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从材料属性到设备指标：数据驱动的电池设计指南
Perovskite单晶也已成为可以克服常见多晶膜的限制的替代材料平台。34–38对于钙钛矿膜和单晶，适当的合成方案均采用旨在制造高质量的钙钛矿材料和层以及满足给定应用程序特定需求的相关装置。然而，这些钙棍的软晶格构成了光滑的，无针孔的佩洛维斯风筝膜的几个挑战。39–49已经开发了许多方法来有效地合成和加工多晶膜和单晶层。这篇评论的目的是总结用于钙钛矿膜的最新方法，无论是多晶和单晶薄膜，并讨论用于沉积这种材料家族的每种方法所遇到的优点和障碍。本综述旨在全面，并详细描述用于用于卤化物钙钛矿薄膜和单晶的各种不同的过程。在呈现其制造方法之前，给出了基本卤化物材料材料的简要描述，旨在使论文不仅可以访问那些希望对整个领域的整体理解的人访问，还可以访问那些寻求有关某种类型沉积过程的基本信息的人。
创新超硬材料：无粘合剂纳米
添加材料并通过细化组成晶粒来提高强度（图1中Ⅰ）。理想的最终目标材料是纳米多晶体，其中纳米级金刚石或立方氮化硼晶粒直接紧密地结合在一起，而不包含任何粘合剂材料（图1中Ⅱ）。最终材料可以形成与单晶金刚石相似的高精度切削刃。此外，这种材料的不可解理性使切削刃的强度超过了单晶的强度。由于这些优异的特性，该材料在精密和微加工应用中很有前途。然而，这种创新的纳米晶材料不能仅仅通过扩展传统技术来创造。相反，开发创新的新工艺（产品创新）至关重要。我们开始研究和开发纳米多晶金刚石和纳米多晶立方氮化硼，旨在创造适用于更高速、更高效和更高精度切削应用的终极切削刀具材料。我们经过多年的努力，通过建立超高压新技术和直接转化烧结工艺，成功研制出这些新型超硬材料。本文详细介绍了这些新型超硬材料的开发、特性和应用。
一些化合物的合成、表征及抗真菌活性
近二十年来，过渡金属配位化合物由于其独特性质（如催化、离子交换、微电子、非线性光学、多孔材料等）的合成及应用已成为一个极具吸引力的领域。[1-7] 过渡金属混合配体配合物在光化学、分析化学和磁化学等不同领域发挥着重要作用。[8] 锰的配位化学已成为生物无机化学中一个令人感兴趣的研究领域。[9] 目前，人们正在探索此类化合物的磁性和多种催化活性，以了解其生物学重要性。[10-12] +3 氧化态的锰 (Mn) 与带电和中性配体形成复合物。[13] 我们给出了实验室合成的三（乙酰丙酮）-锰 (III) 单晶的 X 射线晶体学数据。[14] 已发现锰 (III) 八面体配合物易受 Jahn-Teller 畸变的影响。我们进一步合成了四种新型混合配体 Mn(III) 配合物，即 [Mn(acac)2(NCS)SH2]、[Mn(acac)2(N3)SH2]、[Mn(acac)2(Cl)SH2] 和 [Mn(acac)2(Br)SH2]，并研究了它们的磁化率、紫外线和抗真菌性能。
铅主导的超精细相互作用影响卤化物钙钛矿中的载流子自旋动力学
其在光伏应用领域的研究引起了人们的兴趣，因为它们的量子效率已经达到了 25.5% [1]，而且还扩展到辐射传感 [2,3] 和各种光电设备。[4–7] 达到高质量 MAPbI 3 、FAPbI 3 和 CsPbI 3 单晶的极限，与 MA、FA 和铯 (Cs) 阳离子混合物的组合结构成为最先进的钙钛矿材料，提高了量子效率并将结构稳定性从几天延长到几个月。[2,8–10] 由于基本物理性质接近其母结构，因此所提出的 FA 0.9 Cs 0.1 PbI 2.8 Br 0.2 可作为铅卤化物钙钛矿类的有效模型系统。与传统的 III-V 和 II-VI 半导体相比，钙钛矿在某种意义上具有反转的能带结构：价带 (VB) 态由 s 轨道形成，而导带 (CB) 态由 p 轨道贡献。强自旋轨道耦合，特别是 Rashba 效应 [11–14] 也会交换电子和空穴的自旋特性。[15,16] 因此，与晶格核的超精细相互作用由空穴而不是电子主导。钙钛矿能带结构为光学跃迁提供了清晰的极化选择规则，因此结合
多层菱形过渡的界面外延 -
