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Indigofera Tinctoria介导的氧化锌纳米颗粒的生物合成的甲醇叶提取物
摘要氧化锌（ZnO）纳米颗粒是具有广泛应用潜力的多功能材料。此RE搜索的目的是合成ZnO纳米颗粒，利用甲醇中的Indigofera Tinctoria叶提取物作为一种生态友好的还原和稳定剂。合成在提取物质量方面的变化，即1 g（z1），5 g（z5）和10 g（z10），以评估提取物浓度对纳米颗粒特性的影响。ftir，XRD，SEM，XRF和UV-VIS DRS用于表征样品。FTIR分析结果显示，波数为422-430 cm -1处的典型ZnO峰。 XRD分析表明，纳米颗粒具有带有空间群p63mc的六边形wurtzite晶体结构。 随着提取物浓度在折痕中的浓度下降，总计16.55 nm（Z1），15.21 nm（Z5）和13.75 nm（Z10）。 带隙能量从3.19 eV（Z1）增加到3.21 eV（Z10），表明在较高的提取浓度下光活性增加。 通过SEM进行的形态分析表明，所有样品均表现出准球形形状。 eds表征显示仅识别Zn和O元素。 XRF结果证实了ZnO纳米ticle的原始性，ZnO含量为98.99％。 这项研究为ZnO纳米颗粒的合成中的Indigofera Tinctoria叶提取物的潜在用途提供了新的见解，可用于各种功能材料和技术应用。FTIR分析结果显示，波数为422-430 cm -1处的典型ZnO峰。XRD分析表明，纳米颗粒具有带有空间群p63mc的六边形wurtzite晶体结构。随着提取物浓度在折痕中的浓度下降，总计16.55 nm（Z1），15.21 nm（Z5）和13.75 nm（Z10）。带隙能量从3.19 eV（Z1）增加到3.21 eV（Z10），表明在较高的提取浓度下光活性增加。通过SEM进行的形态分析表明，所有样品均表现出准球形形状。 eds表征显示仅识别Zn和O元素。 XRF结果证实了ZnO纳米ticle的原始性，ZnO含量为98.99％。 这项研究为ZnO纳米颗粒的合成中的Indigofera Tinctoria叶提取物的潜在用途提供了新的见解，可用于各种功能材料和技术应用。通过SEM进行的形态分析表明，所有样品均表现出准球形形状。eds表征显示仅识别Zn和O元素。XRF结果证实了ZnO纳米ticle的原始性，ZnO含量为98.99％。这项研究为ZnO纳米颗粒的合成中的Indigofera Tinctoria叶提取物的潜在用途提供了新的见解，可用于各种功能材料和技术应用。这些结果还为开发绿色合成方法开发了纳米材料具有特征的纳米材料的机会，可以根据应用需求进行定制。
用于半导体自旋电子器件的半金属 Heusler 合金/GaN 异质结构
由于纤锌矿半导体中的自旋轨道耦合与闪锌矿半导体相比相对较弱，因此 III 族氮化物半导体 GaN 是用于高性能光学半导体自旋电子器件（如自旋激光器）的有前途的材料。为了降低自旋激光器的工作功率，有必要展示从铁磁材料到具有低电阻接触的 GaN 的高效电自旋注入。这里，通过在 CFAS 和 GaN 之间插入超薄 Co 层，开发了外延半金属 Heusler 合金 Co 2 FeAl x Si 1 − x (CFAS)/GaN 异质结构。CFAS/ n + -GaN 异质结清楚地显示了隧道传导，整流非常小，电阻面积积低至 ≈ 3.8 k 𝛀 μ m 2，比以前工作中报道的要小几个数量级，在室温下。使用具有 CFAS/ n + -GaN 接触的横向自旋阀装置，在低温下观察到非局部自旋信号和 Hanle 效应曲线，表明块状 GaN 中存在纯自旋电流传输。在高达室温的温度下观察到自旋传输，在低于 2.0 V 的低偏置电压下具有 0.2 的高自旋极化。这项研究有望为具有高度自旋极化和低电阻接触的 GaN 基自旋电子器件开辟一条道路。
