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实体瘤的TCR工程T细胞疗法Terahertz低损坏的介电特征...
抽象的常见热塑料，即聚体（PC），聚（PC），聚（甲基丙烯酸甲酯）（PMMA）和丙烯腈丁二烯苯乙烯苯乙烯（ABS）是在新兴的6G连方系统中的潜在应用，可用于微型填充物和汇总fillectronics andastos，并具有潜在的应用。还需要进行更多的脚步应用，例如整个手持设备的包装，子组件和高频温度，而低成本是关键，而长寿命可能不是要求。在这项工作中，我们利用Terahertz时域光谱从500 GHz到2 THz来表征上述每个热塑性的介电特性和损耗切线。所研究的塑料具有低分散体的6G带中的折射率（〜1.6-1.7）。但是，吸收在高频上增加，因为在无序材料中通常会增加，这突出了6G的关键挑战。尽管如此，与（较高索引）玻璃杯和整个频率范围内（较高的）玻璃杯和陶瓷相比，所研究的所有热塑性塑料表现出低损失的性能，这表明它们是未来6G系统所选应用的有希望的候选者。
椭圆形平面对称介电尾场加速结构中偏转力的抑制
基于尾场的加速器能够将梯度加速比现有加速器高两个数量级，为实现紧凑型高能物理仪器和光源提供了一条途径。然而，对于高梯度加速器，由相应较高的横向尾场驱动的光束不稳定性会限制光束质量。此前的理论表明，可以通过将平面对称介电结构中的光束横向尺寸椭圆化来减小横向尾场。我们在此报告实验测量结果，这些测量结果表明平面对称结构中椭圆光束的横向尾场减小，这与理论模型一致。这些结果可能有助于设计出基于千兆伏/米梯度尾场的加速器，以产生并稳定加速高质量光束。
交换耦合介观介观连接钒基-...
摘要：充当潜在量子门的分子多自旋系统需要微调磁相互作用以实现单自旋可寻址性和自旋量子比特的纠缠。我们在此报告一种新的单链钒基-卟啉二聚体的合成，该二聚体结晶为两种不同的伪多晶型。单晶连续波电子顺磁共振研究表明，两个倾斜且可区分的自旋中心之间存在微小但至关重要的各向同性交换相互作用 J ，其数量级为 10 -2 cm -1 。实验和 DFT 研究表明 J 值与卟啉平面倾斜角和扭曲度之间存在相关性。脉冲 EPR 分析表明，两个钒基二聚体保持了单体的相干时间。我们的结果，加上卟啉系统的蒸发性，表明这类二聚体在量子信息处理应用中极具前景。
第二谐波生成用于介电 - 轴向导体堆栈中界面电场的表征
诸如MOSFET，光电探测器，光伏细胞之类的设备的性能受到接口质量的强烈影响，尤其是介电和硅之间。已知通过高介电常数Diélectrics（High-k）对IF的钝化可以改善这些接口的电性能。在用于表征界面质量的方法中，第二次谐波（SHG）的产生是一种基于非线性光学器件的有希望的敏感和非破坏性技术。在偶极近似中，中心分析材料中的SHG响应（例如Si，Al 2 O 3，Sio 2等）为零。因此，SHG响应主要包含与界面相关的信息，其中对称性被打破。此外，在界面处的电场（E DC）存在下，信号得到加固。该现象称为efish（电场诱导的SHG）。由于电界面场与氧化物（Q OX）和/或界面状态（d IT）中的固定载荷相关联，因此SHG技术对这些电参数敏感。本论文的目的是校准SHG响应，以测量与电介质中固定载荷相关的电场。从SHG实验数据中提取电气信息需要考虑光学现象的影响（吸收，干扰等。），这得益于对所研究结构的第二个谐波的响应进行建模/模拟。我们的仿真程序基于我们为多层人士改编的文献的理论模型。实验是在Si（100）上的几层Al 2 O 3上进行的，在可变条件下沉积并且界面质量非常不同。互补的电气技术，例如Corona负载（COCOS）和容量张力测量（C-V）的表征，使得访问样品的电场并完成SHG结果以进行校准。实验和模拟证明了Si介电的单个校准的可能性还讨论了与多层（绝缘体上的硅）等多层表征相关的一些研究元素，特别是对各个接口处存在的层厚度或电场厚度的SHG响应的影响。
实体瘤的TCR工程T细胞疗法 Terahertz低损坏的介电特征...
