序号 论文内容 1. 室温下 Se 85-X Te 15 Sb x(X =2、4、6、8 和 10)硫属玻璃的热导率和热扩散率的同时测量 Kedar Singh、NB Mahrjan 和 NS Saxena* phys. stat. sol. (a) 189, 1 197-202, (2002)。 2. 室温下 Se 80 Te 20-X In X(X = 2、4、6 和 10)硫属玻璃的热导率和热扩散率的同时测量 NS Saxena*、Mousa MA Imran 和 Kedar Singh Bulletin of Material Science 25, 241, (2002)。 3. 中子辐照 Se 80 Te 10 In 10 玻璃的热性能 Kedar Singh 和 NS Saxena* Mater. Sci. Engg. A. 346, 287, (2003)。4. 处理过的油棕纤维增强酚醛复合材料的热导率和热扩散率的温度依赖性研究 Kedar Singh、NS Saxena*、MS Sreekal 和 S. Thomas Journal of Applied Polymer Science 98, 13, 3458, (2003)。5. Se 75 Te 25-X Sn X 硫属化物玻璃的量热研究 NB Maharjan、Kedar Singh 和 NS Saxena* phys. stat. sol. 395, 1, 305-310, (2003)。 6. 苯酚甲醛混合复合材料的结构松弛 Kedar Singh、NS Saxena*、S. Thomas 和 MS Sreekala Indian J. Eng. &Material Science 10, 65, (2003)。 7. Ge-As-Se 在玻璃化转变区的动力学 Kedar Singh 和 NS Saxena* Bulletin of Material Science 26, 543, (2003)。 8. 未经处理的油棕纤维增强苯酚甲醛复合材料热物理性质的温度依赖性 Kedar Singh、NS Saxena* 和 S. Thomas J. Scientific & Industrial research 62, 903, (2003)。 9. Se-Te-In 硫属化物玻璃的热导率和热扩散率的压力依赖性”Kedar Singh 和 NS Saxena* Indian J. Pure & Appl. Physics 41, 466, (2003)。10. 使用瞬态平面源技术对不同填料浓度的松苹果叶纤维增强复合材料的热性能 Ravindra Mangal、NS Saxena*、MS Sreekala、S. Thomas 和 Kedar Singh Mater. Sci. Engg. A 339, 281-285, (2003)。11. Se 80 Te 10 In 10 硫属化物玻璃的热物理性质的温度依赖性。Kedar Singh 和 NS Saxena* Mater. Sci. Engg. A 329 (1-2), 38, (2005)。12. Zn-Se 颗粒的热物理性质 NS Saxena*, R. Sharma、Kedar Singh 和 TP Sharma J. Mat. Sci. Lett. 40, 523, (2005)。13. 室温下 Se 100-X In x(x = 0、5、10、15 和 20)硫属化物玻璃的热导率和扩散率的同步测量 Kedar Singh、NS Saxena* 和 D. Patidar 固体物理和化学杂志,66,946,(2005)。14. 室温下 Se 85-X Te 15 Sb x(x = 2、4、6、8 和 10)硫属化物玻璃的电导率的成分依赖性
低维材料表现出奇特的物理特性。其中,过渡金属二硫属化物 (TMDs) 层状半导体材料,例如 MoS 2 、MoSe 2 、MoTe 2 、WS 2 、WSe 2 、WTe 2 和 PdSe 2,作为后硅时代的可能候选材料而备受关注 [1]。这些二维 TMD 纳米材料的单层 [2] 作为半导体,表现出高效的光吸收率,从而可制成高响应度的光电探测器 [3]。TMD 的主要技术特性以 MX2 形式呈现。其中,M 是由六边形排列的原子组成的薄片,堆叠在两层 X 原子之间。这些晶体的三层被弱范德华力夹住,导致块状晶体分离为单个二维薄片 [4]。相邻三层之间缺乏共价键,导致2D TMD 薄片中悬挂键短缺。
