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World File Search System型半导体
基于单个 n 型半导体聚合物的光...
图 1. 使用三电极装置探测 n 型薄膜的光电化学特性。(a) p(C 6 NDI-T 的化学结构。(b) 在 PBS 中电化学掺杂过程中 ITO 涂层 p(C 6 NDI-T) 薄膜的吸光度光谱的变化。(c) 黑暗条件下在 PBS 中记录的 ap(C 6 NDI-T) 薄膜的循环伏安法 (CV) 曲线。该薄膜涂在圆形微电极上 (A = 0.196 mm 2 )。扫描速率为 50 mV/s。箭头表示扫描方向，并标记还原峰。(d) 在 OCP 条件下测得的 p(C 6 NDI-T) 电极在黑暗（黑色）和暴露于红光（660 nm，406 mW/cm 2 ）时的奈奎斯特图。插图突出显示了高频下的阻抗曲线。 (e) 顶部：浸没在电解质中的薄膜与光相互作用的示意图（红色箭头）。光形成激子（移动的电子-空穴对），一些激子分解为自由电荷载体。底部：在 t= 0 分钟时开启红光照射（660 nm，406 mW/cm 2 ）约 2 分钟后，聚合物电极的 OCP 变化。
n 型半导体碲中的韦尔费米子的量子霍尔效应
（这里 n = 0,1,2 …）表明存在具有 π Berry 相的狄拉克费米子 2,3，这反映了狄拉克点的拓扑性质。从那时起，许多其他类别的在其能带结构中具有狄拉克/韦尔节点特征的拓扑材料被预测和识别 4,5，在自旋电子学、光电子学和量子计算应用方面具有巨大潜力。然而，这些由两个能带或两个自旋极化能带分支交叉产生的狄拉克/韦尔点通常仅限于没有可利用带隙的半金属。在这项工作中，我们引入了一种新的半导体系统：碲烯（碲的二维 (2D) 形式），在导带最小值附近具有韦尔节点特征。二维极限下的拓扑材料和半导体的结合使我们能够以更可控的方式探索韦尔物理并设计拓扑器件。