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集成数字、射频和光学功能的封装系统 (SOP) 基板和模块
摘要 封装研究中心一直在开发下一代系统级封装 (SOP) 技术，该技术将数字、RF 和光学系统集成在一个封装上。SOP 旨在充分利用片上 SOC 集成和封装集成的优势，以最低的成本实现最高的系统性能。微型多功能 SOP 封装高度集成，并制造在类似于晶圆到 IC 概念的大面积基板上。除了新颖的混合信号设计方法外，PRC 的 SOP 研究还旨在开发封装级集成的支持技术，包括超高密度布线、嵌入式无源元件、嵌入式光学互连、晶圆级封装和细间距组装。这些支持技术中的几项最近已集成到使用智能网络通信器 (INC) 测试平台的首次成功的 SOP 技术系统级演示中。本文报告了 PRC 上最新的 INC 和 SOP 测试平台结果，并深入了解了未来融合微系统的 SOP 集成策略。本文的重点是将材料、工艺和结构集成到单个封装基板中，以实现系统级封装 (SOP)。
采用湿法钪蚀刻在硅基板上形成硬掩模
如今，微电子技术需要寻找新材料，包括用于创建结构的掩模。中间硬掩模策略是实现微电子制造中光刻和蚀刻之间良好平衡的关键问题之一。微电子和光伏技术中一个有趣的挑战是在 Si 衬底上创建间距垂直取向的硅阵列，用于多功能半导体器件。制造这种结构仍然是一个严重的技术问题，需要寻找新的方法和材料。在这项工作中，我们建议使用钪作为硅上的新硬掩模材料，因为它具有高抗等离子化学蚀刻性和低溅射系数。我们已经证明，对厚度为几纳米的钪层进行湿法蚀刻可用于在硅上获得分辨率高达 4 微米的图案结构，这对于湿法蚀刻方法来说是一个很好的结果。在选定的等离子蚀刻条件下，与其他金属掩模相比，钪是一种具有极佳抗性的硅掩模，蚀刻速率最低。因此，钪硬掩模可以为形成不同的微尺度地形图案开辟新的可能性。
在自由的基板上生长的gan epilayer的Ni Schottky屏障的当前运输
[5] K.J. Chhen，O.Häberlen，A。Flee，Sweep Linen Tsai，T。Ueda，Y。Uemoto，Y。Wu，Ieet Trans。 电子设备64，（2017）779。 [6] Y. Sun，X Age，Yeng，J Lu，X Tian，K Wei，H Wu，W.Wang，X。Franumer和G. Zhang，Electronics，vol。 8，不。 5，pp。 575，（2019）[7] j。 Y. Zhang，M。Sun，D。Piedra。 SCI。 半座。 Process。，78，75-84，（2018）。 Y. Zhang。 Sun，M。Liu，D。Piedra。 物理。 Lett。 110，193506（2017）。 F. Roccafort，F。Giannazzo，A SCI。 半座。 过程。 94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。[5] K.J.Chhen，O.Häberlen，A。Flee，Sweep Linen Tsai，T。Ueda，Y。Uemoto，Y。Wu，Ieet Trans。电子设备64，（2017）779。[6] Y.Sun，X Age，Yeng，J Lu，X Tian，K Wei，H Wu，W.Wang，X。Franumer和G. Zhang，Electronics，vol。8，不。5，pp。575，（2019）[7] j。 Y. Zhang，M。Sun，D。Piedra。SCI。 半座。 Process。，78，75-84，（2018）。 Y. Zhang。 Sun，M。Liu，D。Piedra。 物理。 Lett。 110，193506（2017）。 F. Roccafort，F。Giannazzo，A SCI。 半座。 过程。 94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。SCI。半座。Process。，78，75-84，（2018）。Y. Zhang。 Sun，M。Liu，D。Piedra。物理。Lett。 110，193506（2017）。 F. Roccafort，F。Giannazzo，A SCI。 半座。 过程。 94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。Lett。110，193506（2017）。 F. Roccafort，F。Giannazzo，A SCI。 半座。 过程。 94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. 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Maurya，J。Buckley，D。Alquier，H。Haas，M.R。 iRet，t。 Calsounis，M。Charles，N。Rohat，C。Snails，V。 [19] T.H. ngo，R。Country，E。Frays，H。Cauveau，St.Hengoon，B。Damilano，F。Ford，B。Beaumont，J.P。G. G. Greco，Franco，P。Grzanka，M。Leszczynski，C。Youth，G.G. G.G. 谴责，F。Roccafort，物理。 状态实体A，212（2015）1091-1098 [21] G. Greco，F。