光学性质的精确知识,特别是折射率的折射率,即折射率/无机钙钛矿,对于推动从这些材料开发的当前pho-to-to-To-To-To-To-To-To-To-To-To-To-To伏设备的性能至关重要。在这里,我们显示了一种可靠的方法,用于确定Mapbbr3薄膜折射率的真实和假想部分和具有平面几何形状的千分尺尺寸的单晶。同时拟合,光发光和光致发光光谱向理论模型明确定义了折射率和晶体厚度。由于该方法依赖于在这些微观结构中发生的光学共振现象,因此它可用于进一步从钙钛矿或其他光学材料中发展出光学微腔。
抽象2D铁电/石墨烯异质结构是通过机械去角质制造的,横穿异质结构界面的载体动力学已通过拉曼,光致发光和瞬态吸收测量值进行了系统地研究。由于有效的界面照片激发电子传递和捕获孔的光吸收效果,异质结构设备显示出卓越的性能,最大响应性为2.12×10 4 A/W,在λ= 532 nm laseer Illumuminention下,探测率为1.73×10 14 jones和快速响应时间(241 µS)。此外,还研究了受铁电化场影响的照片反应。我们的工作确认铁电β-inse/石墨烯异质结构是敏感光电应用的出色材料平台。
的方法已被采用:17 - 20,即自上而下的方法,依赖于切割宏观系统,例如石墨,碳黑色或碳晶体,以获得纳米级量子点;以及基于有机化学的自下而上的方法,旨在生成从小型系统到较大系统的GQD。gqd是具有出色和可调特征的石墨烯的小片段,即间隙能,光吸收,光致发光和量子构成效应。21,22 These excellent properties make these zero-dimensional nanostructures more attractive for optical and optoelectrical devices used in industrial and medical elds, such as, photovoltaic devices, catalysis (electrocatalysis, pho- tocatalysis) bio-imaging, medical diagnosis.23几项实验和理论研究表明,可以通过调整大小的调整,24 edg guration,25
在硅中产生荧光缺陷是确保量子光子设备进入现有技术的关键垫脚石。在这里,我们证明了飞秒激光退火的创建,该创建的W and g-Centers in Commercial Silicon上的绝缘体(SOI)先前植入了12 C +离子。它们的质量与使用常规植入过程获得的相同发射器相媲美;通过光致发光辐射寿命来量化,其零孔线(ZPL)的拓宽以及这些定量随温度的进化。除此之外,我们还表明,这两个缺陷都可以在没有碳植入的情况下创建,并且我们可以在增强W-Centers Emision的同时退火来消除G-Centers。这些演示与硅在硅中的确定性和操作生成有关。
3。RESULTS......................................................................................52 3.1.ZnO nanoparticles and their nanohybrids ..............................52 3.1.1.晶体结构......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 52 3.1.2。Nanostructures and morphology.......................................56 3.1.3.Chemical bonding............................................................64 3.1.4.X射线光电子光谱.............................................................................................................. 67 3.1.5。拉曼光谱法..................................................................................................................... 72 3.1.6。频段间隙........................................................................................................................................................... 75 3.1.7。光致发光发射光谱............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 77 3.2。ZnO nanorods ........................................................................83 3.2.1.结晶结构........................................................................................................................................................................................................................................................................................... 83 3.2.2。Morphology......................................................................84 3.2.3.光学特性......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 86 3.2.4。Electrical properties studied by I-V and I-t measuremesnts............................................................................88 3.3.Photodiodes............................................................................93 3.3.1.形态..................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 93 3.3.2。I-V characteristics in dark.................................................94 3.3.3.理想因素计算........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 95 3.3.4。I-V辐射下的I-V特征................................................................................................................................................................................................................................................................................. 95 3.3.5。I-t characteristics: UV on/off cycles...................................97 3.3.6.Figures of merit................................................................98
第三部分 其他资料(更多详情可于教学计划中另行提供) 1. 关键词大纲(列出本课程的主要主题。) ● 材料特性 ● 分析技术概览 ● 显微镜 ● 光谱学 ● 光学显微镜 ● 电子显微镜:扫描和透射 ● 扫描探针显微镜 ● 电子探针微分析 ● X 射线衍射 ● 离子束技术 ● 二次离子质谱法 ● 卢瑟福背散射光谱法 ● 霍尔效应 ● 电容-电压测量 ● 塞贝克效应 ● 分光光度法 ● 光谱椭圆偏振法 ● 调制光谱法 ● 光致发光 ● X 射线光电子能谱法 2. 阅读清单 2.1 必读内容(必读内容可以包括书籍、书籍章节或期刊/杂志文章。城大图书馆还提供电子书、电子期刊。)
量子发射器需要多种从量子传感到量子计算的应用。六角硼硝酸盐(HBN)量子发射器是迄今为止最有价值的固态平台之一,由于其高亮度,稳定性和自旋光子界面的可能性。但是,对单光子发射器(SPE)的物理起源的理解仍然有限。在这里,我们在整个可见频谱中观察到HBN中的密集SPE,并提供了混凝土和结论性的证据,表明这些SPE中的大多数可以通过供体受体对(DAPS)很好地解释。基于DAP过渡生成机制,我们计算了它们的波长指纹,与实验观察到的光致发光光谱非常匹配。我们的工作是对HBN中SPE的物理理解及其在量子技术中的应用。