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背栅石墨烯晶体管的接触电阻和迁移率
摘要 金属-石墨烯接触电阻是限制石墨烯在电子设备和传感器中技术开发的主要因素之一。高接触电阻会损害器件性能并破坏石墨烯固有的优良特性。在本文中，我们制造了具有不同几何形状的背栅石墨烯场效应晶体管，以研究接触和沟道电阻以及载流子迁移率随栅极电压和温度的变化。我们应用传输长度法和 y 函数法，表明这两种方法可以相互补充以评估接触电阻并防止在估计载流子迁移率对栅极电压的依赖性时出现伪影。我们发现栅极电压以类似的方式调节接触和沟道电阻，但不会改变载流子迁移率。我们还表明，升高温度会降低载流子迁移率，对接触电阻的影响可以忽略不计，并且可以根据施加的栅极电压诱导石墨烯薄层电阻从半导体行为转变为金属行为。最后，我们表明，消除接触电阻对晶体管沟道电流的不利影响几乎可以使载流子场效应迁移率翻倍，并且通过 Ni 接触的锯齿形成形可以实现低至 700 Ω · μ m 的竞争性接触电阻。
研究评估委员会“与人一起进化的下一代人工智能......
<推进部门> NEDO 机器人与人工智能部部长古川义典 NEDO 机器人与人工智能部首席研究员三代川近宏 NEDO 机器人与人工智能部首席研究员柴田聪
108年度科学论文发表统计（生命科学类）共16篇
慢性过氧化物组增殖物激活的受体α/γ和大麻素受体2激动剂治疗减弱了内脏脂肪组织（VAT）衍生的细胞外囊泡相关的增值税和非酒精性steatoholic steatoholic steatoholic steatoholic steatohololic sterepatial steathepation Pio hepatial poceathepation pipation steatohocial pipation steatohocial pipation。AM J Pathol。2024年10月26日：S0002-9440（24）00398-5。
利用量子计算机求解栅绝缘子泊松方程的研究
[1] Arute, F.、Arya, K.、Babbush, R. 等人。使用可编程超导处理器实现量子霸权。《自然》574，505–510（2019 年）。https://doi.org/10.1038/s41586-019-1666-5A。[2] Harrow, A. Hassidim 和 S. Lloyd，“线性方程组的量子算法”，《物理评论快报》103，150502（2009 年）。[3] Yudong Cao 等人，“用于求解线性方程组的量子电路设计”，《分子物理学》110.15-16（2012 年），第 1675–1680 页。arXiv：arXiv:1110.2232v2。[4] Solenov, Dmitry 等人。 “量子计算和机器学习在推进临床研究和改变医学实践方面的潜力。”密苏里医学第 115,5 卷 (2018)：463-467。[5] C. Outeiral、M. Strahm、J. Shi、GM Morris、SC Benjamin 和 CM Deane，“量子计算在计算分子生物学中的前景，”WIREs Comput. Mol. Sci.，2020 年 5 月。[6] 王胜斌、王志敏、李文东、范立新、魏志强和顾永健，“量子快速泊松求解器：算法和完整模块化电路设计，”量子信息处理第 19 卷，文章编号：170 (2020)。 [7] H. Abraham 等人，“Qiskit：量子计算的开源框架”，2019 年。 [8] https://quantum-computing.ibm.com/ [9] Sentaurus TM 设备用户指南，Synopsys Inc.，美国加利福尼亚州山景城，2020 年。 [10] https://qiskit.org/textbook/ch-applications/hhl_tutorial.html [11] https://qiskit.org/documentation/stubs/qiskit.quantum_info.state_fidelity
22 nm FD-SOI 中具有可变增益控制和开关功能的 60 GHz 宽带 LNA
