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World File Search System噪声分析
基于gm/ID的噪声分析的统一解释
纳米级金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 电路设计受功耗约束驱动。当晶体管在弱反型区工作时，功耗最小。1 在没有适合进行封底计算的模型的情况下，设计人员通常使用艰巨的电路模拟来探索设计空间。过度依赖电路模拟器可能会带来问题，可能会诱使没有经验的设计人员在没有了解适当优化的电路中的基本权衡的情况下深入模拟。1996 年，Silveira 等人提出了一种强大的跨导到漏极电流 (gm /ID) 技术，帮助设计人员快速确定晶体管的尺寸。1 所谓的“gm /ID 设计方法”最初是为了计算小信号增益和带宽等参数而开发的，1 后来扩展到噪声。2 在 Ou 2 于 2011 年发表的公式中，偏置相关热噪声系数 (γ) 和
附录 D 噪声分析详细信息
噪音研究更新 基准年，即 CY18，有 54 架 C-130 交付。根据需求，90% 的预期需求将等于或低于 75 架飞机（第 90 个百分位）。不采取行动替代方案使用相同的基准，但删除了 E-8C 并添加了 E-11A，正如任务转型环境评估的拟议行动中所述。作为此更新的一部分，在基准中添加了新的 C-130 发动机测试（即功能测试）位置。然后扩大了所有 C-130 活动以应对 39% 的增长。