Iucolano，C。Bongs，F。Giannazzo，M。Krysko，M。Leszzynski，F。Roccafort，Appl。 冲浪。 SCI。 314（2014）546–551。 https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。Phung，T.H。非政府组织，P.D。 Mierry，E。FrayersH. Maher，J。Tasselli，K。Sub-Morease，Y。Cordier，D。Plannon，Microelectron。 J. 128，（2022）1055。 [15] A.Sanduplata，S。Alummaran，G.I。 ng，K。Ranjan。 物理。 展开。 13，074001（2020）。 [16] Z. Shi，X。Xiang，H。Zhang，Q.。 He，G。Jian，K。Zho，X。Zho，Xing，G。Xu，Smicond。 SCI。 树。 37（2022）065010。 [17] X. Liu，F。Lin，F。Li，Y。Ship，H.C。 Kuo，IEEE Trans。 电子。 dev。 69，1938（2022）。 [18] V. Maurya，J。Buckley，D。Alquier，H。Haas，M.R。 iRet，t。 Calsounis，M。Charles，N。Rohat，C。Snails，V。 [19] T.H. ngo，R。Country，E。Frays，H。Cauveau，St.Hengoon，B。Damilano，F。Ford，B。Beaumont，J.P。G. G. Greco，Franco，P。Grzanka，M。Leszczynski，C。Youth，G.G. G.G. 谴责，F。Roccafort，物理。 状态实体A，212（2015）1091-1098 [21] G. Greco，F。Iucolano，C。Bongs，F。Giannazzo，M。Krysko，M。Leszzynski，F。Roccafort，Appl。 冲浪。 SCI。 314（2014）546–551。 https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。非政府组织，P.D。Mierry，E。FrayersH. Maher，J。Tasselli，K。Sub-Morease，Y。Cordier，D。Plannon，Microelectron。J.128，（2022）1055。[15] A.Sanduplata，S。Alummaran，G.I。ng，K。Ranjan。物理。展开。13，074001（2020）。[16] Z. Shi，X。Xiang，H。Zhang，Q.。He，G。Jian，K。Zho，X。Zho，Xing，G。Xu，Smicond。SCI。 树。 37（2022）065010。 [17] X. Liu，F。Lin，F。Li，Y。Ship，H.C。 Kuo，IEEE Trans。 电子。 dev。 69，1938（2022）。 [18] V. Maurya，J。Buckley，D。Alquier，H。Haas，M.R。 iRet，t。 Calsounis，M。Charles，N。Rohat，C。Snails，V。 [19] T.H. ngo，R。Country，E。Frays，H。Cauveau，St.Hengoon，B。Damilano，F。Ford，B。Beaumont，J.P。G. G. Greco，Franco，P。Grzanka，M。Leszczynski，C。Youth，G.G. G.G. 谴责，F。Roccafort，物理。 状态实体A，212（2015）1091-1098 [21] G. Greco，F。Iucolano，C。Bongs，F。Giannazzo，M。Krysko，M。Leszzynski，F。Roccafort，Appl。 冲浪。 SCI。 314（2014）546–551。 https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。SCI。树。 37（2022）065010。 [17] X. Liu，F。Lin，F。Li，Y。Ship，H.C。 Kuo，IEEE Trans。 电子。 dev。 69，1938（2022）。 [18] V. Maurya，J。Buckley，D。Alquier，H。Haas，M.R。 iRet，t。 Calsounis，M。Charles，N。Rohat，C。Snails，V。 [19] T.H. ngo，R。Country，E。Frays，H。Cauveau，St.Hengoon，B。Damilano，F。Ford，B。Beaumont，J.P。G. G. Greco，Franco，P。Grzanka，M。Leszczynski，C。Youth，G.G. G.G. 谴责，F。Roccafort，物理。 状态实体A，212（2015）1091-1098 [21] G. Greco，F。Iucolano，C。Bongs，F。Giannazzo，M。Krysko，M。Leszzynski，F。Roccafort，Appl。 冲浪。 SCI。 314（2014）546–551。 https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。树。