提出了通过3D打印过程获得的各向异性,弹性碎裂模型的相位场模型。开发了各向异性相位的延伸到弹性性模型。该模型能够描述从准脆性到弹性塑料断裂行为的过渡,具体取决于微观结构在外部载荷方面的层角度。这种特征特别是描述分层印刷材料中各向异性断裂行为。本模型引入了两个相字段变量,一个散装断裂损伤和一个微界面损伤变量,描述了两种不同的微损伤机制。最后,我们提出了一种原始方法,以使用代表性体积元素上的数值均质化来识别宏观应变密度作为微界面损伤变量的函数。数值研究表明,目前的模型相对于网状修复是收敛的,并允许描述分层弹性塑料结构中的复杂裂纹启动和传播。提供了实验比较,以验证将这种模型用于3D打印聚合物材料的使用。
b'Introfuction。现代宇宙学的目标之一是曲率扰动P(K)的原始功率谱的表征。在通货膨胀期间,在辐射和物质时代的哈勃半径经典和重新输入膨胀的半径时,长波长量子波动扩增,为重力不稳定的初始种子提供了宇宙大规模结构中的初始种子。P(k)上最严格的约束来自宇宙微波背景(CMB)各向异性的表达,揭示了在范围内非常大的尺度上的近规模不变的,略带红色的频谱[0。001,0。1] mpc \ xe2 \ x88 \ x92 1。Planck DR3数据在k = 0时限制了p(k)的幅度a s。05 MPC \ XE2 \ x88 \ x92 1及其Spec-Tral索引到LN 10 10 A = 3。044 \ xc2 \ xb1 0。014和N S = 0。9649 \ xc2 \ xb1 0。0042分别为68%Cl [1]。 银河系可以将这些约束扩展到O(1)MPC \ Xe2 \ x88 \ x92 1,但较小的尺度仍然很大程度上不受约束。 Recent observations of a Stochastic Gravitational Wave Background (SGWB) at nHz frequencies by Pul- sar Timing Arrays (PTA) [2\xe2\x80\x935] have sparked a signifi- cant interest in P ( k ) at much smaller scales, since scalar fluctuations can generate such a SGWB at second order in perturbation theory [6 \ xe2 \ x80 \ x938]在秤[10 7,10 9] mpc \ xe2 \ x88 \ x92 1。 如果下达,PTA测量值可能会在通货膨胀的后期提供有价值的信息,对理论模型产生了深远的影响。0042分别为68%Cl [1]。银河系可以将这些约束扩展到O(1)MPC \ Xe2 \ x88 \ x92 1,但较小的尺度仍然很大程度上不受约束。Recent observations of a Stochastic Gravitational Wave Background (SGWB) at nHz frequencies by Pul- sar Timing Arrays (PTA) [2\xe2\x80\x935] have sparked a signifi- cant interest in P ( k ) at much smaller scales, since scalar fluctuations can generate such a SGWB at second order in perturbation theory [6 \ xe2 \ x80 \ x938]在秤[10 7,10 9] mpc \ xe2 \ x88 \ x92 1。如果下达,PTA测量值可能会在通货膨胀的后期提供有价值的信息,对理论模型产生了深远的影响。最近的研究表明,这种标量引起的重力波背景(SIGWB)可以为PTA检测提供一个能力的解释,并且可能会对来自贝叶斯观察的许多其他候选者进行案例[9,10](但是,请参阅[9 \ xe2 \ x80 \ x80 \ x9313],以ellite tountion of Extimation of Exteration to inton of toseation portod of tosod of tosod of to pod stod of pod,以供pbod of profod of prod。 [11 \ xe2 \ x80 \ x9316]用于替代分析)。因此,设计这一假设的进一步检验至关重要,并且与cos-'
制造微机电系统 (MEMS) 的两种主要方法是体微加工技术和表面微加工技术。在体微加工的情况下,可移动结构的制造是通过选择性蚀刻掉结构层下面的处理基板来完成的,而在表面微加工中,一系列薄膜沉积和对堆栈中特定层(称为牺牲层)的选择性蚀刻产生最终所需的悬浮微结构。这两种 MEMS 制造方法的关键步骤是控制释放区域,从而精确定义柔顺机械结构锚 [1],如图 1 a 和 b 所示,显示了锚的底蚀。湿法或干法蚀刻工艺都可以去除牺牲层,使用前一种方法会遇到粘滞,而后一种方法会引入污染或残留物 [2]。选择牺牲层时需要考虑的重要设计因素包括:(i) 沉积膜的均匀性和厚度控制、(ii) 沉积的难易程度、(iii) 蚀刻和沉积速率、(iv) 沉积温度以及 (v) 蚀刻选择性。光刻胶由于易于蚀刻(使用氧等离子体或有机溶剂)且不会损害大多数结构材料而被用作牺牲层 [3–6]。然而,该工艺仅限于低温
