陷和杂质的形成可以影响电阻率的温度依赖性。我们的密度功能理论计算表明，二抗和碘反异地和二氮位置空位是主要的天然点缺陷。我们发现，二晶岩在频带边缘引入谐振状态，而碘反异地和二晶的空缺分别导致n型和p型bi 4 i 4 i 4。HG杂质可能在BI替代部位发现，从而产生Bi 4 I 4的P型掺杂。总体而言，我们的发现表明，由于载体的数量和类型的修改以及相关的缺陷（杂质）散射，因此本地点缺陷和杂质的存在可以显着改变电子特性，因此会影响BI 4 I 4的电阻率曲线。我们的结果表明，追求准量子量子材料的电子性质进行微调的可能路线。
![arxiv：2403.19793v8 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年10月23日](/simg/4/4cd5856beb8f06657b805ac7d54b7b3602939b03.webp)
arxiv：2403.19793v8 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年10月23日
在局部状态的单电子密度和可变范围跳动电导率的ES定律中，Efros-Shklovskii（ES）库仑差距是50年前。该理论及其第一个确认已在40年前出版的SE专着中进行了审查。本文回顾了ES法律的随后的实验证据，理论进步和新颖的应用。在多种材料范围内的数百种实验验证中，我专注于动态电导率范围超过四个数量级的那些。这些包括零磁场和高磁场下的三维半导体，量子大厅效应中的局部相，颗粒金属，纳米晶体阵列和导电聚合物。此外，我讨论了绝缘子 - 金属过渡附近的非荷花ES定律和库仑间隙。还讨论了SE书籍其他概念的最新发展。