37（2022）065010。[17] X. Liu，F。Lin，F。Li，Y。Ship，H.C。 Kuo，IEEE Trans。电子。dev。69，1938（2022）。[18] V. Maurya，J。Buckley，D。Alquier，H。Haas，M.R。iRet，t。Calsounis，M。Charles，N。Rohat，C。Snails，V。[19] T.H.ngo，R。Country，E。Frays，H。Cauveau，St.Hengoon，B。Damilano，F。Ford，B。Beaumont，J.P。G. G. Greco，Franco，P。Grzanka，M。Leszczynski，C。Youth，G.G. G.G.谴责，F。Roccafort，物理。状态实体A，212（2015）1091-1098 [21] G. Greco，F。Iucolano，C。Bongs，F。Giannazzo，M。Krysko，M。Leszzynski，F。Roccafort，Appl。冲浪。SCI。 314（2014）546–551。 https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。SCI。314（2014）546–551。https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。https://doi.org/10.1016/j.apsusc。SCI。 SCI。SCI。SCI。SCI。F. Roccafort，F。Giannazzo，A半座。过程。94（2019）164–170。 https://doi.org/10.1016/j.mssp。 [23] R. T. Tung，Mater。 Eng。，R。35.1（2001）。 JP [24] J. P. Sun，R。M。R. Pinto和W. R. Graham，J。Apple。 物理。 70，7403（1991）。 [25] R. F. F. SCI。 树。 B 15,1221（1997）[26] F. Roccaforte，F。Via，V。Raineri，R。Pierobon和E. Zanoni，J。Appl。 物理。 93，9137（2003）。 F. Roccafort，G。Greco，P。 冲浪。 SCI。 606（2022）154896 [28] G. Greek，P。 物理。 129（2021）234501。 M. Vivona。 G. G. G. Belocchi，L。Zumbo，S。 d：应用。 物理。 54（2021），055101。 F. A. A. Padovani和R. Stratton，固态。 9，（1966）695 [31] H. Kim; J. Electron。 mater。 50，（2021）6688–6707。94（2019）164–170。https://doi.org/10.1016/j.mssp。 [23] R. T. 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SAC3807无铅焊料与不同铜基板之间的界面反应通过反射焊接过程
摘要。铜底物的不同组成材料显着影响金属间化合物（IMC）形成和焊接接头耐用性。这项研究是针对无铅焊料和不同铜基板之间的界面反应进行的。选定的底物是铜（CU）和铜 - 晶状体（CU-BE）。所涉及的无铅焊料是直径为700 µm的SN-3.8AG-0.7CU（SAC3807）焊球。所有样品均经过等温老化过程。通过扫描电子显微镜（SEM），光学显微镜（OM）和能量色散X射线分析（EDX）检查了IMC形成的材料表征和分析。回流过程后，结果表明Cu 6 SN 5和Cu 3 SN IMC层在SAC3870/CU和SAC3870/CU-BE界面形成。在SAC3870/ CU上老化处理后，发生了类似杆状的形状Cu 6 Sn 5和针状Cu 3 Sn 4。同时，SAC3870/Cu-Be的IMC层显示出类似杆状的形状，变成了块状的形状形状Cu 6 Sn 5和Cu 3 Sn 4杆形状。此结果表明在SAC3807/CU和SAC3807/CU-BE的老化过程中，在金属间表面上形成了Ag 3 SN纳米大小。与SAC3807/CU相比，SAC3807/CU-BE的Ag 3 Sn纳米尺寸元件很多。此外，SAC3807/CU-BE的IMC厚度比SAC3807/CU显示出较厚的层。此外，由于百分比非常低，因此无法轻易检测到SAC3807/CU-BE的元素。
316L基板上VDM合金780激光金属沉积的过程图定义
摘要：VDM合金780是一种新型的基于Ni的超合金，与Inconel 718相比，机械性能较大的机械性能较大，其工作温度较高约50℃。年龄可硬化的尼古拉合金结合了提高的温度强度与氧化耐药性，以及由于γ' - 沉淀而提高的微观结构稳定性。这些优点使其适用于可用于高温应用中的耐磨性和耐腐蚀涂料。但是，VDM合金780尚未足够研究激光金属沉积应用。进行了316升标本上单个轨道的实验设计，以评估过程参数对clad质量的影响。随后，通过破坏性和非破坏性测试方法评估了外壳的质量，以验证VDM Alloy 780对于激光金属沉积应用的适用性。单轨实验为涂料或添加剂制造应用提供了基础。用于传达结果，提出了带有回归线的散点图，这说明了特定能量密度对所得孔隙率，稀释，粉末效率，纵横比，宽度，宽度和高度的影响。最后，在孔隙率方面，包裹的质量通过每个单位长度质量不同的两个过程图可视化。