与其六角形对应物不同的菱形堆叠的过渡金属二色元（3R-TMD）表现出较高的载流子迁移率，滑动铁电性，并相干增强了非线性光学响应。然而，很难大型多层单晶单晶的表面外延生长。我们报告了一种界面外观方法，用于它们的几种成分，包括二硫化钼（MOS 2），二苯胺钼，二硫化牛二硫化物，二硫化钨，二硫代二硫化钨，二硫化二硫化物，二硫化硫化物，二氮氮化物，二氧化氢和丙二氧化氢脱硫酸盐。将金属和果酱饲喂持续到单晶Ni底物和生长层之间的界面可确保一致的3R堆叠序列，并从几层到15,000层受控厚度。全面的特征证实了这些薄膜的大规模均匀性，高结晶度和相位纯度。生长的3R-MOS 2分别显示出双层和三层的室温迁移率最高为155和190平方厘米。具有厚3R-MOS 2的光学差异频率产生在准相匹配条件下显示出明显增强的非线性响应（比单层大5个数量级）。t
基于可再生能源资源的水淡化系统的能源存储
摘要：三维有机金属金属卤化物钙钛矿是光电应用的出色材料，由于其特性，解决方案的加工性和成本效益。但是，缺乏环境稳定性极大地限制了它们的实际应用。在本文中，作者报告了使用Divalent N1-甲基丙烷-1,3-二千摩峰（N-MPDA）阳离子作为有机隔离器的稳定厘米长的二维（2D）混合钙钛矿（N-MPDA）[PBBR4]单晶。生长的单晶表现出稳定的光电性能，低阈值随机激光和多光子发光/多谐波生成。使用（N-MPDA）[PBBR4]单晶制造的光电传导装置表现出极好的光反应率（≈124aw-1在405 nm处），约4个幅度的幅度高于高度高于单次有机间隔的2D perovskites，较大的2D perovskites（例如，较大的特定率） （≈1012琼斯）。作为一种光学增益介质，（N-MPDA）[PBBR4]单晶表现出低阈值随机激光（≈6.5µJCM-2），具有角度依赖性窄线宽（≈0.1nm）和高质量因子（Q≈2673）。基于我们的结果，（N-MPDA）[PBBR4]单晶的出色光电优点将提供高性能设备，并充当动态材料，以构建稳定的未来电子产品和基于光电的应用程序。
《纳米材料和生物结构文摘》第 18 卷，第 1 期，2023 年 1 月 - 3 月，第 55 - 68 页琥珀酸物种的影响
纳米材料和生物结构文摘第 18 卷，第 1 期，2023 年 1 月 - 3 月，第 55 - 68 页琥珀酸物种对甘氨酸单晶的结构、光谱、光学、Z 扫描、倍频、光电导和抗菌性能的影响 NS Priya a、SA Chudar Azhagan b、* a 印度哥印拜陀尼赫鲁工程技术学院物理系 b 印度哥印拜陀政府技术学院物理系以琥珀酸为添加剂，通过传统溶剂缓慢蒸发路线生长甘氨酸单晶。研究了琥珀酸对甘氨酸同质异形体的生长、光学和介电性能的影响。通过振动 FTIR 光谱光度计鉴定了功能团的存在。较高频率范围内的低介电常数和介电损耗证明生长的晶体可用于倍频应用。计算了生长晶体的激光损伤阈值能量。通过 Z 扫描实验评估了添加琥珀酸的甘氨酸晶体的三阶非线性磁化率 χ (3) (esu)。 (2022 年 8 月 14 日收到；2023 年 1 月 12 日接受) 关键词：γ-甘氨酸、琥珀酸、介电材料、光子应用 1. 简介寻找新的复杂 NLO 材料是当前研究扩展科学和通信技术的基本部分。铁电材料在光电子领域具有广泛的工业应用，例如电容器、军事服务、执行器、电信、非易失性存储设备、自动门禁系统、高性能栅极绝缘体和医疗设备等 [1-2]。铁电材料因其明确的介电、压电和热电特性而成为广泛电子和机电一体化设备中的首选材料。近年来，具有非线性光学 (NLO) 特性的铁电材料因其在光电子和光子技术领域的潜在应用而备受关注。铁电琥珀酸具有良好的热电性能。琥珀酸是一种天然存在的有机材料，属于二羧酸，是三羧酸循环的中间体。它通常用于生物和工业应用，也用作红外 (IR) MALDI 分析方法中的基质 [3-4]。目前，琥珀酸晶体广泛用于制造高电子迁移率晶体管 (HEMT)。琥珀酸与有机材料的结合提高了其铁电性能 [5]。在多晶型晶体中，氨基酸甘氨酸是最简单的晶体，在环境条件下表现出三种不同的多晶型，即 α-甘氨酸、β-甘氨酸和 γ-甘氨酸。甘氨酸的有机和无机复合物最近因其铁电、介电和非线性光学特性而受到科学界的关注。γ-甘氨酸晶体表现出强压电和非线性光学效应 [6-8]。甘氨酸同质异形体的非线性和介电响应是器件制造应用的重要参数。为了制造非线性光学器件，材料应在高频区域具有低介电常数和低介电损耗。此外，还要减少微电子工业中的 R c 延迟。如今，各种研究人员报告了 γ-甘氨酸单晶的一些重要特性 [9-12]。因此，在目前的研究中，已从琥珀酸添加剂环境中收获了 γ-甘氨酸单晶。
