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Yole Développement - 电信基础设施射频前端 2022 – 聚焦移动网络 - 产品手册
Cédric Malaquin 是 Yole aéveloppement (Yole) 的 RF 设备和技术技术与市场分析师，参与技术与市场报告的开发以及定制咨询项目的制作。在加入 Yole 之前，Cédric 在 Soitec 担任工艺集成工程师九年，之后担任电气特性工程师六年。Cédrich 对 FDSOI 和 RFSOI 产品特性做出了重大贡献，并在半导体领域撰写或合作撰写了三项专利和五份国际出版物。Cédric 毕业于法国里尔理工学院，获得微电子和材料科学工程学位。简介关于作者
字母 A 具有低电源电压的 30 Gbps 1.25 pJ/b CMOS 接收器模拟前端
摘要 本文提出了一种30 Gbps 1.25 pJ/b光接收机模拟前端（Rx_AFE），主要由有源电压电流反馈跨阻放大器（AVCF-TIA）和交错有源反馈限幅放大器（LA）组成。通过在所提出的TIA中采用有源电压电流反馈技术，大输入电容得到很好的隔离，而不受低电源电压的限制，并且大大缓解了跨阻增益和输出极点频率之间的直接矛盾。同时，通过在LA设计中采用交错有源反馈技术进一步扩展了带宽。所提出的Rx_AFE采用40 nm bulk-CMOS工艺制造，跨阻增益为63.8 dBΩ，3 dB带宽为24.3 GHz。从电源电压 1.0 V 开始，当运行 30 Gbps PRBS 时，电路的功耗和功率效率分别为 37.5 mW 和 1.25 pJ/b。核心电路占用的芯片面积为 920 µ m × 690 µ m。关键词：光接收器、跨阻放大器 (TIA)、有源电压-电流反馈、交错有源反馈、限幅放大器 (LA)、CMOS。分类：集成电路（存储器、逻辑、模拟、RF、传感器）
交流耦合宽带神经记录前端，效率低于 1 毫米 2 × fJ/conv-step，NEF 为 0.97
摘要 — 本信介绍了一种用于多通道宽带神经信号记录的能量和面积高效的交流耦合前端。所提出的单元使用基于反相器的电容耦合低噪声放大器调节局部场和动作电位，然后是每通道 10-b 异步 SAR ADC。单位长度电容器的调整可最大限度地减少 ADC 面积并放宽放大器增益，从而可以集成小型耦合电容器。与最先进的产品相比，65 纳米 CMOS 原型的面积缩小了 4 倍，能量面积效率提高了 3 倍，占位面积为 164 µ m × 40 µ m，能量面积性能系数为 0.78 mm 2 × fJ/conv-step。在 1 Hz 至 10 kHz 带宽内测得的 0.65 µ W 功耗和 3.1 µ V rms 输入参考噪声对应的噪声效率因子为 0.97。
一种具有输入阻抗增强和抑制偏移诱导电荷转移的斩波神经前端
摘要 — 现代神经调节系统通常提供大量的记录和刺激通道，这降低了每个通道的可用功率和面积预算。为了在面积限制越来越严格的情况下保持必要的输入参考噪声性能，斩波神经前端通常是首选方式，因为斩波稳定可以同时改善（1/f）噪声和面积消耗。现有技术中，通过基于输入电压缓冲器的阻抗增强器解决了输入阻抗大幅降低的问题。这些缓冲器对大型输入电容器进行预充电，减少从电极吸取的电荷并有效提高输入阻抗。这些缓冲器上的偏移直接转化为电荷转移到电极，这会加速电极老化。为了解决这个问题，提出了一种具有超低时间平均偏移的电压缓冲器，它通过定期重新配置来消除偏移，从而最大限度地减少意外的电荷转移。本文详细介绍了背景和电路设计，并介绍了在 180 nm HV CMOS 工艺中实现的原型的测量结果。测量结果证实，发生了与信号无关的缓冲器偏移引起的电荷转移，并且可以通过所提出的缓冲器重新配置来缓解这种电荷转移，而不会对输入阻抗增强器的操作产生不利影响。所提出的神经记录器前端实现了最先进的性能，面积消耗为 0.036 mm2，输入参考噪声为 1.32 µV rms（1 Hz 至 200 Hz）和 3.36 µV rms（0.2 kHz 至 10 kHz），功耗为 13.7 µW（1.8 V 电源），以及 50 Hz 时的 CMRR 和 PSRR ≥ 83 dB。
2010 IEEE 国际固态电路会议