由基于激光的有向能沉积在钣金基板上制造的杂交组件的材料表征
Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal Substrates Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal Substrates Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal Substrates Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal底物的材料表征由基于激光的有向能量沉积在钣金基板上制成的材料材料表征由基于激光的基于激光的有向能量对钣金底物的材料对混合成分制造的材料表征由激光基于激光材料的材料材料的材料材料的材料的材料材料的材料对材料的材料构造的材料的材料的特征，该材料的材料材料的表征是由材料的材料构造的材料构造的材料，该材料构成了杂种材料的特征，底物的材料表征由基于激光的有向能量沉积在钣金基板上制成的材料材料表征由基于激光的基于激光的有向能量对钣金底物的材料对混合成分制造的材料表征由激光基于激光材料的材料材料的材料材料的材料的材料材料的材料对材料的材料构造的材料的材料的特征，该材料的材料材料的表征是由材料的材料构造的材料构造的材料，该材料构成了杂种材料的特征，基板
通过使用 SmartSiCTM 基板，验证无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性
通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证
通过在脉冲激光沉积在Si基板上的脉冲激光层中的稀土掺杂微发射器
稀土发射器已在集成的光学源中研究了一段时间，作为激光源[1]和带有眼镜[2，3]或聚合物[4]的波导放大器。最近，它们被整合到互补的金属氧化物半导体（CMOS）驱动或兼容的SI光子芯片中，作为激光源[5]，放大器[6，7]以及调节剂[8，9]。稀土发射器为开发新的主动光学功能的可能性提供了许多可能性，该功能最初集中于第四组[10]或III-V材料[11，12]。然而，需要在硅平台上的有效掺入（例如粘结[13]，掩盖沉积[5，14]，额外的层[15]或蚀刻[16，17]，需要复杂的处理，这对实际应用可能是昂贵且有害的。尤其是Y 2 O 3和Al 2 O 3矩阵的情况，它需要电感耦合等离子体优化的蚀刻[18-20]。在这项工作中，我们提出了稀土掺杂层微发射体的创新设计，而无需使用升降加工与脉冲激光沉积（PLD）结合使用。在通过掩模（例如g。photoresist）的升降过程中，通过蚀刻的经典结构进行了蚀刻的经典结构，但在升降过程中，将材料与沉积的材料一起清除。这种方法比蚀刻更容易，避免沿蚀刻的侧壁潜在损害。尽管非常有吸引力，但提升过程的主要缺点之一是沉积过程中的底物温度。pld允许克服这种限制。升降处理是薄层图案（例如金属）或较厚层的微电子中常规的，具有低温沉积（如溅射）[21]，原子层[22]或玻璃沉积[23]。的确，如果底物温度高于200°C（即光固定剂的硬烘烤温度），则提升处理不能成功。PLD是一种通常用于
高温器件用超薄玻璃基板的直接键合与脱键合方法
sylvain.poulet@cea.fr 摘要 — 超薄基板上柔性薄膜电子设备的出现是由开发与前端和后端工艺完全兼容的替代处理方法的需求所驱动。这项研究的目的是提出一种新的超薄玻璃基板处理方法，该方法基于直接玻璃-玻璃键合和室温剥离脱粘。通过在超薄玻璃基板（<100µm）上实现薄膜电池（<20µm）来评估这一概念。为了键合，将超薄玻璃层压在厚的载体玻璃（>500µm）上，没有中间层。薄膜电池堆栈采用连续物理气相沉积法制造，温度高达 400°C。脱粘过程在室温下通过机械剥离层压在薄膜电池上的封装膜完成。结果，脱粘后超薄玻璃（<100µm）没有任何裂纹的迹象。此外，脱粘过程之前和之后进行的电化学阻抗谱 (EIS) 和恒电流循环表明器件性能略有稳定。
刚性和柔性基板上的 2D PEA2SnI4 喷墨打印卤化物钙钛矿 LED
过去十年，钙钛矿 (HP) 因其在光伏 (PV) 和发光二极管 (LED) 领域的优异光电特性而备受关注。1、2 其中，基于钙钛矿的发光二极管 (PeLED) 显示出超过 20% 的外部量子效率 (EQE)。3、4 最近，大量的研究集中在无铅 HP，主要是在 PV 中，作为解决毒性问题最有前途的策略。然而，无铅 PeLED 的开发受到的关注较少，主要是因为与含铅 PeLED 相比，它们固有的稳定性较低。因此，开发采用工业友好型技术制造的无铅 PeLED 是该领域的一个重要里程碑。3D HP 具有低激子结合能，使用低维结构（如 2D HP）是制造 PeLED 的首选。 5、6 与无铅 HP PV 的情况一样，Sn-HP 是开发 PeLED 最有希望的家族。尽管如此，尽管在性能（EQE 和亮度）方面取得了长足的进步，3、7、8 Sn 2+ 在其氧化状态下容易在环境条件下发生氧化，形成四价态 Sn 4+ 。这一事实导致了 ap 型自掺杂过程，留下不需要的 Sn 2+ 空位，这些空位充当非辐射复合中心，从而猝灭了钙钛矿发射。已经提出了几种方法和努力来克服 Sn 2+ 氧化。9 一些研究证实 SnF 2 是一种广泛用作太阳能电池中 Sn 补偿剂的添加剂，10、11 引入 Cl 掺杂，10 或使用适量的金属锡。10 使用 NaBH 4