摘要 本文研究了一种具有可变增益控制的 60 GHz 低功耗宽带低噪声放大器 (LNA)。为了证明这一概念，该电路采用 22 nm 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) CMOS 技术实现。它通过增益峰值（增益分配）技术支持 60 GHz 的宽带操作。通过调整放大器的一些关键匹配网络，每级的峰值增益被分配到不同的频率，从而产生整体宽带频率响应。该电路由三个级联共源共栅放大器级组成。匹配网络针对带宽和噪声系数进行了优化。晶体管背栅用于 LNA 设计，以将电路切换到低功耗待机模式。这避免了基于前栅的切换在电压击穿和电路稳定性方面的问题。此外，通过背栅实现了在如此高频率下同时实现可变增益控制。与基于前栅的相比，基于背栅的可变增益控制可以实现增益的连续微调，同时对控制电压的精度或分辨率要求较低。在测量中，增益通过背栅成功从 20 dB 调低至 − 25 dB。在 1 V 标称电源的 8.1 mW 直流功率下，LNA 提供 20 dB 的峰值增益、18.5 GHz 的带宽和 3.3 dB 的最小噪声系数。当偏置在 0.4 V 的降低直流电源下时，所给出的电路仅消耗 2.5 mW 的直流功率，并且仍然提供 10 dB 的功率增益和约 4.5 dB 的最小噪声系数。通过切换到待机模式，LNA 在标称电源下消耗 850 µ W 的直流功率，在降低电源下消耗 240 µ W 的直流功率。与之前报告的设计相比，LNA 表现出色，具有最低的噪声系数以及具有竞争力的增益、带宽和直流功率。据作者所知，这是第一款通过单独的背栅偏置具有联合可变增益控制和切换功能的 60 GHz LNA。
HNF4α介导的糖异生中的转录耦合因子HNF4α介导的糖异生中的转录耦合因子
糖尿病是一种疾病，其中两种病理学（减少胰岛素分泌和胰岛素抵抗）导致高血糖症，导致生活质量降低，并因并发症而缩短了预期寿命。长期以来，人们一直认为糖尿病中的高血糖是胰岛素无法降低血糖水平的主要因素。然而，近年来，它引起了人们的注意，糖尿病的高血糖与胰高血糖素的异常分泌有关，这具有激活肝脏中的糖素途径。据报道，缺乏分泌胰腺胰腺α细胞或胰高血糖素受体的小鼠完全抑制胰岛素分泌的小鼠根本不会提高血糖水平。还已经表明，将胰高血糖素受体引入缺乏胰高血糖素受体的小鼠会增加血糖水平[1]。此外，众所周知，与健康个体相比，2型糖尿病患者的胰高血糖素分泌异常增加[2]。从上面的角度来看，除了胰岛素作用不足之外，还提出，由于胰高血糖素的异常分泌而导致肝脏中的糖异生增加也是2型糖尿病中高血糖状态的主要原因[3]。
一种改善电特性的环栅场效应晶体管扇形结构
从 I on /I off 电流比、跨导、亚阈值斜率、阈值电压滚降和漏极诱导势垒降低 (DIBL) 等方面评估了一种新型栅极全场效应晶体管 (GAA-FET) 方案的可靠性和可控性。此外，借助物理模拟，全面研究了电子性能指标的缩放行为。将提出的结构的电气特性与圆形 GAA-FET 进行了比较，圆形 GAA-FET 之前已使用 3D-TCAD 模拟在 22 nm 通道长度下用 IBM 样品进行了校准。我们的模拟结果表明，与传统的圆形横截面相比，扇形横截面 GAA-FET 是一种控制短沟道效应 (SCE) 的优越结构，并且性能更好。2020 作者。由 Elsevier BV 代表艾因夏姆斯大学工程学院出版。这是一篇根据 CC BY 许可 ( http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ ) 开放获取的文章。
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印度可再生能源开发局有限公司（IREDA）是“ Navratna”，附表A类别CPSE，印度政府拥有75％，在新和可再生能源部的行政控制下（MNRE）。IREDA在GOI的促进和发展可再生能源领域的举措中起着重要作用。IREDA是印度最大的纯绿色融资NBFC，致力于促进，开发和扩展财政援助，以建立与新的和可再生能源的能源以及能源和能源效率/保护源有关的项目。IREDA拥有卢比的授权资本。截至日期， 6000亿卢比和2687.76千万卢比的付费平等。 2023年，印度储备银行授予IREDA的“基础设施融资公司”。 该公司于2023年首次亮相股市。 IREDA袋是来自Care，ICRA Ltd，印度评级和研究，Acuite等多个机构的AAA（稳定）的最高信用等级。 该公司在古吉拉特邦Gandhi Nagar的Gift City，Gift City纳入了全资的子公司“ IREDA全球绿色能源融资IFSC Limited”，用于外币融资。 该公司在新德里设有注册和公司办事处以及全国不同城市的分支机构。6000亿卢比和2687.76千万卢比的付费平等。2023年，印度储备银行授予IREDA的“基础设施融资公司”。该公司于2023年首次亮相股市。IREDA袋是来自Care，ICRA Ltd，印度评级和研究，Acuite等多个机构的AAA（稳定）的最高信用等级。该公司在古吉拉特邦Gandhi Nagar的Gift City，Gift City纳入了全资的子公司“ IREDA全球绿色能源融资IFSC Limited”，用于外币融资。该公司在新德里设有注册和公司办事处以及全国不同城市的分支机构。