T细胞工程改变了癌症免疫疗法的景观。嵌合抗原受体T细胞已表现出在血液学中B细胞恶性肿瘤治疗中具有显着的功效。然而，到目前为止，它们对实体瘤的临床影响已经适度。表达工程T细胞受体（TCR-T细胞）的 T细胞代表了有希望的治疗替代方案。 目标库不限于膜蛋白，并且TCR（例如高抗原敏感性和接近生理信号传导）的内在特征可以改善肿瘤细胞的检测和杀伤，同时改善T细胞持久性。 在这篇综述中，我们介绍了针对不同肿瘤抗原家族的TCR-T细胞获得的临床结果。 我们详细介绍了已经开发出来识别和优化TCR候选者的不同方法。 我们还讨论了TCR-T细胞疗法的挑战，包括毒性评估和抗性机制。 最后，我们分享了一些观点，并突出了该领域的未来方向。T细胞代表了有希望的治疗替代方案。目标库不限于膜蛋白，并且TCR（例如高抗原敏感性和接近生理信号传导）的内在特征可以改善肿瘤细胞的检测和杀伤，同时改善T细胞持久性。在这篇综述中，我们介绍了针对不同肿瘤抗原家族的TCR-T细胞获得的临床结果。我们详细介绍了已经开发出来识别和优化TCR候选者的不同方法。我们还讨论了TCR-T细胞疗法的挑战，包括毒性评估和抗性机制。最后，我们分享了一些观点，并突出了该领域的未来方向。
研究论文：超临界流体驱动的无滞后、高性能聚合物电介质有机场效应晶体管
有机场效应晶体管 (OFET) 是有机电子电路的核心单元之一，OFET 的性能在很大程度上取决于其介电层的特性。有机聚合物，如聚乙烯醇 (PVA)，由于其固有的柔韧性和与其他有机成分的天然兼容性，已成为 OFET 备受关注的介电材料。然而，诸如滞后、高亚阈值摆幅和低有效载流子迁移率等不尽人意的问题仍然大大限制了聚合物介电 OFET 在高速、低压柔性有机电路中的实际应用。这项工作开发了一种使用超临界 CO 2 流体 (SCCO 2 ) 处理 PVA 介电体的新方法，以获得性能卓越的聚合物介电 OFET。 SCCO 2 处理可以完全消除 OFET 传输特性中的滞后现象，同时还可以显著降低器件亚阈值斜率至 0.25 V/dec，并将饱和区载流子迁移率提高至 30.2 cm 2 V − 1 s − 1 ，这两个数字对于柔性聚合物电介质 OFET 来说都是非常可观的。进一步证明，与有机发光二极管 (OLED) 耦合后，SCCO 2 处理的 OFET 能够在快速开关速度下运行良好，这表明通过这种 SCCO 2 方法可以实现聚合物电介质 OFET 的优异开关行为。考虑到 OFET 的广泛和重要应用，我们预见这种 SCCO 2 技术将在有机电子领域具有非常广泛的应用，尤其是对于高刷新率和低压柔性显示设备。
不同的温度泄漏机制（al
（Al 2 O 3）X（HFO 2）具有不同组合物的1-X膜通过血浆增强的原子层沉积（PEALD）沉积在硅底物上，并制造了金属氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物层沉积物（MOS）电容器。通过电气测量检查了不同诱导的Al含量对HFO 2介电特性的影响。结果表明，增加的含量增加了平坦的电压，降低了界面状态密度（D IT），并显着降低了给定电压下的泄漏电流。此外，室温I-V测量值表明Schottky发射（〜0.8-4.8 mV/cm），Poole-Frenkel（PF）发射（〜4.8-7.3 mV/cm）和Fowler-Nordheim（FN）（FN）隧道（〜7.3-8.3 mV/cm）是众多机制。在较高的温度（75–100°C）下，富含AL的样品（50-100％）的泄漏机制从FN隧道转移到高电场的PF发射（〜3.3-6.87 mV/cm）。使用X射线光电子光谱（XPS）和紫外线（UV）分光光度法表征膜的组成和能带对准，表明将Al引入HFO 2会增加带盖，从而增加了介电常数，可减少介电常数，并显着降低氧气空间。因此，进一步证明，具有适当含量的HFO 2膜可以有效地增强介电特性并调整介电层的材料参数。
通过间隔者有效控制细丝效率...