量子通信背景:二维材料中的单光子发射器 (SPE) 已成为量子技术和量子通信的有前途的平台。这些发射器能够产生单个光子,这对于安全通信、量子计算和其他需要操纵量子态的应用至关重要。过渡金属二硫属化物 (TMD) 等二维材料由于其原子级薄性质、强激子效应以及与其他量子器件集成的潜力,为实现 SPE 提供了独特的环境。在这些材料中,缺陷、应变和局部激子可以捕获电子和空穴,从而导致单光子的发射。此外,二维材料提供可调的电子和光学特性,可以更好地控制发射特性,例如波长和偏振。此外,基于二维材料的 SPE 的可扩展性和与现有光子和光电器件的集成使其成为未来量子技术的有力候选者。
在电子设备结构中引入层状二维 (2D) 材料是提升电子设备性能和提供附加功能的一种有趣策略。例如,石墨烯(导电性)已用作电容器 [ 1 ] 和电池 [ 2 ] 中的电极,而过渡金属二硫属化物 (TMD),例如 MoS 2 、 WS 2 和 WSe 2(半导体性),常用作场效应晶体管 (FET) 和光电探测器 [ 3 – 5 ] 中的沟道。六方氮化硼 (h-BN) 是由 B 和 N 原子排列成 sp 2 六方晶格的二维层状材料,其带隙为 5.9 eV [ 6 ]。因此,h-BN 是一种电绝缘体,并且在许多不同的应用中非常有用。到目前为止,h-BN 已被证明是一种非常可靠的 FET 栅极电介质,并且能够比高 k 电介质更好地抵抗电应力 [7,8],因为
摘要:在密集纳米光子器件上对范德华材料进行原型设计需要高精度单层识别,以避免块体材料污染。我们使用标准干式转移工艺中使用的聚碳酸酯的玻璃化转变温度来绘制一个原位点,以精确拾取二维材料。我们将过渡金属二硫属化物单层转移到大面积氮化硅螺旋波导和氮化硅环形谐振器上,以证明改进的干式转移方法具有高精度无污染的特性。我们改进的局部转移技术是将高质量范德华材料确定性地集成到纳米腔中的必要步骤,以便在高通量、纳米制造兼容平台上探索少光子非线性光学。
Nazeri,Gholam Hossein; Mastour,Ramin* +; Fayaznia,穆罕默德; Parviz高级材料研究中心Keyghobadi,P.O。 框16765-3574 Tehran,I.R。 伊朗摘要:使用-30°C的硫酸和硝酸混合物进行硫氨酸钾的硝化。 以硫酸与硝酸的摩尔比(1:3.5)优化了反应时间。 通过将钾变成硫铵的钾产量差异。 发现产品的产率和纯度都从磺胺钾开始。 关键词:硫钾钾,二硝基酸,硝酸,二硝基铵,二硝基钾。 引言Dinitramide Salts是一种独特的氮气氧,于1988年首次发现[1,2]。 二硝酰胺盐具有较高的氧气含量,并在不同的柜台上制备,包括铯,铵和肼盐。 二硝基胺阴离子的弹药盐(NH 4 N(NO 2)2)或ADN比硝酸铵具有热敏感性和更敏感的敏感性,但比相关的相关的n-n-n-n-dinitro衍生物(如谷氨酸氨基酸铵(如杏仁粉)(如杏仁粉(r-n(r-n(r-n(r-n(r-n(r-n no 2),2)2)),它比相关的n-n-n-n-dinitro衍生物更稳定。 二硝酸根阴离子与各种阳离子形成富含氧气的盐的能力使其成为固体推进剂中能量氧化剂发展的有前途的候选者。 该化合物的潜在实际用途是替代高氯酸铵Nazeri,Gholam Hossein; Mastour,Ramin* +; Fayaznia,穆罕默德; Parviz高级材料研究中心Keyghobadi,P.O。框16765-3574 Tehran,I.R。 伊朗摘要:使用-30°C的硫酸和硝酸混合物进行硫氨酸钾的硝化。 以硫酸与硝酸的摩尔比(1:3.5)优化了反应时间。 通过将钾变成硫铵的钾产量差异。 发现产品的产率和纯度都从磺胺钾开始。 关键词:硫钾钾,二硝基酸,硝酸,二硝基铵,二硝基钾。 引言Dinitramide Salts是一种独特的氮气氧,于1988年首次发现[1,2]。 二硝酰胺盐具有较高的氧气含量,并在不同的柜台上制备,包括铯,铵和肼盐。 二硝基胺阴离子的弹药盐(NH 4 N(NO 2)2)或ADN比硝酸铵具有热敏感性和更敏感的敏感性,但比相关的相关的n-n-n-n-dinitro衍生物(如谷氨酸氨基酸铵(如杏仁粉)(如杏仁粉(r-n(r-n(r-n(r-n(r-n(r-n no 2),2)2)),它比相关的n-n-n-n-dinitro衍生物更稳定。 