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World File Search System介电膜
环氧树脂/石墨纳米复合材料作为介电树脂具有增强的导热率
抽象机器人在AI中具有特殊的位置，因为机器人与现实世界相连，并且机器人越来越多地出现在人类的日常环境中，从家里到工业。除了案例外，机器人有望完全取代它们，人类将在很大程度上受益于与此类机器人的实际互动。不仅对于像机器人一样的复杂互动场景，在团队中充当指南，同伴或成员，而且还适用于更具预定义的功能，例如人类或商品的自主运输。越来越多的机器人需要合适的接口才能与人类互动，以使人感到舒适，这考虑了对采取行动的一定透明度的需求。本文描述了以人为中心的机器人技术研发（包括口头和非语言互动，彼此了解和学习）以及如果机器人将在我们的日常环境中包括在内，影响人类生活和社会，必须处理的道德问题。
反铁电氧化物膜中的尺寸诱导铁电性
尽管对铁电体的尺寸效应进行了广泛的研究，但是反铁电体的结构和特性在尺寸减小的情况下如何演变仍然难以捉摸。鉴于反铁电体在高能量密度存储应用方面具有巨大潜力，了解它们的尺寸效应将为优化小尺度器件性能提供关键信息。本文研究了无铅 NaNbO 3 膜中反铁电性的基本本征尺寸依赖性。通过广泛的实验和理论方法，探究了膜厚度减小后有趣的反铁电到铁电的转变。这种尺寸效应导致 40 nm 以下的铁电单相，以及在此临界厚度以上铁电和反铁电序共存的混合相状态。此外，结果表明反铁电和铁电序是电可切换的。第一性原理计算进一步表明，观察到的转变是由膜表面引起的结构扭曲驱动的。这项工作为反铁电体中内在尺寸驱动的缩放提供了直接的实验证据，并展示了利用尺寸效应通过膜平台驱动环境无铅氧化物中的突发特性的巨大潜力。
Kohoku Kogyo Co。，Ltd
通过与铝电解电容器的铝箔成分相似的方式在铅末端的表面上应用氧化物膜处理，铅末端也起着介电功能，并有助于铝电解电容器的容量扩展。由于氧化物膜区域的高成形特征和高精度，它也有助于铝电解电容器的产量提高。
单一 Al2O3 或 HfO2 单一介电层及其纳米层系统的比较
纳米层压膜是由不同材料交替层组成的复合膜 [1]。这些多层纳米结构因能够调整其机械或物理性质以用于各种特定应用而备受关注。例如，在微电子领域，人们考虑将其用作介电绝缘体 [2,3]。事实上，人们现正致力于制备具有高介电常数和良好化学/热稳定性的多组分体系。特别是 Al 2 O 3 -HfO 2 纳米层压膜似乎是最有前途的体系，可用于硅基微电子器件 [4-9] 以及下一代电力电子器件 [10-15]。能够充分利用 Al 2 O 3 和 HfO 2 单一材料的最合适性质，促使人们研究将它们组合成层压体系。实际上，众所周知，Al 2 O 3 具有极其优异的化学稳定性和热稳定性、大的带隙（约 9 eV）、与不同半导体衬底的带偏移大，但其生长会形成高的氧化物陷阱电荷密度，但其介电常数值并不高（约 9）[16]。对于 HfO 2 介电氧化物，虽然可以实现相当高的介电常数值（约 25），但由于其在相对较低的温度（约 500°C）下从非晶态转变为单斜晶态，因此可靠性较低，并且由于其带隙很小（5.5 eV）所以漏电流密度高[16]。在这种情况下，由两种 Al 2 O 3 -HfO 2 高 k 氧化物组成的纳米层状结构是提高热稳定性和维持高介电常数值的有前途的解决方案。
用于微波微流体电路和天线的流体和聚合物的介电谱
