四方尖晶石分别为 A 1 g + E g +3 F 2 g 和 2 A 1 g + B 1 g +3 B 2 g +4 E g [ 36 , 37 ]。在我们的实验中,
使用MUON自旋弛豫(µ SR)研究了重新调节聚(3-己基噻吩)P3HT的分子动力学。µ SR光谱对纵向磁场(B LF,平行于初始MUON自旋方向)的响应表明,植入的Muons形成了均位于噻吩环和Diamagnetic态的粘性自由基,并具有可比的产率。此外,自由基中的未配对电子经历了与噻吩和邻近质子结合的muon相互作用,它们的发光可以作为分子动力学的量度。在几个温度下以详细测量在几个温度下测量的纵向muON自旋松弛率(1 / t 1 µ)的B LF依赖性被发现由局部敏感性j(ω)很好地再现,这些频谱密度j(ω)源自局部易感性,这些易感性均来自于纳维利亚(Havriliak-Negami)(Havriliak-Negami(H-N)功能中使用,该函数(H-n)函数(H-N)均为1(H-N)的分析(H-N)。 〜ν)δ]γ(其中〜ν是平均漏气率,0 <γ,δ≤1)。发现,发现从1 / T 1 µ分析中推导的温度依赖性的大小与13 c-nmr建议的己基链和噻吩环的运动一致。目前的结果标志着将µ SR应用于复杂系统动力学的方法论里程碑,并在诸如聚合物之类的广泛时间尺度上具有共存的频率。
磁性和拓扑是冷凝物理物理学的两个主要领域。磁性和拓扑的结合产生了更多新颖的物理效应,这引起了人们强烈的观念和实验性的关注。最近,引入了altermagnetism的概念,其特征是双重性质:真实空间的抗fiferromagnetism和相互空间各向异性自旋极化。Altermagnetism与拓扑的合并可能导致以前未观察到的拓扑阶段的出现和相关的物理效应。在这项研究中,利用融合了Altermagnetism和自旋组对称性的四波段晶格模型,我们会在Altermagnetic Systems中存在I型I型,II II和III型双极化的Weyl semimetals。通过第一原理电子结构计算,我们预测了四个理想的两维型A型双极二极化的Weyl Semimetals Fe 2 WTE 4和Fe 2 Moz 4(Z = S,SE,TE)。更重要的是,我们引入了量子晶体谷霍尔效应,这是在考虑旋转轨道耦合时,在这些材料中的三种现象中可以实现的现象,即Fe 2 WTE 4,Fe 2 MoS 4和Fe 2 Mote 4。此外,这些材料有可能从量子级别的晶体谷霍尔相过渡到应变下的Chern绝缘体相。相反,在自旋轨道耦合下,Fe 2 Mose 4仍然是一个Weyl半准,但仅通过仅拥有一对Weyl点来区分。此外,可以通过调整N´eel载体的方向来操纵Fe 2 WTE 4和Fe 2 Moz 4中的位置,极化和韦尔点的数量。因此,Fe 2 WTE 4和Fe 2 Moz 4作为研究各种Altermagnetic拓扑阶段的独特物理属性的有前途的实验平台。
扭曲的双层石墨烯(TBLG)已成为一种令人兴奋的新型凝分物理学平台。然而,尚不完全了解TBLG中的电子波(E -PH)相互作用及其对电子传输的影响。在这里,我们显示了E -PH相互作用和电阻率的第一原理计算,具有13.2和21.8度的较大扭曲角度。这些计算克服了关键的技术障碍,包括高达76个原子的大型单位细胞,E-PH相互作用的Brillouin-Zone折叠以及由于AA堆叠域而引起的不稳定的晶格振动。我们表明,由于层呼吸(LB)声子引起的E-PH相互作用增强了大角度TBLG中的间隔散射。这种相互作用有效地耦合了这两层,否则它们会以如此大的扭曲角度脱钩。结果,TBLG中的声子受限的电阻率偏离了魔术角附近的单层石墨烯和TBLG的温度线性趋势特征。综上所述,我们的工作量化了TBLG中的E -PH相互作用和散射机制,从而揭示了较大的层间耦合效应在大扭曲角度上。
为了进行比较,在(b)和(d)中,我们拟合了文献中的数字化拉曼数据[8、9、12、20-
