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具有快速关断特性的单通道同步整流控制器
当同步整流管完全开启后， VDS 两端压降完全跟 随次级电流 Is 。随着次级续流电流的减小 VDS 电压升 高，当 VDS 电压增大到 -30mV 时， Gate 驱动电路的 上管供电被关断 , 驱动电压随内部电阻及漏电流开始缓 慢降低；当 VDS 电压增大到 -20mV 时， Gate 驱动电 压会被钳位在 3.3V 左右。如果 VDS 电压增大到 -1mV 时， WS2260C 会在 25ns 的时间内快速将 GATE 电压 拉到 0V 。同时，关断屏蔽时间开始计时，此期间 GATE 保持低电平。直到 VDS 电压大于 2V ，退出关断屏蔽 计时。
准谐振PSR CC/CV 控制器TM5880
VDD欠压保护 UVLO（OFF） VDD 电压下降 8.5 9.5 10.5 V VDD启动电压 UVLO(ON) VDD 电压上升 14 15.5 16.5 V VDD过压保护 VDD_OVP 31 33 35 V VDD钳位电压 VDD_Clamp I(VDD)=7mA 33 35 37 V 反馈输入部分（FB管脚） 反馈参考电压 VFB_EA_Ref 1.98 2.0 2.02 V 输出过压保护阈值电压 VFB_OVP 2.4 V 输出短路阈值 VFB_Short 0.65 V 输出短路钳位频率 FClamp_Short 40 KHz 退磁比较器阈值 VFB_DEM 75 mV 最小关断时间 Tmin_OFF 2 uSec 最大关断时间 Tmax_OFF 3 mSec 最大线缆补偿电流 ICable_max 40 uA 电流检测部分（CS管脚） CS前沿消隐时间 T-blanking 500 nSec 芯片关断延迟 TD_OC CL=1nF at GATE 100 nSec 恒流控制部分（CC管脚） 内部CC基准电压 V_CC_ref 490 500 510 mV
功率运算放大器NSOPA240X 应用于旋转变压器驱动电路
根据旋转变压器的特性，驱动运放需要有以下特性： • 旋转变压器的励磁原边线圈通常是有很低的DCR ( 直流电阻)，通常小于100Ω，因此需要有较强的电流 输出能力才可以驱动线圈，最高至200mA。 • 为了保证的精度以及线性度，在旋转变压器的应用中需要具备较高的SR（压摆率Slew Rate）。 • 旋转变压器的常见激励方式为差分推挽输出，对放大器要求较宽的带宽以及较高的开环增益，以确保信 号不失真。 • 汽车应用EMI 环境复杂，为了保证励磁功率放大电路不被干扰，放大电路需要具备一定的EMI 抑制能力。 • 作为高功率驱动级，需要具备限流和过温关断功能，保证系统的可靠性和鲁棒性。 • 传统的解决方案是利用通用运放和分立三极管搭建高输出电流，电路复杂可靠性低，且并且难以集成热 关断和限流保护等功能。NSOPA240X 运算放大器具有高电流输出能力，最大可支持400mA 的持续电流 输出。并集成了过温关断，限流保护等安全功能，满足各类旋转变压器驱动的需求。
SD6804S 说明书
4.FB 过零检测（谷底开通）和副边导通时间检测 在 FB 过零时，功率 MOSFET 开通，而后功率 MOSFET 开通时间达到 COMP 控制的时间，功率 MOSFET 关断，
NSD12416-Q1 - 数据表 (EN) 1.2