引言：液体电介质和绝缘聚合物是柔性电子器件的组成部分[1]–[4]。此外，微流体与微电子技术的集成为高频电子系统开辟了新的研究和开发领域。例如，过去十年来，许多研究都展示了通过流体调节天线输出频率、辐射方向图和极化的方法[5]–[14]。人们还利用流体研究了微波元件的频率调谐，包括滤波器[15]，[16]、移相器[17]，[18]、功率分配器[19]，[20]和振荡器[21]。尽管前文提到流体电子学方面的研究成果日益增多，但关于用于实现这些系统的各种电介质流体和聚合物化合物的介电常数的公开数据却非常有限。在缺乏此类数据的情况下，研究人员通常依靠在某一频率下收集的介电常数数据来近似其设备在其他频率下的响应。直到最近，才开始出现关于感兴趣的介电流体宽带响应的介电光谱研究[22]。在本文中，我们报告了宽带复介电常数
在介电和电子应用中合成化学修饰的纳米材料的最新发展
抽象聚合物纳米复合材料（PNC）由于其在储能，电子，生物传感，药物输送，化妆品和包装行业中的应用而吸引了巨大的科学和技术兴趣。纳米材料（血小板，纤维，球体，晶须，杆）构成了这种PNC。聚合物基质中无机纳米材料的分散程度以及纳米材料的结构化排列是纳米复合材料总体性能的一些关键因素。为此，纳米材料的表面功能化决定了其在聚合物基质中的分散状态。用于储能和电子产品，这些纳米材料通常用于其介电特性以增强设备应用的性能。尽管已经报道了有关纳米材料表面修饰的几次评论，但目前缺乏与聚合物介质有关的纳米材料表面功能化的综述。本综述总结了重要的金属氧化物介电纳米材料的表面修饰的最新发展，包括二氧化硅（SIO 2），二氧化钛（TIO 2），钛盐（Batio 3）（Batio 3）（Batio 3）和氧化铝（Al 2 O 3）（Al 2 O 3），例如化学药品，例如silanes，silanes，silanes，silanic，phosphonic，phosphonic，phosphonic and phosphicam and phosphicam and phosphonic and phosphonic and phosphicam and phosphonic and phosphonic and phosphonic。我们报告了纳米材料的化学修饰对纳米复合材料的介电性能（介电常数，分解强度和能量密度）的影响。除了使新手和专家在聚合物介电纳米复合材料的领域加快速度外，此综述还将作为选择适当化学剂的智力资源，用于将纳米材料功能化，以在特定聚合物矩阵中使用，从而潜在地调整了纳米复合材料的精细性能。
用于电子应用的新型气相沉积介电聚合物薄膜
摘要。从电缆绝缘到先进电子设备，介电材料在众多应用中都备受关注。设备小型化的新趋势使得对能够精确生产纳米级介电薄膜的需求不断增加。此外，通常还需要特殊的机械性能，例如在柔性有机电子领域。聚合物是此目的的首选材料。然而，通过湿化学方法生产具有低缺陷密度且不含残留溶剂等的精确纳米级薄膜极其困难。引发化学气相沉积 (iCVD) 是一种无溶剂聚合物薄膜沉积工艺，可用于生产具有纳米级控制的高质量介电薄膜，从而避免了这些问题。这项工作通过一些新的 iCVD 应用示例展示了 iCVD 工艺在电气应用领域的多功能性。例如，通过在柱状氧化锌 (ZnO:Fe) 气体传感结构上添加疏水性有机硅氧烷薄膜，乙醇到氢气的选择性发生了变化，并且在高湿度水平下的性能也得到了改善。因此，改进后的传感器可用于潮湿环境，尤其是用于呼吸测试，这可以通过尖端的非侵入性方法诊断某些疾病。
硅介电层不同钝化参数的电容电压曲线模拟
