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World File Search System位错密度
欧洲材料力学会议摘要集
预先存在的位错对极小尺度上金强度的影响 - 使用 EBSD 数据表征纳米压痕之前的局部位错密度，Paula Guglielmi 等人。.......................................................................................................................................................................................................................................... ........................................................................................................................................................................................................................ ........................................................................................................................................................................................................................ ........................................................................................................................................................................................................ 96
非极性分子的快速时间尺度光谱扩散减少...
然而，氮化物点的发射线通常不均匀地加宽，与其寿命极限相比至少加宽 100 倍，10,11 这最终限制了它们的不可区分性。加宽是由光谱扩散引起的，光谱扩散是由点附近的电荷载流子的捕获和释放产生的，从而产生了变化的局部电场。通过量子限制斯塔克效应 (QCSE)，这导致点的发射能量发生变化。这种效应对氮化物 QDs 比对砷化物 QDs 更强，因为首先氮化物材料的强极性导致氮化物 QDs 中的激子具有较大的永久偶极子，从而增加了与静电环境的耦合并放大了光谱扩散的强度。 12 其次，与砷化物点相比，氮化物点的生长方法改进时间较短，而且它们还表现出更高的点缺陷和位错密度，这些缺陷和位错密度可以充当载流子的陷阱。13–15 光谱扩散是氮化物点产生高度不可区分的光子的最大障碍，因为
定量评估依赖性含量密度 -
随着电子设备和组件的变化比以往任何时候，杂项外延半导体的尺寸越来越小（Moore，1965）。对于小型设备，异性外延结构中的位错和晶格不匹配等缺陷对设备的整体性能显着影响。尤其是主要缺陷，位错在外延层的生长和特性中起主要作用（Wagner，1998）。因此，量化错位分布并评估外延层中的脱位密度很重要。详细的位错密度数据，其中外延层的生长将为异核外延结构提供脱位效应。始终寻求许多杂种外延半导体，以提高设备的性能和高产量的产量。根据这种需求，量错密度的量化对于未来半导体的发展至关重要。
根据沉积温度确定 Cu3N 质量
氮化铜（Cu3N）是一种在微电子和可再生能源领域有良好应用前景的材料，其质量在很大程度上取决于沉积条件，其中温度是一个关键参数。本研究采用反应溅射技术在环境温度至 300°C 的温度下沉积 Cu3N 薄膜。通过 XRD、VIS-NIR 光谱法和霍尔效应测量评估了薄膜的结构、光学和电学特性。为了确定薄膜的质量，使用了三个关键指标：位错密度、Urbach能量和载流子迁移率，这项工作的主要目标是在不损害材料化学完整性的情况下找到这些指标的最佳值，因为特性表明，在高温下，结构和电学变化表明Cu3N部分分解为金属铜。
金属材料中错位密度的实验测量：测量技术之间的定量比较（XRD，R-ECCI，HR-EBSD，TEM）
脱位密度。那些不同的方法不观察到相同类型的位错，即统计存储的位错（SSD）和/或几何必需的脱位（GND）。有些是直接测量技术，例如ECCI和TEM成像，而其他是非方向方法，即HR-EBSD和XRD测量。因此，提出了使用这四种技术在未变形和变形的双链钢上获得的测量值的定量比较。对于低变形，位错密度很小（成像方法相当性能，而XRD 1- 5×10 13 m - 2），测量值的不确定性水平高。HR-EBSD测量结果表明，结果与这些变形水平的其他方法非常吻合。对于较高的变形水平（上面的脱位密度），成像方法不再相关，因此1 - 3×10 14 m - 2
