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摘要：在密集纳米光子器件上对范德华材料进行原型设计需要高精度单层识别，以避免块体材料污染。我们使用标准干式转移工艺中使用的聚碳酸酯的玻璃化转变温度来绘制一个原位点，以精确拾取二维材料。我们将过渡金属二硫属化物单层转移到大面积氮化硅螺旋波导和氮化硅环形谐振器上，以证明改进的干式转移方法具有高精度无污染的特性。我们改进的局部转移技术是将高质量范德华材料确定性地集成到纳米腔中的必要步骤，以便在高通量、纳米制造兼容平台上探索少光子非线性光学。
范德华材料在纳米光子结构上的高精度局部转移
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