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World File Search System四面体
具有稀有四配位 Ca 中心的丁基锡 Keggin 离子
摘要：烷基锡簇在纳米光刻中用于制造微电子器件。烷基锡 Keggin 家族是整个元素周期表中 Keggin 簇中独一无二的一个，它们似乎更倾向于较低对称性的 β 和 γ 异构体，而不是高度对称的 α 和 ε 异构体。因此，烷基锡 Keggin 家族可能提供有关 Keggin 簇形成和异构化的重要基本信息。我们合成并表征了一种具有四面体 Ca 2+ 中心的新型丁基锡 Keggin 簇，其完整结构为 [(BuSn) 12 (CaO 4 )(OCH 3 ) 12 (O) 4 (OH) 8 ] 2+ (β-CaSn 12 )。合成是一个简单的一步法。广泛的溶液表征包括电喷雾电离质谱、小角度 x 射线散射和多核（ 1 H、 13 C 和 119 Sn）NMR，表明 β-CaSn 12 基本上是纯相并且稳定的。这与之前报道的 Na 中心类似物不同，后者总是形成 β 和 γ 异构体的混合物，并且容易相互转化。因此，这项研究澄清了之前对 Na 中心类似物的复杂光谱和晶体学表征的混淆。密度泛函理论计算表明稳定性顺序为 γ-CaSn 12 < γ-NaSn 12 < β-CaSn 12 < β-NaSn 12 ； 类似物总是比 稳定，这与实验一致。这项研究的显著成果包括罕见的四面体 Ca 配位、无 Na 烷基锡簇（对微电子制造很重要）以及对由不同金属阳离子构成的 Keggin 家族的更好理解。
SAT 模拟考试 6 – 数字
在地球表面的正常大气压下，水分子形成四面体网络，由相邻分子之间的氢键稳定。极高压（例如深海水域的高压）会破坏这些键并压缩水的结构，从而使生物体内的水分子渗透到蛋白质中并阻碍关键的生物功能；然而，被称为嗜压菌的深海生物已经适应了极端压力。研究发现，各种嗜压菌栖息的深度与其肌肉组织中一种名为氧化三甲胺 (TMAO) 的化合物浓度呈正相关，这促使一组研究人员假设 TMAO 会降低水的压缩性。
ZnGa2O4(100)单晶表面电子结构的实验和理论研究
因此，对于应用而言，非常需要一种带隙与 β -Ga 2 O 3 一样宽但对称性更高的材料。最近，Galazka 等人报道了块体熔融生长的高结构质量 ZnGa 2 O 4 (ZGO) 单晶，可由其制备不同取向的绝缘和半导体晶片。[11,12] ZGO 结晶为立方尖晶石结构（Fd3m 空间群），如图 1 中的球棒模型所示。尖晶石是指一类化学式为 AB 2 X 4 的化合物，其中 A 是二价阳离子，如 Zn，B 是三价阳离子，如 Ga，X 是二价阴离子，如 O。在 ZGO 的正常尖晶石结构中，Zn 占据四面体位置，而 Ga 占据八面体位置。在高温熔体生长过程中，八面体和四面体位置的占据是随机的。[11] 长时间冷却可稳定正常尖晶石结构，而较短的冷却时间会引入反位缺陷。反位缺陷导致 n 型导电性，自由电子浓度在 10 18 – 10 19 cm 3 的数量级上。在氧化气氛中以 800 – 1400 C 的温度进行 10 小时的生长后退火或在 700 C 的温度进行 40 小时的生长后退火后，ZGO 晶体可转变为绝缘状态。[11 – 13] 由于其立方尖晶石结构，ZGO 具有各向同性的热性能和光学性能。发现 ZGO 的光学带隙为 4.6 eV，接近 β -Ga 2 O 3 的光学带隙，并且没有观察到优选的解理面。[11,12]
具有稀有四配位 Ca 中心的丁基锡 Keggin 离子
摘要：烷基锡团簇在纳米光刻中用于制造微电子器件。烷基锡 Keggin 家族是整个元素周期表中 Keggin 簇中独一无二的一个；其成员似乎倾向于低对称性的 β 和 γ 异构体，而不是高度对称的 α 和 ε 异构体。因此，烷基锡 Keggin 家族可能为 Keggin 簇的形成和异构化提供重要的基础信息。我们合成并表征了一种具有四面体 Ca 2 + 中心的新型丁基锡 Keggin 簇，其完整结构为 [(BuSn) 1 2 (CaO 4 )- (OCH 3 ) 12 (O) 4 (OH) 8 ] 2+ ( β -CaSn 12 )。该合成是一个简单的一步法。广泛的溶液表征包括电喷雾电离质谱、小角X射线散射和多核（ 1 H、 13 C 和 119 Sn）核磁共振，表明β -CaSn 12 基本上是纯相并且稳定的。这与之前报道的Na中心类似物不同，后者总是形成β和γ异构体的混合物，并且容易相互转化。因此，这项研究澄清了之前对Na中心类似物的复杂光谱和晶体学表征的混淆。密度泛函理论计算显示以下稳定性顺序：γ -CaSn 12 < γ -NaSn 12 < β - CaSn 12 < β -NaSn 12。β类似物总是比γ类似物更稳定，这与实验一致。本研究的显著成果包括罕见的四面体 Ca 配位、无 Na 烷基锡簇（对微电子制造很重要）以及对由不同金属阳离子构成的 Keggin 家族的更好理解。■ 简介