使用氧化锌纳米颗粒的若丹明染料的光催化降解
本文使用醋酸锌作为前体的SOL-GEL方法提出了纳米晶锌（ZnO）颗粒的合成。ZnO的钙化温度变化以确定其对粒径的影响。使用X射线衍射（XRD），傅立叶变换红外（FTIR），紫外线 - 可见光谱（UV-VIS）和扫描电子显微镜（SEM）表征所得的样品。纳米晶元素ZnO颗粒的含量为16 nm至30 nm。合成的氧化锌纳米颗粒的能带间隙随着钙化温度和结晶石尺寸的增加而降低。SEM显微照片显示ZnO纳米颗粒的水稻样显微结构形态。在若丹明B染料的降解中还探索了ZnO纳米颗粒作为光催化剂的使用，并特别注意粒度和催化剂负载对染料降解效率的影响。当施加0.2 g催化剂载荷时，在400 C下钙化的纳米颗粒的降解效率最高为95.41％。2019 Elsevier Ltd.保留所有权利。在国际纳米结构，纳米工程和高级材料的国际委员会科学委员会的责任下进行选择和同行审查。
第一原理和实验-Repositum
过饱和（Ti，al）的N材料，带有面部的立方（FCC）结构提供了热稳定性和机械性能的独特组合。但是，它们的热诱导的分解过程对于提取其全部潜力至关重要。通过X射线衍射和转移电子显微镜进行了详细的实验研究表明，热力学稳定的Wurtzite型W- ALN的形成以1000 c在100 c的退火温度下（t a）开始，在使用锡（TI，Al）n/tin Multililayerays施加多层式时，以1000 c的形成（t a）。尽管如此，（Ti，al）N/Tin多层的硬度比（Ti，Al）N涂层高100 c t a（900 c），在100 c t a（900 c）下达到32.3±1.0 gpa的峰值，并且硬度下降的趋势随着t的增加而下降。这是因为（ti，al）n分解朝着富含Al和Ti的区域的分层结构，当时与FCC-TIN相干生长。从头算的计算强调，在（Ti，al）N层中的Al优先扩散与锡层相干界面。因此，在一个（ti，al）n层中，更多的层形成，即使在富含质量层的相位变形到w-aln的相变，它们的分层结构仍然存在。一起，计算和实验结果表明，分层的排列具有更高的抵抗力对位错滑行的阻力，并且对涂料完整性是有益的。2022由Elsevier Ltd.这是CC BY-NC-ND许可证（http：//creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章。
利用化学浴沉积法合成 ZnO 薄膜并研究物理化学性质
使用化学浴沉积合成 ZnO 薄膜并研究物理化学性质 Pooja B.更多，1 Sanjay B. Bansode，1 Mariya Aleksandrova，2 Sandesh R. Jadkar 1 和 Habib M. Pathan 1，* 摘要 在目前的研究中，我们在 70°C 温度下通过化学浴沉积法 (CBD) 在 FTO（氟掺杂氧化锡）基板上合成了 ZnO 薄膜。X 射线衍射研究表明，ZnO 薄膜具有六方纤锌矿结构，沿 (002) 方向有纹理。此外，扫描电子显微镜证实了沿垂直（c 轴）方向取向的微米级棒的形成。此外，还检查了各种光学和光电化学 (PEC) 特性。从紫外-紫外光谱分析可知，ZnO 薄膜的光学带隙为 3.1 eV。光致发光光谱显示，沉积的薄膜在紫外区具有尖锐的发射，在可见光区具有宽发射，这可能与 ZnO 中的缺陷有关。电化学阻抗谱表明，在光照下，ZnO 薄膜表现出较高的光电流密度的 PEC 性能。计时电流法显示，光电流密度随时间变化的稳定性测试为 60 μA/cm 2 。此外，莫特-肖特基曲线证实，沉积的 ZnO 薄膜为 n 型，载流子密度为 8.55×10 18 cm -3 。