对电子结构进行微调以实现特定所需的特性是光学设备设计中的关键策略之一。尤其是,异质结构与不同材料合金的组合为大型设计空间打开了。例如,量子井(QW),量子点(QD)或超级晶格(SL)结构由纯材料制成或其组成合金用于量身定制能量水平,带隙或过渡能量和光学强度,以及用于控制电子传输,发射或AB-Sorptigning Paspera [1-6]。实际上,在许多情况下,单个层由合金材料组成,例如Ingan/Gan LED中的量子井[7,8],它可以通过调整QW厚度和合金组成来调整不同的设备性能参数。这种频带工程方法已被广泛应用于发光设备(LED)[9,10],可见的和未验证的探测器[11-13],以及更复杂的结构(如量子级联激光器[14,15])。此外,不仅在具有良好的生长技术(例如Si / ge,IIII-V,III-硝化物和II-VI半导体)的材料系统中使用,而且还应用于诸如混合钙胶质等其他系统[16]。显然,除了在设备尺度上的QW,QD或SL结构的细节外,合金材料中的显微镜,原子结构对光电设备的特性有重要影响。此外,由于原子间扩散,混合和隔离,可以在异质间隙处发生合金状构型[17,18]。由于合金在原子量表上表现出固有的随机疾病,因此局部电子和光学培养基在空间上也有所不同,其程度取决于均匀程度和特定材料的类型。因此,即使在理想的情况下,混乱也可以在设备的宏观行为中表现出来
二维 (2D) 材料的表面工程已被证明是一种改善其功能特性的有效技术。通过设计 MXene 化合物 M 2 C 系列中的 Janus 化合物 MM ′ C(其中两个表面由两种不同的过渡金属 M 和 M ′ 构成),我们探索了它们作为酸性电解质超级电容器电极的潜力。利用密度泛函理论 (DFT) 1 结合经典溶剂化模型,我们深入分析了三种被氧钝化的 Janus MXenes - NbVC、MnVC 和 CrMnC 的电化学参数。还与相应的终点 MXenes Nb 2 C、V 2 C、Mn 2 C 和 Cr 2 C 进行了比较。我们发现由于 Janus 的形成,表面氧化还原活性增强,从而显著提高了 MXene 电极的电荷存储容量。我们的分析表明,功能性改进的根源在于 Janus 化合物中一种成分的电荷状态变化,而这种变化又源于表面处理导致的电子结构变化。我们的研究是首次针对超级电容器应用的 Janus MXenes 电化学特性进行研究,表明通过形成适当的 Janus 化合物进行表面工程是一种在基于 MXene 电极酸性电解质的储能设备中提取高功率密度的可能途径。
1 奥本大学电气与计算机工程系,美国阿拉巴马州奥本 36849 2 奥本大学物理系,美国阿拉巴马州奥本 36849 3 奥克兰大学物理系,美国密歇根州罗彻斯特 48309 4 加利福尼亚大学圣地亚哥分校物理系,美国加利福尼亚州拉霍亚 92093 5 伦敦大学学院伦敦纳米技术中心,17-19 Gordon Street,伦敦,WCH1 0AH,英国 6 基础科学研究所 (IBS) 量子纳米科学中心,首尔 03760,韩国 7 梨花女子大学物理系,首尔 03760,韩国 8 伦敦大学学院电子电气工程系,罗伯茨大厦,伦敦,WC1E 7JE,英国 9 东北大学 WPI 高级材料研究中心,2-1-1,Katahira,仙台 980-8577,日本 10 爱丁堡大学物理与天文学院凝聚态物理与复杂系统研究所,英国爱丁堡,EH9 3FD 11 爱丁堡大学希格斯理论物理中心,英国 EH9 3FD 12 北卡罗来纳大学教堂山分校物理与天文系,美国北卡罗来纳州 27599 13 中国科学技术大学微电子学院,中国合肥 230052(日期:2023 年 8 月 29 日)
交替磁性影响电子态,从而允许非相对论自旋分裂的存在。由于交替磁性自旋分裂存在于 3D 布里渊区的特定 k 路径上,我们预计交替磁性表面态将存在于特定的表面取向上。我们揭示了交替磁性表面态的性质,考虑了三个代表性空间群:四方、正交和六方。我们计算了 3D 布里渊区的 2D 投影布里渊区。我们研究了表面及其各自的 2D 布里渊区,确定了具有相反符号的自旋分裂合并消除了交替磁性的位置以及哪些表面上保留了交替磁性。观察三个主要表面取向,我们发现在几种情况下,两个表面对交替磁性视而不见,而交替磁性在一个表面取向上仍然存在。哪个表面保留了交替磁性还取决于磁序。我们定性地表明,与盲表面正交的电场可以激活交替磁性。我们的结果预测了哪些表面需要分裂以保留表面或界面中的交替磁性,这为通过自旋分辨的 ARPES 观察薄膜中的非相对论交替磁性自旋分裂以及将交替磁性与其他集体模式对接铺平了道路。我们为研究交替磁性对平凡和拓扑表面状态的影响开辟了未来的前景。
1 西安交通大学材料力学行为国家重点实验室,西安 710049,中国 2 南方科技大学微电子学院,深圳 518055,中国 3 同济大学声子学与热能科学中心,中欧纳米声子学联合中心,特殊人工微结构材料与技术重点实验室,工程学院,上海 200092,中国 4 波特兰州立大学机械与材料工程系,俄勒冈州波特兰 97201,美国 5 南方科技大学材料科学与工程系,物理系,深圳 518055,中国。Paul M. Rady 科罗拉多大学机械工程系和物理系,科罗拉多州博尔德 80305-0427,美国(日期:2023 年 6 月 13 日)