机构名称：
¥ 3.0
大多数半导体设备通过产生超过热平衡值的电荷载体来运行。这些多余的携带者可以通过光学1激发或电子轰击而产生，或者正如我们将在第5章中看到的那样，它们可以在向前偏置的p- n Junction中注入。但是，多余的载体可以主导半导体材料中的传导过程。在本章中，我们将通过光吸收和产生的光致发光和光导不传统来研究过量载体。我们将更仔细地研究电子 - 孔对重组的机理和载体捕获的影响。最后，我们将讨论由于载流子梯度引起的多余载体的扩散，该载体梯度是当前诱导的基本机制以及电场中漂移的机制。