镁取代的氧化锌薄膜中的铁电性
我们证明了具有Wurtzite结构的MG取代的ZnO薄膜中的铁电性。Zn 1-x mg x o膜通过（111）-PT //（0001）-AL 2 O 3基板在温度下为26至200°C的组合物上的（111）-PT //（0001）-AL 2 O 3底物生长，用于从x = 0到x = 0.37。X射线衍射表示C -Lattice参数的减少，并且在此组合范围内，A -Lattice参数的增加，MG含量增加，导致C/A轴向比为1.595。透射电子显微镜研究表明Zn 1 -x mg X O膜与PT电极之间的突然接口。在P O 2 = 0.025处制备时，通过原子力显微镜测量的Mg浓度> 29％，膜表面被异常定向的晶粒填充。提高P O 2至0.25消除了不良的晶粒。光学测量结果显示，随着MG含量的增加，带隙值的增加。在200°C的亚晶地上制备时，膜显示出超过100μccm-2的远程极化，当Mg含量约为30％至〜37％时，较不超过100μccm-2且胁迫场。底物温度可以降低到环境条件下，当这样做时，电容器堆栈仅显示出较小的牺牲，而对晶体取向和几乎相同的remanent极化值。但是，强制场降至2 mV/cm以下。使用环境温度沉积，我们证明了直接与聚合物亚电体表面集成的铁电容堆栈。
1在铁电的特殊温度稳定性上...
通过其对低对称晶体相的依赖性，铁电性本质上是与给定材料相关的相位图较低温度范围的特性。本文提供了结论性的证据，即在铁电Al 1-X SC X N的情况下，低温必须被视为纯粹的术语，因为确认其铁电到 - 偏移过渡温度可以超过1100°C，因此几乎任何其他任何其他薄膜。我们通过研究0.4-2μm厚的Al 0.73 SC 0.73 SC 0.27 N膜在MO底部电极上通过原位高温X射线衍射和渗透者测量在MO底部电极上生长的结构稳定性得出了这一结论。我们的研究表明，在整个1100°C退火循环中，Al 0.73 SC 0.27 N的Wurtzite型结构是通过恒定的C / A晶格参数比率可见的。原位介电常数测量最多执行的1000°C强烈支持此结论，并包括仅在测量间隔非常上端的发散介电常数的开始。我们的原位测量值通过原位（扫描）透射电子显微镜以及极化和容量滞后测量得到很好的支持。这些结果证实了在完整的1100°C退火处理过程中铭刻极化的稳定性旁边的尺度上的结构稳定性。因此，Al 1-X SC X n是第一个容易获得的薄膜铁电薄膜，其温度稳定性几乎超过了微技术中发生的所有热预算，无论是在制造过程中还是设备的寿命，即使在最恶劣的环境中也是如此。
顺铂包覆氧化锌纳米粒子的合成及其作为靶向药物输送载体的应用
摘要：顺铂是一种常用的抗癌药物，是第一个铂基抗癌药物。顺式结构使配位复合物能够共价结合一条或两条 DNA 链，从而使 DNA 链交联，导致细胞以程序性方式死亡。顺铂以盐水形式静脉输注用于治疗实体恶性肿瘤。抗癌药物通常具有多种副作用，但将药物封装在合适的宿主材料中可最大限度地减少副作用，同时由于药物仅在靶标处缓慢释放而提高药物的功效。本研究旨在开发一种简单但有效的机制，利用强制水解法将二水合醋酸锌与去离子水在二乙二醇 (DEG) 介质中进行反应来制备多孔氧化锌纳米颗粒 (PZnO NPs)。