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World File Search System介电层
带有量身定制介电响应的紫外线可固化纳米复合材料
图3-光学照片显示了复合样品的弯曲性和宏观外观（a）。Representative scanning electron microscopy (SEM) images at magnifications of 400x and 5000x of the cross-section of samples PUA0 (b), PUA20_100 (c), PUA40_50 (d), PUA40_100 (e), PUA40_200 (f), PUA60_100 (g), PUA65_100 (h).
使用菠萝叶纤维制造纤维素粉末介电复合材料
菠萝以其美味的味道和营养价值而闻名，以核心，叶子和皮肤的形式产生大量废物，从而导致每年大量的积累。由于其生产的增加和潜在的环境污染，菠萝废物的有效处理已成为一个关键的挑战。本文的目的是通过将菠萝废料衍生成新的介电复合材料来挥发自然纤维。通过使用设计专家软件的优化技术实现了介电复合材料的制造过程，从而导致了值得注意的发现。然后，根据其介电性值和元素组成分析了制造材料的特性。使用矢量网络分析仪（VNA）方法测量新制造的介电材料的介电常数，而其元素组成是使用能量分散性X射线（EDX）光谱进行表征的。在本文中分析了元素组成与新制造的复合材料的介电值之间的相关性。结果，当介电复合材料由76.02％碳和22.61％的氧气组成时，获得了最高的介电常数（4.08）。相反，当材料碳含量降低到69.32％，其氧含量增加到29.81％时，该材料表现出较低的介电率值（2.87）。这种结果强调了碳在吸收和存储电磁信号中的关键作用，从而影响了材料的介电特性。总而言之，本文揭示了用于废菠萝叶的开创性用途，展示了它们的碳含量如何显着影响所得的介电复合材料的介电特性。例如，这种创新的环保材料为电子设备（例如PCB，天线和传感器）中不可回收的介电材料提供了可持续的替代方案。
分散介电和等离子纳米结构中功率耗散的时间域拓扑优化
摘要 - 本文提出了一种基于密度的拓扑处理方案，用于局部优化由损失的分散材料制成的纳米结构中的电力耗散。我们使用复杂偶联的杆子（CCPR）模型，该模型可以准确地对任何线性材料的分散剂进行建模，而无需将它们限制为特定的材料类别。基于CCPR模型，我们在任意分散介质中引入了对电力耗散的时间域度量。CCPR模型通过辅助微分方程（ADE）合并到时域中的麦克斯韦方程中，我们制定了基于梯度的拓扑优化问题，以优化在宽频谱上的耗散。为了估计目标函数梯度，我们使用伴随字段方法，并将伴随系统的离散化和集成到有限差分时间域（FDTD）框架中。使用拓扑优化球形纳米颗粒的示例，由金和硅制成，在可见的 - 粉状谱光谱范围内具有增强的吸收效率。在这种情况下，给出了与基于密度的方法相关的等离子材料拓扑优化的拓扑挑战的详细分析。我们的方法在分散媒体中提供了有效的宽带优化功率耗散的优化。
3D 打印介电透镜可提高天线增益并扩大光束扫描角度
大多数电信和射频传感市场都在向更高性能的无线链路和传感技术迈进。为了实现这些新的吞吐量、延迟、可靠性、无线连接设备数量、可配置性和传感分辨率，从蜂窝电信到军用雷达应用，业界已投入大量资金来使用频谱的更高频率部分。这些努力要求开发更强大的先进/有源天线系统 (AAS) 用于电信，以及有源电子控制天线阵列 (AESA) 用于军事/国防传感和干扰技术。需要在更高频率下使用更复杂的 AAS 来克服与微波和毫米波通信和传感相关的高大气衰减和对准挑战。在大多数情况下，电子可控相控阵天线一直是实现 AAS 的最受探索的解决方案。
