机构名称：
¥ 1.0
氮化铜（Cu3N）是一种在微电子和可再生能源领域有良好应用前景的材料，其质量在很大程度上取决于沉积条件，其中温度是一个关键参数。本研究采用反应溅射技术在环境温度至 300°C 的温度下沉积 Cu3N 薄膜。通过 XRD、VIS-NIR 光谱法和霍尔效应测量评估了薄膜的结构、光学和电学特性。为了确定薄膜的质量，使用了三个关键指标：位错密度、Urbach能量和载流子迁移率，这项工作的主要目标是在不损害材料化学完整性的情况下找到这些指标的最佳值，因为特性表明，在高温下，结构和电学变化表明Cu3N部分分解为金属铜。
根据沉积温度确定 Cu3N 质量
主要关键词
相关文件推荐
