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使用反射光谱估算WSE2层厚度，并基于波长与石墨烯进行比较
摘要：这项研究的目的是使用反射率光谱计算WSE 2层厚度，并使用Nemess 2D材料反射光谱使用NanoHub.org进行与石墨烯进行比较，该研究的数据被收集了。根据ClinicalCalc.com，将样品分为WSE2层的（n = 20），石墨烯层（n = 20）。在保持以下值的同时计算了总样本量：alpha误差阈值= 0.05，入学率= 0.1，95％置信区间= 80％，而G-power = 80％。使用SPSS软件通过独立样本测试进行比较。与石墨烯层（2.0669）相比，WSE 2层和石墨烯层的厚度具有统计学上的显着差异。WSE2层（3.4717）显示出更好的结果。与石墨烯层相比，WSE 2层具有更大的厚度。
使用超快激光器的晶体硅的无形化和消融：对脉冲持续时间和辐照波长的依赖性
使用激光器以高空间精度实现硅中受控的晶体相变，承诺在包括硅光子学在内的半导体技术中新的制造溶液。最近的改善非晶厚度位置超快激光器作为应对当前挑战的最佳工具。在这里，审查了有关硅转化的文献，并与新的实验数据相辅相成。这包括非晶态和消融响应，这是脉冲持续时间的函数（𝝉 = 13.9至134 fs 𝝀 = 800 nm）和激光波长（𝝀 = 258至4000 nm，𝝉 = 200 fs脉冲）。对于脉冲持续时间依赖性的SI研究（111），非晶化的阈值随持续时间较短而降低，强调了在考虑条件范围内非线性吸收的显着性。对于波长依赖性研究，非晶化阈值从𝝀 = 258急剧增加到1030 nm，其次是接近恒定的行为至𝝀 = 3000 nm。相反，在这些指定的范围内的消融阈值增加。还讨论了在Si（111）和Si（100）上获得的非晶化厚度的差异，并识别出异常大的宽度范围，以在𝝀 = 258 nm处进行非晶化。最后，解决了与相互作用非线性无关的横向分辨率的问题。
强偏振量子阱红外光电探测器...
多光谱和/或极化成像是下一代红外摄像机不可避免的要求。1–9与单色/全球成像相比，狭窄和多光谱的成像可以提供更丰富的对象信息，从而确定对象的绝对温度，并降低相机对大气条件的敏感性。几个相邻光谱通道的组合有助于在复杂的环境中检测到埋藏的物体。5人工对象（例如金属和玻璃）通常具有与天然物体的极化特性不同的。因此，获取极化信息有可能识别某些对象，被认为是提高识别效率并减少错误警报的重要手段。2–4传统的多光谱和极化技术基于单个光谱焦平面阵列，光谱仪和/或极化器的掺入，这些光谱平面阵列，光谱仪和/或极化器通常需要高成本的机械扫描仪器和额外的空间。这些附加
标准参考材料：用于校准红外分光光度计波长标度的聚苯乙烯薄膜 - SRM 1921
美国商务部，Ronald H. Brown，部长 技术管理局，Mary L. Good，技术部副部长 国家标准与技术研究所，Arati Prabhakar，主任
低损坏硅方向耦合器，基于弯曲的波导
摘要 - 我们为满足宽带耦合的基本要求，任意耦合率的支持，超低损失，高损坏，高制造公差和紧凑的足迹的支持，展示了一个高性能2×2分离器的设计。这是基于对弯曲方向耦合器（DC）的宽带响应的严格耦合模式理论分析来实现的，并通过演示完整的耦合模型，该模型的宽带值为0.4、0.5、0.6和0.7。作为基准，我们演示了一个0.5：0.5的分离器，可显着将耦合变化从传统DC中的0.391降低到80 nm波长跨度的0.051。这代表了耦合变化的显着降低7.67倍。此外，在提出的设计中使用了新发明的低损失弯曲，导致超低损坏设计，并具有可忽略的多余损失（0。003±0。013 dB）。拟议的0.5：0.5硅条波导的设计具有耐受性，并且在完整的300 mm晶圆上显示出持续的较低量变化，在80 nm波长范围内显示了最大的交叉耦合变化，在晶片的极端边缘处。futhermore，我们通过波导宽度耐受耐受性研究增强了晶圆映射，并确定了该设备在80 nm波长范围内的波导宽度偏差仅为±20 nm的最大耦合变化的设备的耐受性。这些规格使提出的分离器成为具有质量生产的实际应用的有吸引力的组成部分。
激光波长和脉冲能对原子层析成像中锡涂层蒸发行为的影响：多功能仪研究
研究了激光波长对原子探针断层扫描（APT）中元素组成分析中精度的影响。系统比较了三种不同的商业原子探针系统 - LEAP 3000 x HR，LEAP 5000 XR和LEAP 6000 XR-用于研究较短激光波长的锡模型涂层，尤其是在深紫外线（DUV）范围内，对蒸发行为的影响。发现的结果表明，较短波长的使用提高了元素组成的准确性，而主潮具有相似的电场强度。因此，热效应减少，进而提高质量分辨能力。这项研究的一个重要方面包括估计不同工具的能量密度比。波长的降低伴随着由于激光斑点尺寸较小而导致的能量密度增加。此外，还研究了检测器技术的进步。最后，确定探测器的死时间，并评估了死区，以调查具有LEAP 6000 XR的氮化物测量中的离子堆积行为。