然后用扫描电子显微镜 (SEM)、能量色散 X 射线分析 (EDX)、傅里叶变换红外光谱 (FT-IR)、粒度分析和粉末 X 射线衍射 (PXRD) 对合成的 PZnO NPs 进行表征。通过 X 射线荧光 (XRF)、SEM、EDX 和 FT-IR 研究证实顺铂被封装在多孔氧化锌纳米粒子内。我们的结果表明，合成的纳米粒子具有六方纤锌矿结构，这已通过 PXRD 证实。通过光散射测定的平均粒度为 52.4 ± 0.1 nm SEM 图像显示具有聚集颗粒的多孔球形形态。顺铂封装产品的 XRF 数据显示 Pt：Cl 比为 1:2，表明顺铂封装没有任何碎裂或其他化学变化。 FT-IR 数据也表明封装产品中存在 NH 3。通过测量 Pt 释放量与时间的关系，研究了抗癌药物顺铂在 PZnO NPs 中的封装情况及其 pH 值对药物从 PZnO NPs 中释放的依赖性，测量方法为使用电感耦合等离子体原子发射光谱法 (ICP-AES) 在 λ max 265.94 nm 处进行。发现顺铂在 PZnO NPs 中的封装效率为 50.52%。在 pH 为 4.0、5.0、6.0、7.0 和 8.0 的醋酸盐/磷酸盐缓冲液中，前 7 小时内从 PZnO NPs 中释放的顺铂百分比 < 6.30%。
Mg和Cu共掺杂的ZnO纳米结构的光电特性A. Ullah A，N。Ali B，*，A。A. A. A. Bahajjaj C，A。A. Shahid A，Q. S. S. Ahmad A，M。Ja
b非洲可持续农业研究所（ASARI）Mohammad VI理工大学（UM6P），Laayoune，摩洛哥C C C型化学系，沙特国王大学，里亚德大学11451年，沙特阿拉伯，阿拉伯人11451 Sheffield，S1 3JD，英国，在这项工作中，纯和MG-CU共掺杂的氧化锌薄膜都是由Sol-Gel Spin涂层技术制备的。微观玻璃基板用于合成薄膜。通过X射线光谱（XRD），光致发光光谱（PL），扫描电子显微镜（SEM），紫外线可见光谱（UV-VIS）和能量分散X射线分析（EDX）检查薄膜。XRD揭示了膜的六边形Wurtzite阶段。对于纯和MG-CU共掺杂的ZnO，观察到的晶粒尺寸分别为23.34 nm至15.94 nm。SEM图像显示了晶粒尺寸的增加，并通过MG-CU共掺杂表面平滑。通过EDX分析证实了ZnO纳米膜中Mg和Cu的存在。紫外线分析显示，掺杂的透射百分比增加。TAUC关系用于估计样品的带隙，并观察到带隙的显着转移。光致发光图显示出更大的发射和掺杂的表面缺陷。可见的光谱完全被低水平的发射覆盖。（2024年7月1日收到； 2024年10月8日接受）关键字：掺杂；传播；纳米颗粒；光致发光1。[3，4]。引言Nano材料有可能通过提高能源转换，存储和传输的效率来彻底改变能源领域。纳米材料可以设计为具有独特且通常是出乎意料的特性，这些特性在散装材料中没有看到，这使得它们对能源应用特别有希望。在当今时代，纳米赛车在舒适人类的能源生产和分配方面做出了巨大的改进。现代技术进步，最终要求更有效的物理和化学技术来开发和生产高级系统，以及不同形式的能源的转换。尽管有一个事实，即尚未耗尽全球化石资产，但是我们目前使用的不同形式的能源的不适当模式的破坏性健康，社会和生态效应是显而易见的[1，2]。能源生产的最大规模替代品以维持和改善由于人口增长和全球化的生命标准，并改善了我们的生活标准素。似乎很可能会增加温室气体的排放，并在未来50年中导致未来的全球变暖。能源与气候变化之间的联系强调了迫切需要过渡到更可持续和弹性的能源系统，该系统可以支持经济发展并改善人民和地球的福祉。这需要政府，企业和个人的共同努力，以优先考虑和投资清洁能源技术和实践，并减少经济各个部门的温室气体排放。