二硝酸根阴离子与各种阳离子形成富含氧气的盐的能力使其成为固体推进剂中能量氧化剂发展的有前途的候选者。 该化合物的潜在实际用途是替代高氯酸铵框16765-3574 Tehran,I.R。伊朗摘要:使用-30°C的硫酸和硝酸混合物进行硫氨酸钾的硝化。以硫酸与硝酸的摩尔比(1:3.5)优化了反应时间。通过将钾变成硫铵的钾产量差异。发现产品的产率和纯度都从磺胺钾开始。关键词:硫钾钾,二硝基酸,硝酸,二硝基铵,二硝基钾。引言Dinitramide Salts是一种独特的氮气氧,于1988年首次发现[1,2]。二硝酰胺盐具有较高的氧气含量,并在不同的柜台上制备,包括铯,铵和肼盐。二硝基胺阴离子的弹药盐(NH 4 N(NO 2)2)或ADN比硝酸铵具有热敏感性和更敏感的敏感性,但比相关的相关的n-n-n-n-dinitro衍生物(如谷氨酸氨基酸铵(如杏仁粉)(如杏仁粉(r-n(r-n(r-n(r-n(r-n(r-n no 2),2)2)),它比相关的n-n-n-n-dinitro衍生物更稳定。二硝酸根阴离子与各种阳离子形成富含氧气的盐的能力使其成为固体推进剂中能量氧化剂发展的有前途的候选者。该化合物的潜在实际用途是替代高氯酸铵
概要:1。遗传毒性和蛋白质毒性应激在癌变和癌症治疗中的意义…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………。Proteostasis and proteotoxic stress…………………………………………………………………………………4 1.2.遗传毒性压力……………………………………………………………………………………………………………………………………………在研究遗传毒性和蛋白毒性应激诱导和相关细胞反应的工具中的进步…………………………………………………………………………………………复制应力诱导者是特定遗传毒性应力的来源……………………………………19 2.2。An Advanced Method for QuanƟfying Low-dose DNA Damage and ReplicaƟon Stress Responses……………………………………………………………………………………………………………………………21 2.3.Photo-ManipulaɵOnDNA损伤技术用于细胞研究…………………………………………22 2.4。针对蛋白质毒性应激研究的靶向热蛋白损伤…………………………………………23 2.5。监测毛囊中细胞反应………………………………………………………………二硫代氨基酸盐靶向蛋白质量和DNA修复…………26 3.1。npl4,p97分离酶的适配器,是拆卸纤维的主要目标靶标…………27 3.2。解密的二硫杆的and-canter机制:超越Aldhimhibiɵ…………………………30 3.3。Disulfiram's TargeƟng of NPL4 Impairs DNA ReplicaƟon Dynamics and Induces ATR Pathway MalfuncƟon…………………………………………………………………………………………………………..31 3.4.大麻二醇通过金属硫蛋白途径对二硫杆的效应干扰…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………3.5。二硫杆重新利用以克服Mulɵple骨髓瘤的抗性………………………………35 3.6。摘要…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………癌症疗法中的p97/NPL4途径的新型二硫那甲酸酯络合物造成…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………3.7。Leveraging Disulfiram, Vorinostat, and PARP inhibitors for CombaƟng CastraƟon-Resistant Prostate cancer……………………………………………………………………………………………………………………38 4.