基于电阻转换（RS）效应的非挥发性存储设备由于其出色的特征性（例如良好的尺寸可伸缩性和较小的操作电压）而被认为是未来内存应用的最有前途的技术。RS效应基于在涂在电极上的电压下安装在金属电极之间的介电膜中的导电膜（CF）的生长[1，2]。虽然HFO 2是重新拉统设备的最广泛研究的电介质之一[3]，但交替分层的纳米材料引起了人们的兴趣[4]，因为筛选了介电层最适当的材料组合是Reram Fabrication的介电层的最佳组合。在以前进行的几项作品中，HFO 2 -AL 2 O 3纤维与单个HFO 2和Al 2 O 3薄膜相比，已经证明了高级RS特性。电阻开关行为已在Al 2 O 3 / HFO 2 BiLayer [5，6，7]，Al 2 O 3 / HFO 2 / Al 2 O 3 Trilayer [4，7]和Pentalayer [7]结构Ald -Grown在225-250°C处，总厚度达到20 nm。在另一项研究中，Al 2 O 3 / HFO 2 / Al 2 O 3在150ºC下生长的三层，厚度为12 nm，能够证明多级切换特性[8]。周期性的HFO 2 -AL 2 O 3多层含有等量的HF和Al在250ºC时的厚度为6.5 nm [9]。然而，在后一项研究中，没有发现成分层的厚度。hf x al 1 - x o y纤维在240ºC下生长，分级填充，从而从9：1到1：4 [10]变化了HFO 2：Al 2 O 3 ALD循环比率。另一项研究表明，HFO 2 -AL 2 O 3双层的30 nm厚的纳米胺由1.2
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在本项目中，我们研究了在半活性自适应结构中使用可变刚度/可变强度结构元素的使用，采用双重方法来实现概率。在由NFP 62资助的项目中，我们研究了介电材料，以实施多层结构的静电层压，在一个并行项目中，由ETH的结构技术中心资助，我们已经确定了上述结构概念，这些结构概念可以利用上述元素来实现新的和有用的功能，以实现新的和有用的结构，并将其与特定的机翼结构相关联。这两个平行项目的努力是从相当早的阶段进行了协调的，旨在在高性能，轻质结构的结构演示者中实施电键粘合层压板（EBL的目的）。本项目的第一个成就是对与当前应用相关的聚合物膜的性质的详细研究：介电常数，介电强度和体积电阻率。这第一步是决定性地研究介电材料的框架，以便为其用于EBL应用的资格，这是决定性的。也很快就清楚了，也从对介电材料进行的研究也很快，即使在该项目的范围中包括材料合成，也不太可能实现介电强度和介电常数的同时增加。这些发现的相关性远远超出了用于EBL应用的电介质的优化。我们的注意力很快就针对对分层介质的调查，基于溶液的调查，通过其他小组的观察来证实，由其他群体进行的观察结果证实，由多层组成的电介质会提供介电强度的介电功能，而不是在材料和应有的材料中造成的材料不可避免地会导致一个不可避免的介绍性，并且是否会增加材料的范围，并且应有的可能性 - 应有的可能性，而应有的可能性，那么它是应有的，如果是应有的含量，那么它是不可避免的。用于制备多层介电。关于材料有效介电特性的问题很快就会出现，并且在项目的第一阶段获得的高近DC领域的介电和绝缘材料的知识清楚地表明，该材料的教科书近似是无限量电阻的完美介电性，这将无法适当地表示问题。因此，开发并通过实验验证了多层膜的介电响应的模型，该模型也考虑了组件的有限体积抵抗力。开发的分析模型代表了优化高能介电膜以不同频率应用的高能介电膜的基础。高压直流电网的未来开发将需要开发可靠的固体绝缘材料。多层电介质可以很好地代表一类有趣的介电和绝缘元素。此类投资从未在此细节上进行。结果也相对于此外，显然需要有效地撞击多层绝缘层层上静电场层的理解，这显然是必要的，以了解导致高场上此类材料系统失败的机制。在项目的最后一部分中，详细研究了EBL元素的机械性能，该元素与与项目结构分支的合作框架中所设想的结构应用有关的负载案例进行了详细研究。
坚固的 Si/Ge 异质结构超表面作为波长选择性光电探测器的构建块
由亚波长大小的金属或介电纳米结构二维排列组成的光学超表面可用于操纵亚波长厚度层的光特性。1–4 光学超表面被认为是完美的 5 和选择性 5,6 吸收器和透镜。7 光学超表面的可能应用包括与 CMOS 图像传感器结合用作滤波器 8 或用作生物传感器的构建块。9,10 相比之下，很少有人尝试将超表面直接整合到光电器件中，并利用其波长选择性和偏振选择性等特性。金属超表面已与体光电探测器相结合，用于光电流增强和传感。11,12 介电超表面已被构造到体 Si 和 Ge 光电二极管的顶层，以增强宽带响应度。13