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World File Search System光致发光
壳层生长、原子修饰及其他 - NSF-PAR
摘要：量子点因其明亮、尺寸可调的发光特性而被应用于研究实验室和商业应用中。虽然经验合成和工艺优化已使许多量子点系统的光致发光量子产率达到或接近 100%，但我们对这种性能背后的化学原理的理解以及我们按需获取此类材料的能力却落后了。在本期观点中，我们介绍了我们对表面化学和量子点发光之间联系的理解现状。我们遵循从壳层生长开始的历史弧线，然后导致对表面衍生电荷捕获的原子描述，最终使我们对表面化学在发光特性中的作用有了更细致的了解，包括表面偶极子和振动电子耦合等新兴概念。F
通过控制衬底偏离角来改善垂直 GaN-on-GaN 功率开关器件的晶圆级均匀性
2 法政大学 关键词：GaN-on-GaN、肖特基势垒二极管、均匀性、光致发光、功率器件 摘要 为了大规模生产 GaN-on-GaN 垂直功率器件，n 漂移层在 10 15 cm 3 范围内的净施主浓度 ND NA 的晶圆级均匀性是一个重要因素，因为它决定了击穿电压 VB 。在本研究中，我们通过控制 GaN 衬底的偏角展示了 GaN 肖特基势垒二极管晶圆级均匀性的改善。通过 MOVPE 在具有各种偏角和偏差的独立 GaN 衬底上生长外延结构。使用电容电压测量（C V）、光致发光（PL）和二次离子质谱（SIMS）仔细分析了 ND NA 的变化。与碳有关的NA变化导致了NDNA的不均匀性，而这与晶圆的衬底偏角有关。通过最小化偏角的变化可以提高NDNA的均匀性。引言在GaN衬底上制造的垂直结构GaN功率开关器件对于高效功率转换系统很有前景，因为这些器件提供极低的导通电阻（R on）和高击穿电压（VB）[1-3]。减少对器件成品率和可靠性致命的致命缺陷是一个重要问题。GaN-on-GaN二极管初始故障机理已有报道[4]，其中具有外延坑的二极管在非常低的反向电压下表现出严重击穿。此外，最近有报道称表面粗糙度会影响可靠性[5]。在使用金属有机 (MO) 源引入碳 (C) 杂质时，n 漂移层中的净施主浓度必须控制在 10 15 cm3 范围内才能获得高 VB [6]。通过低施主含量，可以在负偏置条件下抑制 pn 或肖特基界面处的峰值电场 [7, 8]。然而，关于垂直 GaN-on-GaN 器件中净施主浓度的晶圆级均匀性的报道很少。
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§近场成像：在包括拓扑绝缘子和黑色磷（包括拓扑绝缘子和黑磷）中研究远红外极性子。她已经开发了基于THZ量子级联激光器（单模，随机，频率梳）的新型近场成像方法，可实现用于台式源的记录频谱覆盖率（不是基于FEL或同步器），从而使精液的进步使THZ表面波浪理解。§超快光谱：研究石墨烯的光学特性，半导体的二维晶体及其范德华异质结构，以及最近的非线性介电元面。她已经开发了最新的设置，用于瞬时吸收，时间分辨的光致发光，时间分辨的法拉第旋转，时间撤销的圆形二色性和时间分辨的第二谐波产生。
露出表面状态 - 含碳 - 碳 - ...