通过静电纺丝
al。报道说，与TIO 2的68 pm相比，银离子的半径较大130 pm，因此Ag颗粒保留在表面，从而阻止了相变[18]。随着AG浓度的增加，位错密度也会增加。脱位密度可以通过使用公式σ= 1/d2线/NM2确定。在图5中，衍射峰在25.63°，44.54°，64.79°和77.96°上分别对应于（101），（002），（312）和（103）的平面，这代表了钛群的养育酶阶段的形成。分别在38.29°和47.6°下看到金红石相的峰值，这与（211）和（303）（PDF编号01-083-2243）相关。在77.76O和82.19O处金属银的图5-D衍射峰中，并用（022）和（222）的晶体平面生产，这些峰通过（PDF Number 01-073-1774）证实。
热处理对引线键合功率模块寿命的影响
功率模块中的引线键合是封装中最薄弱的环节之一，通常会导致整个功率模块故障。与 CTE 不匹配相关的引线键合中的热机械应力会导致裂纹扩散到键合界面附近的区域。在本文中，键合过程后的扫描电子显微镜 (SEM) 分析清楚地显示了引线和芯片金属化界面附近的小晶粒和不同的纹理。为了提高引线键合的可靠性，建议在功率模块制造后进行热处理。热处理通过增加晶粒尺寸、降低位错密度和合并引线和金属化的晶粒，对键合区域产生积极影响。此外，已进行的功率循环显示，与由未经处理的相同（交付时）功率 IGBT 模块组成的参考产品相比，经过热处理的功率模块的使用寿命有所增加。
用于增材制造的沉淀硬化不锈钢的基因设计
介绍了一种用于增材制造 (AM) 的沉淀硬化 (PH) 不锈钢 (SS) 设计的遗传算法。研究发现，完全马氏体基体是实现最大强度的关键因素，但与早期研究不同的是，还考虑了 AM 独有的原位时效处理，从而促进了 AM 过程中富铜沉淀物的沉淀。将设计理论集成到遗传算法优化框架中，以最大限度地提高强度和可打印性。通过使用激光粉末床熔合 (LPBF) AM 制造新型合金部件，进行了实验概念验证，并将其与商业 LPBFed 17-4 PH SS 进行了比较。结果与设计策略目标一致。设计合金的优异机械性能主要归因于两个因素的结合：沉淀硬化和位错强化。沉淀硬化是提高 LPBF 新型 PH SS 屈服强度的主要原因，其原因是打印过程中位错增殖和湮没导致基体位错密度升高。
引用（APA）Stehouwer，L。E. A.，Tosato，A.，Degli Esposti，D.，Costa，D.，Veldhorst，M.，Sammak，A。，＆Scabpucci，G。（2023）。
我们通过在100 mm ge晶片上减少压力化学蒸气沉积来生长紧张的GE/SIGE异质结构。将GE晶片用作外部延长的底物可以使高质量的GE富含SIGE应变 - 释放的缓冲液具有螺纹位错密度为ð66 6 61Þ10 5 cm 2，与SI Wafers上的控制应变缓冲区相比，几乎是一个数量级的改善。相关的短距离散射的减少可以极大地改善二维孔气体的疾病性能，该特性在几个GE/SIGE异质结构领域效应的晶体管中测量。We measure an average low percolation density of ð 1 : 22 6 0 : 03 Þ 10 10 cm 2 and an average maximum mobility of ð 3 : 4 6 0 : 1 Þ 10 6 cm 2 = Vs and quantum mobility of ð 8 : 4 6 0 : 5 Þ 10 4 cm 2 = Vs when the hole density in the quantum well is satu- rated to ð 1 : 65 6 0 : 02 Þ 10 11 cm 2 。我们预计，这些异质结构即时应用于下一代，高性能的GE旋转量，并将其集成到更大的量子处理器中。
利用 3d 纳米尺度应变映射技术对卤化物钙钛矿中光诱导位错迁移进行成像
近年来，卤化物钙钛矿材料已用于制造高性能太阳能电池和发光装置。然而，材料缺陷仍然限制了器件的性能和稳定性。在这里，基于同步加速器的布拉格相干衍射成像用于可视化卤化物钙钛矿微晶体中的纳米级应变场，例如缺陷局部的应变场。尽管 MAPbBr 3 (MA = CH 3 NH 3 + ) 晶体具有很高的光电质量，但其内部存在明显的应变异质性，并且通过分析其局部应变场可以识别出〈100〉和〈110〉刃位错。通过在连续照明下对这些缺陷和应变场进行原位成像，发现了数百纳米范围内剧烈的光诱导位错迁移。此外，通过选择性研究被 X 射线束损坏的晶体，较大的位错密度和增加的纳米级应变与材料降解和使用光致发光显微镜测量评估的显著改变的光电特性相关。这些结果证明了卤化物钙钛矿中扩展缺陷和应变的动态性质，这将对设备性能和操作稳定性产生重要影响。