柔性CMUT微加工的结构和钝化膜的介电表征
电容性微机械超声传感器（CMUT）技术在过去十年中一直在迅速发展。在制造和集成方面的进步，再加上改进的建模，使CMUT能够进入主流超声成像。与常规技术相比，CMUT超声传感器传达了许多优势，例如大带宽和效率[1]，[2]，易于制造大型阵列和较低的成本。CMUT是一种高电场设备，通过通过充电和分解等问题来控制高电场，可以具有具有优越的带宽和敏感性的超声传感器，可以与电子设备集成并使用传统的集成电路制造技术制造，并具有所有优势。可以使CMUT设备灵活地包裹在圆柱体甚至人体组织上，并且由于使用Su-8 [3]，[4]，[8]或Polyirimide [5]，[8]，所有这些都可能使所有这些可能。在本文中，我们介绍了两种具有基本重要性的电介质材料的电气表征，以制造具有提及的特征的设备：氧化硅（SIO 2）在电荷注入和击穿方面对高电场具有出色的响应，以及具有优化且具有优化结构和
基于锂电池的高介电聚合物和离子液体的固体聚合物电解质
在2.3×10 - 5和1.4×10 - 4 s cm -1之间，具体取决于特定的IL。此外，对于[PMPYRR] [TFSI]样品，获得了最高的锂反式数量为0.71。li/lifepo使用这些SPES在不同C速率下在室温下显示出出色且稳定的电池性能。[PMPYRR] [TFSI]样品达到了最高的排放能力值，分别达到137 mAh.g -1和117 mAh.g -1在C/10和C/2速率，库仑效率高（〜100％）和低容量后，在100个周期后淡出较高的容量。使用P（VDF-TRFE-CFE）允许开发室温固态锂离子电池，并且改进的结果与高聚合物介电常数相关，从而促进了IL离子离子的解离，从而提高了离子迁移率。
环氧树脂/石墨纳米复合材料作为介电树脂具有增强的导热率
抽象机器人在AI中具有特殊的位置，因为机器人与现实世界相连，并且机器人越来越多地出现在人类的日常环境中，从家里到工业。除了案例外，机器人有望完全取代它们，人类将在很大程度上受益于与此类机器人的实际互动。不仅对于像机器人一样的复杂互动场景，在团队中充当指南，同伴或成员，而且还适用于更具预定义的功能，例如人类或商品的自主运输。越来越多的机器人需要合适的接口才能与人类互动，以使人感到舒适，这考虑了对采取行动的一定透明度的需求。本文描述了以人为中心的机器人技术研发（包括口头和非语言互动，彼此了解和学习）以及如果机器人将在我们的日常环境中包括在内，影响人类生活和社会，必须处理的道德问题。
PT对称双曲结构中电磁波的传播
在PT-对称周期性堆栈中电磁波的传播由介电介质分离，这些叠层由具有平衡损耗和增益的介电培养基分隔。确定了pt-对称半导体 - 电介电量堆栈的特征性分散性能的特征频率。考虑了层的损耗/增益水平和层厚度对带谱的演变的影响。在这里我们表明，有效的培养基方法无法充分描述PT-对称超晶体中的传播波。证明了PT-对称双曲系统中各向异性传递共振的存在和高度反射。检查了结构参数和入射角对散射基质的PT-对称性跃迁的影响。
F-CVD系统制备DMDMOS的间隙填充特性和薄膜特性
为了实现大规模集成，在半导体衬底上制造的集成电路需要多层金属互连，以将半导体芯片上的半导体器件的离散层电连接起来。不同层级的互连由各种绝缘层或介电层隔开，这些绝缘层或介电层通过蚀刻孔将一层金属连接到下一层金属。随着特征尺寸的缩小和芯片上晶体管密度的进一步增加，后端铝互连的电阻和寄生电容已成为限制高性能集成电路 (IC) 电路速度的主要因素。1-2) 通过减小绝缘层的厚度，金属线之间的层内和层间电容会增加，因为电容与线之间的间距成反比。随着电容的增加，电阻-电容 (RC) 时间延迟会增加。增加 RC 时间延迟会降低电路的频率响应并增加信号通过电路的传播时间，从而对