无茎INSB纳米线网络和纳米片在INP
在耐断层拓扑回路实现实验中的摘要是将纳米线与最小疾病相互连接。合并形成的平面外依赖二胺（INSB）纳米线网络是潜在的候选者。然而，它们的生长需要一个外来物质茎通常由INP – INA制成。该茎施加了局限性，其中包括限制纳米线网络的大小，通过晶界和杂质掺入引起障碍。在这里，我们省略了INP底物上无茎INSB纳米线网络的生长。为了使生长无茎，我们表明在INSB生长之前，需要使用Arsine（Ash 3）进行预处理。通过用纳米腔的选择性区域掩膜对底物进行构图，可以实现无茎纳米线生长的高收益，其中包含纳米线产生的受限金液滴。有趣的是，这些纳米线是弯曲的，由于合并故障而构成了互连纳米线网络的挑战。我们将这种弯曲归因于INSB纳米线中的砷杂质和插入式晶格不匹配的非均匀掺入。通过调整生长参数，我们可以减轻弯曲，从而产生大型和单晶的INSB纳米线网络和纳米片。这些纳米结构的大小和晶体质量的提高扩大了该技术制造先进量子设备的潜力。
这项工作是在
*通讯作者，电子邮件：cyprian.mieszczynski@ncbj.gov.pl摘要摘要McChasy Code的主要目标是，通过模拟在Cryselline结构和crysefters cryselline cropters cryselline cropters和collesters的过程中，在通道（RBS/c）中记录了Rutherford反向散射光谱实验实验，该光谱实验是在频道/c/c中复制了。该代码的2.0版本提供了模拟大型频道的可能性（Ca.10 8原子）基于晶体学数据或分子动态（MD）计算而创建的任意结构。在这项工作中，我们介绍了代码的当前状态以及最近对镍（Ni）单晶形成的扩展结构缺陷（边缘位错和位错环）的研究结果。描述了两种建模扩展缺陷的方法：一种使用McChasy Code（PEIERLS-NABARRO方法）开发的，另一种是通过MD（LAMMPS代码）对Ni结构进行修改和热化获得的另一种。由局部弹丸 - 通量密度分布在缺陷周围进行了定性和定量研究。1。在过去的几十年中，许多组对不同材料的辐射缺陷进行了广泛的研究。许多作者[1-4]将卢瑟福的反向散射光谱（RBS/C）技术用作分析离子植入单晶的结构特性的标准方法[1-4]。不幸的是，缺乏适当的RBS/C光谱分析和过度简化方法的工具，通常会引起误导性结果。因此，开发一个适当的工具，可以分别针对在研究晶体中形成的各种缺陷进行详细的定量分析。McChasy V.1.0是在八十年代末在国家核研究中心开发的[5,6]。该代码的第一个版本的主要原理是通过模拟He-ions在内部旅行
BC MSC.CDR
1。I. Tsiapkinis，IKZ柏林，带开源软件的浮动区域过程的多物理模拟2。C. Rhode，Ikz Berlin，用于应变工程功能氧化物层的己酸盐底层晶体的生长和研究3.F. Kannemann，Ikz Berlin，熔融4的有机晶体生长的实验研究。N. sahsuvar，Uni Freiburg，全无机CS 2 Agbibr的合成和表征6双钙钛矿单晶用于辐射检测器应用5。C. Hartmann，Ikz Berlin，散装ALN晶体的生长具有有效的直径和表征25 mm Aln底物的表征6。L. Grieger，Freiberg Instruments，使用表面光伏特光谱研究7.R. Karhu，IISB Erlangen，4H-SIC A-Plane底物上的同性恋8。P. Wimmer，IISB Erlangen，4H-SIC底物中残留应力的光弹性测量用于评估晶体生长过程9.M. Zenk，IISB Erlangen，对气体组成和流速的影响以及动力学参数对Gan Boules HVPE生长期间生长速率的影响。V. Zimmermann，MPI Stuttgart，Prnio的高压光浮动带3单晶11。A.Böhmer，Uni Bochum，单晶的生长和跨金属化合物的表征，作为学士学位和硕士学生的高级实验室课程12.J. Strahl，Uni Frankfurt，Eumn 2 x 2，x = Si，ge 13。F. Walther，M。Ocker，Uni Frankfurt，材料的晶体生长接近关键端点和Altermagnets 14。S.