NSD12416-Q1 是一款 160mΩ 2 通道低侧开关，具有 48V 钳位电压，适用于汽车应用。它设计用于驱动电阻或电感负载，一侧连接到电池。内部 48V 钳位电路可在关断快速退磁时保护器件免受浪涌能量的影响。通过内部输出电流限制，器件可在过载条件下受到保护。内置热关断可防止芯片过热和短路。内置热摆动机制可限制耗散功率，从而减缓功率积累。热关断具有自动重启功能，可使器件在故障条件消失后立即恢复正常运行。内置诊断功能可通过开漏状态输出引脚指示热关断时的任何故障。该器件的工作环境温度为 –40°C 至 125°C。
NSD12409-Q1 - 数据表 (EN) 1.2
NSD12409-Q1 是一款 90mΩ 2 通道低侧开关，具有 48V 钳位电压，适用于汽车应用。它设计用于驱动电阻或电感负载，一侧连接到电池。内部 48V 钳位电路可在关断快速退磁时保护器件免受浪涌能量的影响。通过内部输出电流限制，器件可在过载条件下受到保护。内置热关断可防止芯片过热和短路。内置热摆动机制可限制耗散功率，从而减缓功率积累。热关断具有自动重启功能，可使器件在故障条件消失后立即恢复正常运行。内置诊断功能可通过开漏状态输出引脚指示热关断时的任何故障。该器件的工作环境温度为 –40°C 至 125°C。
针对 130nm 至 28nm CMOS 节点的新型断态 TDDB 建模
在保证速度性能和低功耗要求的超短通道 CMOS 节点中，TDDB 仍然是一个关键的可靠性问题。在交流射频信号操作期间，“关断状态”与“导通状态”模式依次发生，从低频（kHz）到极高频范围（GHz）[1-2]。即使“关断状态”应力通常以比“导通状态”应力更小的速率降低器件性能，但它可能成为器件在射频域和毫米波应用中运行的限制因素，在毫米波应用中，电源电压 V DD 通常是逻辑应用中使用的电源电压的两倍。不仅器件参数漂移可能变得显著，而且还可能触发栅极-漏极区域的硬击穿（BD）。因此，准确评估关断状态 TDDB 的可靠性并深入了解器件级的磨损机制至关重要，因为可以在 28nm FDSOI CMOS 节点的漏极（图 1a、c）和栅极（图 1b、d）电流上观察到击穿事件。由于空穴和电子的碰撞电离 (II) 阈值能量和能垒高度不同，因此导通或关断状态下热载流子 (HC) 的产生及其 V GS / V DS 依赖性在 N 沟道和 P 沟道中明显不同[3] 。通过低栅极电压下的 HC 敏感性对 P 沟道和 N 沟道进行了比较[4]，重点关注注入载流子效率，一方面主要考虑导通状态下的热载流子退化 (HCD) 下的 P 沟道侧，另一方面考虑关断状态下的 N 沟道侧，因为热空穴注入引起的损伤和 BD 敏感性更大。这意味着高能 HC 可能在关断模式下在栅极-漏极区域触发 BD 事件[5-6]，与热空穴效率有关[7] 。
VRG8667/68
最大功率耗散受 VRG8667/8668 中每个稳压器芯片的热关断功能限制。上图表示芯片关断前可实现的功率。图中第一条线表示 VRG8667/8668 的最大功率耗散，其中一个稳压器打开（另一个关闭），另一条线表示两个稳压器都打开，耗散的功率相等。如果两个稳压器都打开，并且一个稳压器的耗散功率大于另一个稳压器，则 VRG8667/8668 的最大功率耗散将介于两条线之间。该图基于 150℃ 的最大结温以及 7℃/W 的热阻 ( JC)。
SG1532/SG2532/SG3532
这款单片集成电路是一种多功能通用电压调节器，旨在作为流行的 SG723 器件的大幅改进替代品。SG1532 系列调节器保留了 SG723 的所有多功能性，但还具有以下额外优势：输入电压低至 4.5 伏，高至 50 伏；低噪声、低压参考；温度补偿、低阈值电流限制；以及保护电路，包括热关断和参考电压和输出电压的独立电流限制。还包括一个单独的远程关断端子。在双列直插式封装中，开集电极输出可用于低输入输出差分应用。