摘要：表面钝化是一种广泛使用的技术，可减少半导体表面的复合损失。钝化层性能主要可以通过两个参数来表征：固定电荷密度（𝑄ox）和界面陷阱密度（𝐷it），它们可以从电容-电压测量（CV）中提取。在本文中，使用模拟钝化参数开发了高频电容-电压（HF-CV）曲线的模拟，以检查测量结果的可靠性。𝐷it 由两组不同的函数建模：首先，代表不同悬空键类型的高斯函数之和和应变键的指数尾部。其次，采用了由指数尾部和常数值函数之和表示的更简单的 U 形模型。使用基于晶体硅上的二氧化硅（SiO 2 /c-Si）的参考样品的实验测量来验证这些模拟。此外，还提出了一种使用简单 U 形 𝐷 it 模型拟合 HF-CV 曲线的方法。通过比较近似值和实验提取的 𝐷 it 的平均值，发现相对误差小于 0.4%。近似 𝐷 it 的常数函数表示在复合效率最高的中隙能量附近实验提取的 𝐷 it 的平均值。
纳米技术 - 产品 upm
创新点包括材料的组成、制备方法以及一种用于增强天线性能的丝网印刷柔性贴片天线的制备方法，其中含有铁氧体厚膜。事实证明，通过在基板和导电贴片之间添加铁氧体厚膜，铁氧体厚膜的介电和磁性可以增强天线的功率损耗和带宽，这对天线性能至关重要。该创新还独立于贴片天线的设计，让客户可以自由使用自己的定制设计/系统。
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在本项目中，我们研究了在半活性自适应结构中使用可变刚度/可变强度结构元素的使用，采用双重方法来实现概率。在由NFP 62资助的项目中，我们研究了介电材料，以实施多层结构的静电层压，在一个并行项目中，由ETH的结构技术中心资助，我们已经确定了上述结构概念，这些结构概念可以利用上述元素来实现新的和有用的功能，以实现新的和有用的结构，并将其与特定的机翼结构相关联。这两个平行项目的努力是从相当早的阶段进行了协调的，旨在在高性能，轻质结构的结构演示者中实施电键粘合层压板（EBL的目的）。本项目的第一个成就是对与当前应用相关的聚合物膜的性质的详细研究：介电常数，介电强度和体积电阻率。这第一步是决定性地研究介电材料的框架，以便为其用于EBL应用的资格，这是决定性的。也很快就清楚了，也从对介电材料进行的研究也很快，即使在该项目的范围中包括材料合成，也不太可能实现介电强度和介电常数的同时增加。这些发现的相关性远远超出了用于EBL应用的电介质的优化。我们的注意力很快就针对对分层介质的调查，基于溶液的调查，通过其他小组的观察来证实，由其他群体进行的观察结果证实，由多层组成的电介质会提供介电强度的介电功能，而不是在材料和应有的材料中造成的材料不可避免地会导致一个不可避免的介绍性，并且是否会增加材料的范围，并且应有的可能性 - 应有的可能性，而应有的可能性，那么它是应有的，如果是应有的含量，那么它是不可避免的。用于制备多层介电。关于材料有效介电特性的问题很快就会出现，并且在项目的第一阶段获得的高近DC领域的介电和绝缘材料的知识清楚地表明，该材料的教科书近似是无限量电阻的完美介电性，这将无法适当地表示问题。因此，开发并通过实验验证了多层膜的介电响应的模型，该模型也考虑了组件的有限体积抵抗力。开发的分析模型代表了优化高能介电膜以不同频率应用的高能介电膜的基础。高压直流电网的未来开发将需要开发可靠的固体绝缘材料。多层电介质可以很好地代表一类有趣的介电和绝缘元素。此类投资从未在此细节上进行。结果也相对于此外，显然需要有效地撞击多层绝缘层层上静电场层的理解，这显然是必要的，以了解导致高场上此类材料系统失败的机制。在项目的最后一部分中，详细研究了EBL元素的机械性能，该元素与与项目结构分支的合作框架中所设想的结构应用有关的负载案例进行了详细研究。