在某些频率下,通过抗磁性有序的磁晶体传播的光传播可以表现出与双曲线极性子相关的各种现象。由于强烈的各向异性而出现了有趣且可能有用的现象,这是由镁质 - 波利顿共鸣驱动的强烈各向异性的,包括负折射和聚焦在扁平镜头中。在双曲介质中,这种不寻常的光学器件通常在各向异性垂直或与介质的界面平行时表现出来。然而,各向异性方向可以是控制波传播的关键药物。在这里,我们探讨了如何使用这种材料特性来大幅度修改光学现象。更具体地说,我们发现,通过将光轴的方向倾斜相对于抗铁磁晶体的表面,可以获得不对称的波传播,进而可以用来将其用于横向调节由双胞胎介质制成的平面镜头的焦点。
电子相关性通常会诞生量子材料中的各种订单。最近,发现有密切相关的kagome抗磁铁FEGE是在A型抗磁磁性状态内经历电荷密度波转变,从而提供了探索电荷顺序和磁性之间相互作用的机会。在这里,我们报道了在退火的Fege晶体中观察到各向异性电阻率和霍尔效应以及拓扑结构的影响。当电流沿着AB平面流动时,ρAB的温度依赖性表现出与T CDW处的一阶转变相关的独特电阻率环。所施加的磁场不会改变t CDW,但可以在H SF处诱导自旋流过渡。因此,在cant下方的倾斜的抗铁磁(CAFM)状态中观察到了场诱导的大拓扑厅的效应,这可能归因于自旋流动过程中的非平凡自旋质地。虽然由于电流平行于C轴,因此ρc和χC中的场诱导的跃迁都消失了。相反,退火fege中的大厅电阻率显着表现出与线性领域依赖性的偏差。这些发现为揭示Kagome磁铁中磁性,电荷顺序和拓扑之间的相互作用提供了宝贵的见解。
我们研究了强磁场中非相互作用电子的二维(2D)液滴,并以任意形状放置在狭窄的电势中。使用适合最低兰道水平的半经典方法,我们获得了近高斯能量特征状态,这些特征态位于电势的水平曲线并具有位置依赖性高度。这个单粒子的见解使我们能够推断出在热力学极限下的局部多体观测值(例如密度和电流)的期望值。特别是沿边缘的相关性是长期的且不均匀的。正如我们所显示的,这与系统的通用低能描述是边缘模式的免费1D手性相形的野外理论,这是简单几何形式中早期作品所知的。征收本征函数的径向依赖性和角度依赖性之间的微妙相互作用最终确保了该理论在潜力的规范角度变量方面是均一的,尽管其明显的不均匀性在更幼稚的角度坐标方面。最后,我们提出了一种方案,通过将液滴降低到微波辐射中来测量各向异性。我们计算相应的吸收率,并表明它取决于液滴的形状和波浪的极化。这些结果,无论是局部还是全局,在固态系统或2D电子气体的量子模拟器中都可以观察到,并具有高度控制限制电位的量子。
光涡流具有通过利用轨道角动量的额外自由度来增加数据容量的巨大潜力。另一方面,各向异性2D材料是对未来综合偏振敏感光子和光电设备的有希望的构建块。在这里,用在超薄2d仙境植物燃料上构图的叉全息图证明了高度各向异性的第三谐波光学涡流束的产生。表明,各向异性非线性涡流束的产生可以独立于叉形方向相对于晶体学方向而实现。此外,2D叉全息图旨在产生具有不同各向异性反应的不同拓扑电荷的多个光学涡旋。这些结果铺平了迈向基于2D材料的各向异性非线性光学设备,用于光子整合电路,光学通信和光学信息处理。
AAA 算法因其准确性和在放射治疗计划中的广泛应用而广受赞誉,但由于该算法仅依赖于组织密度参数,因此忽略了元素组成这一基本方面,因此存在局限性 [5-7]。这会影响其在组织密度不同和植入原子序数较高的材料的区域的精度。相比之下,Acuros XB (AXB) 是一种先进的算法,可直接求解线性玻尔兹曼传输方程,更有效地提供蒙特卡罗级精度 [8, 9]。AXB 通过将剂量计算分为两个阶段来改进 AAA:模拟加速器头部的辐射束,然后计算患者体内的剂量分布。AXB 的独特之处在于它详细考虑了组织的元素组成,将体素几何形状与 CT 扫描的质量密度和材料组成对齐。这确保了在不同密度环境中的高精度。AXB 主要计算介质剂量,但可以将其转换为水剂量,从而引入一些不确定性。然而,剂量-中等仍然是治疗评估和结果分析的首选,并且正在对最佳临床剂量报告方法进行研究[10, 11]。
热电材料能够实现热和电的直接转换,在制冷和发电方面有着良好的应用前景,引起了人们的广泛关注。考虑到更广泛的应用场景和在室温(RT)附近更大的需求,在过去的几十年里,在室温附近具有高性能的 TE 材料引起了广泛的研究关注。材料的 TE 性能通过其无量纲性能系数 zT = S 2 σT/(κ e +κ L ) 来判断,其中 S、σ、T、κ e 和 κ L 分别为塞贝克系数、电导率、绝对温度、热导率 κ 的电子和晶格分量。到目前为止,Bi 2 Te 3 基合金是唯一在 RT 附近具有理想 zT 值的商业化材料,而 n 型 Mg 3 Sb 2 最近被认为是另一种有前途的 TE 材料,其 zT 在 RT 附近约为 0.8。 Bi 2 Te 3 和 Mg 3 Sb 2 均具有本征的低晶格热导率κL,这是其高TE性能的基础之一。1-4