掺杂氮的碳量子点是通过一步大气压微质量工艺合成的。使用一系列的光学和化学测量以及通过理论计算来研究观察到的光致发光发射及其与氮掺杂的关系。氮掺杂到核心和氧基团的表面状态的功能化产生了杂种结构，该结构造成了量子的发光量高达33％。载体乘积被视为量子产率中的阶梯状增强。对可见光发射的分析表明，发射的大部分源自表面状态，而不是由于量子点核心内的重组而引起的。表面官能团的作用在确定光学特性中的量子确定性上是主要的。©2021作者。由Elsevier Ltd.这是CC下的开放访问文章（http://creativecommons.org/licenses/4.0/）。
烷基-p 功能分子液体的定向组装
摘要 p 共轭分子的受控自组装是一种被广泛接受的优化有机光电子性能的方法。特别是，定向组装可在外部刺激下提供精确组织的 p 共轭单元。支链烷基链的连接不仅调节这些组装过程，而且还隔离 p 核心，如在烷基-p 功能分子液体 (FML) 中观察到的那样。本综述重点介绍了烷基-p FML 的最新进展、其分子设计原理以及通过化学添加剂和物理刺激实现其定向组装的方法。它还介绍了烷基-p FML 中无序到有序的转变如何导致光致发光改变以及这些刺激驱动的组装结构的其他固有优势，这些结构构成了刺激响应软材料领域的新范式及其在软电子学中的应用。
10根据化学沉积时间
cds薄膜是通过化学沉积在玻璃基材上制备的，以便在薄膜光电接种者中作为缓冲层的潜在用途。使用X射线相分析和拉曼光谱法，确定在最佳技术条件下合成的CD膜在六边形的wurtzite结构中结晶。已经表明，沉积时间会影响合成材料的生长速率，形态和微观结构特征。随着在给定溶液温度下的沉积时间的增加，观察到表面粗糙度的显着降低，伴随着晶体簇和微结构缺陷的大小减少。CD膜的光节间隙为2.53 - 2.57 eV。光致发光光谱中明显的绿色发射带的存在表明CD膜具有高度的结晶度，最小的缺陷密度。
溶液处理的2D材料的传导调制
解决方案处理的2D材料对其可扩展应用有望。但是，通过离散网络通过离散网络的解决方案处理的纳米量和较差的渗透性传导的随机，零散的性质限制了启用设备的性能。为了克服该问题，通过Stark效应报告了解决方案处理的2D材料的传导调节。以液相去角质的钼二硫化（MOS 2）为例，从界面界面的局部领域证明了以> 10 5为> 10 5的非线性传导切换（VDF-TRFE）。通过密度功能理论的计算以及原位拉曼散射和光致发光光谱分析，该调制是由溶液处理的MOS 2中的电荷重新分布引起的。超过MOS 2，可以显示其他溶液处理的2D材料和低维材料的有效。调制可以打开其电子设备应用，例如，薄膜非线性电子和非挥发性记忆。
超不可压缩和可回收材料的合成...
具有 CN 4 四面体三维骨架的碳氮化物是材料科学的伟大梦想之一，预计其硬度将高于或与金刚石相当。经过 30 多年的努力，仍然没有提供其存在的确凿证据。本文报道了在激光加热的金刚石压砧中高压高温合成三种碳氮化合物 tI 14-C 3 N 4 、hP 126-C 3 N 4 和 tI 24-CN 2 。利用同步加速器单晶 X 射线衍射解析和细化它们的结构。物理性质研究表明，这些强共价键合的材料具有超不可压缩和超硬的特性，还具有高能量密度、压电和光致发光特性。新型碳氮化物在高压材料中是独一无二的，因为它们是在 100 GPa 以上产生的，并且可以在环境条件下在空气中回收。
钕（III）掺杂的 Y3Al2Ga3O12 石榴石用于多用途比率测温：从低温到高温传感
通过固相反应制备了 Nd 3 + 掺杂的 Y 3 Al 2 Ga 3 O 12 石榴石陶瓷颗粒，并以此为原型研究 Nd 3 + 激活石榴石荧光粉作为低温和高温范围玻尔兹曼温度计的潜力。尽管近红外发射 Nd 3 + 激活荧光粉通常用于生物应用，但它们的实际用途受到生理温度范围内低灵敏度的阻碍。相反，100 800 K 范围内的光致发光分析在低温和高温范围内都表现出有趣的性能。事实上，通过利用 4 F 3 / 2 的斯塔克能级（Z 能级）以及 4 F 5 / 2 和 4 F 3 / 2 激发态的发射率，可以在同一材料中构建两个可靠的玻尔兹曼温度计，分别在低温范围（100 220 K）和高温（300 800 K）下工作。
适用于色彩转换层和 LED 应用的高质量喷墨印刷发射纳米晶钙钛矿 CsPbBr3 层
相比之下，最近人们已使用基于 MHP 且不需要光刻的技术来生产大面积、高效且低成本的光电子器件和太阳能电池。[8] MHP 尤其适合用溶液处理法，因为它们易于在低温下合成、对缺陷具有耐受性、吸收能力强、在可见光和近红外范围内可调谐带隙能量、光致发光量子产率 (PLQY) 高、发射峰窄、传输特性好、非辐射复合中心密度低。[9–13] 例如，文献中已报道了高效的钙钛矿发光二极管 (PeLED)[2,14–17]，其发射波长在可见光范围内。 2014 年报道的第一款 PeLED 的外部量子效率 (EQE) 约为 0.1%（混合甲基铵溴化铅，MAPbBr3）[18]，其发展速度极快，迄今为止报道的 EQE 已超过 21%，可与最先进的 OLED 相媲美。[2,19]