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XT2N，XT2S，XT2H，XT2L，XT2V，XT2N DC，XT2S DC，XT2L DC，XT2X DC，UT2N，UT2S，UT2S，UT2H UIMP：8KV; UI：1000V; UE：XT2：220/230/240VAC，380VAC，400/415/440VAC，660/690VAC，800VAC，250VDC，500VDC; XT2 DC：250VDC，500VDC; UT2：220/230/240VAC，380VAC，415VAC，660/690VAC;在：1.6、2、2.5、3.2、4.5、6.3、8、10、12.5、16、20、25、32A（TMD）; 40、50、63、80、100、125、160a（TMA）; 16、20、25、32、40、50、63、80、100、125、160A（TMG）; 1、2、3、4、8.5、12.5、20、32、52、80、100、160a（MF，MA）; 10，25，63，100，160a（ekip ls/i; ekip g-ls/i; ekip n-ls/i; ekip z-ls; ekip lsi; ekip lsi; ekip lsig; ekip lsig; ekip dip ls/i; ekip g dip ls/i; ekip ls/i; ekip i; ekip i; ekip i; ekip m dip i; ekip ls ekip ls ekip ls ekip dip dip dip dip dip d; 20,32,52,100A（Ekip M-I）; 25,63,100,160a（Ekip M-Liu，Ekip M Dip Liu）; 25,63,100A（Ekip M-lriu，Ekip m Dip lriu）; 10，25，63，100，160a（ekip dip lig; ekip dip lsi; ekip dip lsig; ekip b dip lsi; ekip b dip lsig）; 40，63，100，160a（Ekip Touch LSI； Ekip Touch lsig; Ekip Touch测量LSI； Ekip Touch测量LSIG； Ekip Hi-Touch LSI； Ekip Hi-Touch lsig）; 40，63,100A（Ekip M Touch LRIU）; XT2N：220/230/240VAC：ICS = ICU = 65KA; 380VAC，400/415/440VAC，250VDC（串联2个极点），500VDC（串联3杆），500VDC（串联4杆）：ICS = ICU = 36KA; 660/690VAC：ICS = ICU = 10KA; XT2S：220/230/240VAC：ICS = ICU = 85KA; 380VAC，400/415/440VAC，250VDC（串联2杆），500VDC（串联3杆），500VDC（串联4杆）：ICS = ICU = ICU = 50KA; 660/690VAC：ICS = ICU = 12KA; XT2H：
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我很高兴印度分析科学家 - 德里分会与印度石油研究所（CSIR-IIP）合作，从6月5日至2024年6月5日至7日在印度石油研究所组织了印度印度石油研究所，印度迪赫拉顿，印度德赫拉顿，与科学和技术的角色”主题。国际分析会议和展览旨在为来自学术界和工业的研究人员提供一个论坛，在绿色和低碳化学品，石油，石油和药物和制药，食品和农业，环境，环境，气候变化等领域工作，以共享其知识，最新的尖端研究结果以及分析科学方面的知识。isas-delhi分会（www.isasdelhi.org）自成立以来，为分析科学家提供了一个共同的平台来交流思想，使自己了解最新发展，从而促进了该国分析科学的增长。多年来，Isas-Delhi分会在印度北部各地组织了60多个计划。我们在印度分析大会（IAC-2024）的3天中收到了压倒性的反应。预计将有300多名代表参加印度和国外的IAC-2024，并收到了250多个摘要，以进行全体，被邀请，口头和摆姿势的会议。我们尊敬的赞助商还扩大了对该活动的全心全意的财政支持。代表Isas-Delhi分会执行委员会，我向所有IAC-2024的所有作者，代表，赞助商和参展商致敬。我希望这次会议期间的审议对工业，学术界和学生社区非常有益。我要表示真诚的感谢，并感谢组织委员会的努力，并希望这次会议取得巨大的成功。