Ronilmshah的光学注释
●对于电磁波●红移 - 当光从观察者移开时，明显的频率会降低，增加波长，从而将光转向频谱的可见光部分红色。●蓝移 - 当光向观察者移动时，表观频率会增加，减小波长，从而将光向蓝色移动。● When a source of light and an observer are moving relative to each other, the observed wavelength of light differs from the actual wavelength of light ● When a light wave is emitted by a source fixed in the moving inertial frame S', the observer in S sees the wavelength measured in S' to be shorter by a factor of sqrt(1 - v 2 / c 2 ) ● Because the observer sees the source moving away within s，在S中到达观察者的波模式也由因子1 + V / c伸展。●组合效应由：< / div>给出：< / div>
b'在室温下，已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下，通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术，已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征，证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置，在 GaN：Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'
b'在室温下，已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下，通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术，已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征，证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置，在 GaN：Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'
Excelitas Technologies 推出电动 LINOS 光束扩展器 1x-4x UV，适用于 340 nm-360 nm 波长范围，新型紧凑型电动光束扩展器，带 Co
Excelitas 应用工程师 Matthias Koppitz 表示：“凭借 30 多年开发激光材料加工光学系统的经验，我们种类繁多的电动 LINOS 扩束器因其能够满足最严格的要求而闻名。” “我们适用于 340 nm-360 nm 波长范围的新型 LINOS 扩束器 1x-4x 延续了这一传统。它更小巧紧凑的尺寸和无色阳极氧化处理可确保满足激光系统对各种紫外线应用制造的光子需求的各个方面。” 适用于 340 nm-360 nm 的新型 LINOS 扩束器 1x-4x 将于 2022 年 6 月 21 日至 23 日在德国斯图加特的 LASYS 上展出（Excelitas 展位号 4E13，4 号厅）。欲了解更多信息，请访问产品网页：https://www.excelitas.com/product/linos- motorized-variable-magnification-beam-expander 。
模型的质量质量转移量 - 米式 -
Figure 2 a) Reaction scheme of the reversible ring-opening photoisomerization of 1,3,3-trimethylindolino- 6'-nitrobenzopyrylospirane 1 to its merocyanine form 2. b) Spectral Napierian absorption coe cient of 1 and a mixture of species 1 and 2 dissolved in technical grade ethanol after irradiation of wavelength 365 nm .