T2：射频前端无源器件的 SoC 集成 射频前端无源器件（如 SAW 滤波器和双工器）已被证明难以集成为低成本 CMOS SoC 的一部分。传统的射频设计并不适用，因为片上螺旋电感的品质因数不高，而且片上电容器的制造差异会限制性能。继续使用片外前端无源器件的重要后果是：成本更高、物理空间更大、PCB 和封装设计更复杂，特别是对于多模和多频带应用（如蜂窝或软件定义无线电）。在本教程中，我们首先研究前端无源器件的系统级要求，并从电路的角度讨论 SoC 实施挑战。然后，我们介绍几种可以解决这些问题的架构和电路级技术，然后是 2G 和 3G 收发器的案例研究。
可重构 2.4/5GHz 双频发射机前端，支持 1024-QAM，适用于 40nm CMOS WLAN 802.11ax 应用
摘要 — 本文介绍了一种新型高效可重构双频输出匹配网络设计方法。所实现的输出匹配网络在 2.4 GHz 和 5.5 GHz 下分别实现了 71.6% 和 75% 的无源效率。基于所提出的输出匹配网络，采用 40 纳米 CMOS 技术设计和制造了支持 2.4/5 GHz 双频操作的发射器和独立功率放大器 (PA)，用于新兴的无线局域网 (WLAN) 802.11ax 应用。在 2.4 GHz 和 5 GHz WLAN 频段，PA 实现了 23 和 21.9-22.4 dBm 的 P sat ，功率附加效率 (PAE) 分别为 27% 和 24.2%-28.2%。在 2.442 GHz 时，发射器可为 40 MHz、1024 正交幅度调制 (QAM) 802.11ax 信号提供 8.1 dBm 平均输出功率，同时满足误差矢量幅度 (EVM) 低于 -35 dB 的标准规范。在 5 GHz 工作模式下，发射器可实现 6.72-6.95 dBm 的平均输出功率，80 MHz、1024 QAM 802.11ax 信号的 EVM 为 -35 dB。PA 和发射器前端是文献中首次发布的双频 WLAN 802.11ax 应用设计。
CMOS前端用于插入自旋式霍尔纳米振荡器，用于GHz范围的神经形态计算
摘要：自旋效应的纳米振荡器在当前可用的CMO设备之外有望，并且有可能用于模仿计算神经元系统中神经元的功能。当它们在4-20 GHz范围内振荡时，它们有可能用于构建高速加速的神经硬件平台。然而，由于它们的产出极低的信号水平和高阻抗以及其微波范围的工作频率，因此，当使用CMOS技术实施其状态读出电路时，SHNO是否振荡是否会带来巨大的挑战。本文介绍了第一个CMOS前端读出电路，该电路在180 nm上实施，以shno振荡频率高达4.7 GHz，设法辨别了100 µV的SHNO SHNO幅度，即使对于障碍物的障碍也达到300ω，并且噪声效果高达300ω，并且噪声效果为5.3 db db 300ω。提出了该前端的设计流以及其每个块的架构。对低噪声放大器的研究在设计中的固有困难中加深了深化，满足了SHNOS的特征。
RF前端模块比较2021 - 卷。 1 yoledévelopment-超过摩尔2021的光刻和粘合设备 - 样品
去年，System Plus打开了数百个前端模块（FEM）和组件，以提供精选旗舰智能手机中射频（RF）FEM市场的概述。这些信息是在四个报告中收集的，从玩家的进化到世界地区分析。这提供了跟踪该技术市场发展的绝佳方法。今年，System Plus Consulting将再次提供智能手机RFFEMS的技术和成本比较的不同数量。每个比较报告将侧重于特定主题，例如，玩家的演变，特定技术或旗舰设备的比较。在2021年的第一卷中，我们提供了有关FEM的技术和成本数据的见解，以及自2016年以来的Apple iPhone系列中的18款智能手机中发现的几个组件。这包括对市场上RFFEM架构的全面概述，比较了这些公司的可用智能手机。苹果对特定组件制造商的依赖，以及通信技术集成的不同选择，甚至是最新一代的毫米波长（MMWave）信号支持。我们还揭示了该公司如何在高级市场上保持领导地位。通过这些智能手机拆卸，从
软件定义无线电中基于人工智能的频谱分析
在本节中，我们将详细介绍我们全面的方法和方法。我们的项目旨在创建一个直观的前端界面，用于分析复杂的数据集，并由能够进行复杂计算和机器学习推理的强大后端提供支持。在前端，我们选择了 React 作为框架，并对 IQEngine 进行了初步的数据流分析。我们集成了 IQEngine，增强了用户界面，同时确保高效地将数据传输到后端。在后端，我们选择了 Django，因为它与 Qoherent 的 Python 模块兼容。我们分析了 Qoherent 的机器学习模型，强调设计中的模块化。我们还选择了数据传输协议，以实现前端和后端之间的高效通信。