姓氏和名字 CALARCO RAFFAELLA 语言
专业经历 - 意大利国家研究委员会 (CNR) 研究主任，罗马微电子与微系统研究所 (IMM)，2018 年 11 月至今 - 休假时间：2018 年 12 月 1 日至 2019 年 8 月 31 日 - 德国柏林 Paul-Drude 固体电子研究所高级科学家，2010 年 8 月至 2019 年 8 月 31 日 - 德国 Jülich GmbH 研究中心研究员，2001 年 11 月至 2010 年 8 月 - 德国亚琛工业大学博士后小组，2000 年 2 月至 2001 年 10 月 - 美国马里兰州巴尔的摩市约翰霍普金斯大学暑期学生小组，1998 年 7 月至 1998 年 8 月 教育经历 - 获得国立科学技术学院正教授资格，Fis03 - 02/B1 MIUR 教授资格，2016 年 - 2023 年2012 – 2019 年 - 任教资格（获得独立大学教学资格） 1. 柏林洪堡大学 德国 2012 年 5 月 30 日 2. 亚琛工业大学 德国 2010 年 2 月 4 日 - 罗马第一大学材料科学博士学位 2001 年 1 月 28 日 - 罗马第二大学物理学学士学位 1996 年 5 月 24 日 研究活动 她的研究集中在自旋电子学、纳米电子学、光电子学和存储器方面。 1996-2000 年：在攻读博士学位期间，她研究了外延 Ge/Si(100) 异质结构，以获得集成在 Si 上的 1.55 µ m 电信波长的光电探测器，为此她将光电探测器效率与结构缺陷相关联。 2000-2001：制备了具有可重复特性和室温磁阻相关变化的磁隧道结。生长了具有高自旋极化和光滑表面/平面界面的铁磁层（Co/AlOx/Co）。 2001-2005：制备了稀磁半导体（注入Mn、Cr或V离子的n型和p型GaN层）并实现了混合铁磁体/半导体结构，即在纤锌矿GaN（0001）上外延生长的bcc Fe（110）薄膜。 2004-2010：专注于III族氮化物NW的生长与表征，深入研究了生长机制和电子特性。由于NW的表面积与体积比很大，表面对NW的物理行为和器件性能有很大的影响。特别针对存在积累层和耗尽层的窄带隙（InN）和宽带隙（GaN）材料中的表面空间电荷层效应。对 GaN NW 电学性质的研究表明，带间光电效应随 NW 直径的变化而变化几个数量级。R. Calarco 通过模拟纳米线侧壁表面电子耗尽区的影响来解释这种不寻常的行为。这些研究结果的发表得到了 NW 界的高度认可，本文被广泛引用。2008-2013：参与两个关于实现单光子发射器的德国国家项目。致力于制造 pin 结、布拉格反射器和三元合金（In、Ga)N 纳米线结构，旨在实现可见光范围内的发光二极管 (LED)。纳米线可以生长为单个纳米晶体，结构缺陷比平面薄膜少；因此，它们能够提高器件质量。对于实际的器件应用，纳米线需要定位，为此，R. Calarco 开发了一种非常具有挑战性的生长程序，可以在没有任何金属帮助的情况下在预定位置选择性地生长纳米线（完整的半导体布局，与生产要求兼容）。2012 年，她介绍了一项关于并联运行的单纳米线 LED 的研究。2010-2018：平面氮化物研究。她研究了 In 2 O 3 上 InN 的生长。In 2 O 3 和 InN 之间可以实现重合晶格，并将失配降低到 < 1%。这使得 bcc-In 2 O 3 成为 InN 的有趣替代衬底。她进一步研究了 (In,Ga)N/GaN 短周期中的 In 含量