缩写…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………书目……………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………附件1-15………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………… 2…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………” 4………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………” 6………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………… 8……………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………… 10……………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………” 12……………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………… 14………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
C /2 倍率下。 [5] 已证明,添加 FEC 的 Sn4P3 具有比锑 (718 mAh g −1) 更高的容量,尽管倍率较低,约为 C/10。 [6] 许多过渡金属氧化物和硫化物也因其高循环稳定性而被研究。与 Na2O 相比,硫化物电极转化为 Na2S 的可逆性更好,因此人们对其兴趣日益浓厚。[7–9] 这些电极有望实现高容量,但由于循环过程中体积膨胀,库仑效率低。 [5] 我们通过预处理来避免这种膨胀,形成限制体积变化的新相。过渡金属二硫属化物 (TMD) 如 TiS2 ,是锂离子电池初期开发过程中最早作为插层正极研究的材料之一。 [10] 客体离子与硫族化物发生转化反应形成 A2X(A=Li、Na;X=S、Se、Te),导致体积膨胀,限制容量。[11–14] 然而,客体与硫族化物主体之间较大的间隙体积和较弱的静电相互作用仍然是使用 TMD 电极的优势,尤其是在超锂离子电池的开发中。[15] 与氧化物相比,过渡金属硫化物中的钠电荷存储动力学有所改善,因此研究工作取得了进展。[7] 范德华 CrS2 被预测为 Na 和 Mg 的良好插层主体,它可以避免困扰 TMD 电池的副反应,但尚未分离为体相。[7,16]
在二维材料中,过渡金属二硫属化物 (TMD) 因其优异的性能而备受关注。[1,2] TMD 的化学式为 MX 2 ,其中 M 是过渡金属原子(例如 Mo、W),X 代表硫属原子(例如 S、Se、Te)。[2,3] 与其他 TMD 相比,二碲化钼 (MoTe 2 ) 因其工艺可调的同素异形相,即金属 1T' 和半导体 2H 相,最近引起了强烈的研究兴趣。 [4,5] 1T'相具有正交结构,也是获得优异拓扑性质的前兆阶段,并且在单层和多层水平上作为量子自旋霍尔效应的宿主以及在单斜 T d 相中作为原始 1T'相的低温畸变而出现的 II 型 Weyl 半金属态具有特殊的意义。[6,7] 随着厚度的减小,MoTe 2 表现出从间接到直接的带隙跃迁,而其带隙相对其他 TMD 较低 [8,9],范围从块体的 0.8 eV 到单层极限的 1.1 eV。[10] 此外,由于 1T'-MoTe 2 的电导率远高于 2H 相,1T'相在固态电池电极、电化学电容器和氢析出反应方面很有前景。 [11] 另一方面,2H-MoTe 2 由于其带隙小、吸附性强、热导率低等特点,在纳米技术中具有作为二维层状材料的潜力。[10,12] 由于两种同素异形相之间的能量差异很小,MoTe 2 成为研究相变特性的独特模型材料,具有许多相关应用,如微电子领域的二维非挥发性存储器件和忆阻器。[13,14] 此外,由于 2H-MoTe 2 具有高载流子迁移率、光学透明性、薄结构和化学稳定性,它是场效应晶体管、光电子学、储能、化学和生物传感等应用的合适候选材料。[15,16] 作为一种有前途的材料,清晰的理解和可重复的生长方法对于将 MoTe 2 从实验室水平提升到生产水平至关重要。传统上,可以通过机械剥离、物理