材料化学 A - ePrints Soton
在溶剂热条件下，使用 SnCl 4 和 LiNH 2 前体，开发了一种合成尖晶石结构 Sn 3 N 4 的简单且可扩展的新方法。生产了晶粒尺寸 <10 nm 的纳米晶体 Sn 3 N 4，并作为钠半电池的阳极材料进行了测试，结果表明，在 50 次循环中测得的可逆（脱钠）容量非常高，约为 850 mA hg -1，这是除钠本身之外的钠阳极的最高可逆容量。原位 X 射线吸收光谱和 X 射线衍射表明，电化学反应是可逆的，并且 Sn 3 N 4 在重新氧化后会恢复。X 射线衍射表明，与 Sn 3 N 4 反射相关的峰在放电（还原）过程中变窄，证明较小的 Sn 3 N 4 颗粒主要参与电化学反应，并且峰的加宽在氧化后可以可逆地恢复。近边 X 射线吸收数据 (XANES) 分析表明，Sn 的氧化态在还原过程中降低，在氧化过程中几乎恢复到初始值。DFT 计算表明，Na 插入 Sn3N4 表面，然后用 Na 取代四面体 Sn 在能量上是有利的，而从还原电极的扩展 X 射线吸收精细结构 (EXAFS) 测量分析中获得了四面体 Sn 从尖晶石 Sn3N4 结构中去除的证据，这也表明氧化结束时恢复了原始结构。DFT 还表明，Na 取代 Sn 仅在 Sn3N4 表面有利（对块状 Sn3N4 不起作用），这与电化学表征一致，即控制纳米颗粒尺寸对于充分利用 Sn3N4（从而实现高容量）至关重要。
![arXiv:2306.15232v2 [quant-ph] 2024 年 1 月 19 日](/simg/8\8dab3f41492a8b2048a9279e83129f7c5723b21b.webp)
arXiv:2306.15232v2 [quant-ph] 2024 年 1 月 19 日
我们研究了几何结构对热环境下自旋簇中量子相干性保存的影响。假设自旋间耦合较弱，我们探索了可以嵌入平面的各种缓冲网络配置。我们的研究结果表明，缓冲网络的连通性对于确定单个中心自旋中量子相干性的保存时间至关重要。具体而言，我们观察到，对于给定数量的缓冲自旋，最大平面图可产生最长的保存时间。有趣的是，我们的结果表明，保存时间并不会随着缓冲自旋数量的增加而持续增加。在我们的模拟中采用量子主方程，我们进一步证明由四自旋缓冲网络组成的四面体几何结构可提供对环境影响的最佳保护。
第二C2TN的高级材料会议
热电（TE）技术在几种方面有助于碳中立性，并且由于其多功能性和可靠性，TE系统适用于从温度控制到能源收获的各种应用。然而，当前商业TE系统对基于柜子的材料的依赖性引起了一些影响技术开发的重大挑战。在本演讲中，将概述“开始”如何解决此问题，其中包括生产P型硫化物材料，该材料融合了丢弃的次级硫化物，主要是四面体（铜抗硫酸盐）。资金和致谢：起始项目（项目Nº：101058632）由欧盟共同资助。表达的观点和观点仅是作者的观点，不一定反映欧盟或欧洲健康和数字执行机构的观点。欧盟和授予机构都不能对他们负责。
fusarum oxysparum从...
从图5中，1365cm⁻°和1210cm⁻⁻处的强峰分别指示存在三角形的Bo₃和四面体BO₄结构单元。这些单元构成了硼酸盐玻璃网络的骨干，BO₃单元有助于非线性光学性能，并且BO₄单位增强了玻璃的热和机械稳定性。887cm⁻见的峰表示BI-O振动或B-O-B弯曲，强调了BI₂O₃作为网络修饰符的作用。此添加引入了非桥接氧原子（NBOS），该原子破坏了连续的硼酸盐网络并影响玻璃的光学和结构特性。总体而言，FTIR数据验证了将稀土氧化物和修饰符成功掺入玻璃基质中，从而突出了系统对高级光学和电子应用的适用性。
INSA 杰出讲座-2 获奖者
化学 Natarajan, Srinivasan（生于 1960 年 5 月 27 日）博士，印度科学研究所班加罗尔固态和结构化学部。因其在无机材料化学领域的杰出和持续贡献而获提名，特别是在框架结构化合物的基本理解、确定金属有机骨架 (MOF) 合成的新中间体和途径、研究动力学和热力学因素在其形成中的作用、开创性地将 MOF 用于金属中心发光、溶剂依赖性室温铁电行为、异相催化以及作为陶瓷合成前体、研究锂正极电池材料、无机颜料、新型电催化剂和非线性光学材料，以及在四面体环境中稳定过渡金属离子方面。