摘要。铜底物的不同组成材料显着影响金属间化合物(IMC)形成和焊接接头耐用性。这项研究是针对无铅焊料和不同铜基板之间的界面反应进行的。选定的底物是铜(CU)和铜 - 晶状体(CU-BE)。所涉及的无铅焊料是直径为700 µm的SN-3.8AG-0.7CU(SAC3807)焊球。所有样品均经过等温老化过程。通过扫描电子显微镜(SEM),光学显微镜(OM)和能量色散X射线分析(EDX)检查了IMC形成的材料表征和分析。回流过程后,结果表明Cu 6 SN 5和Cu 3 SN IMC层在SAC3870/CU和SAC3870/CU-BE界面形成。在SAC3870/ CU上老化处理后,发生了类似杆状的形状Cu 6 Sn 5和针状Cu 3 Sn 4。同时,SAC3870/Cu-Be的IMC层显示出类似杆状的形状,变成了块状的形状形状Cu 6 Sn 5和Cu 3 Sn 4杆形状。此结果表明在SAC3807/CU和SAC3807/CU-BE的老化过程中,在金属间表面上形成了Ag 3 SN纳米大小。与SAC3807/CU相比,SAC3807/CU-BE的Ag 3 Sn纳米尺寸元件很多。此外,SAC3807/CU-BE的IMC厚度比SAC3807/CU显示出较厚的层。此外,由于百分比非常低,因此无法轻易检测到SAC3807/CU-BE的元素。
导致基板短缺的原因是什么? E. Jan Vardaman,TechSearch International, Inc. 总裁兼创始人 意外需求、全球供应链不确定性、事故和天气相关事件导致半导体短缺。所有类型的基板都供不应求;包括芯片级封装 (CSP) 和倒装芯片球栅阵列 (FC-BGA) 的基板。尽管未来几年将有一些产能扩张,并且新工厂计划在 2024-25 年上线,但预计至少两到三年内情况不会改善。一些公司正在考虑不使用基板的替代品,包括扇出型晶圆级封装 (FO-WLP)。采用 RDL 来减少基板设计的层数也在考虑之中。 导致 FC-BGA 需求的原因是什么?使用积层材料制造的 FC-BGA 基板需要支持用于服务器、笔记本电脑和台式机的 CPU、AI 加速器、电信中的 ASIC、HDTV、DSP 和 FPGA 等媒体芯片等应用的细间距凸块芯片。与该行业的许多领域不同,FC-BGA 的短缺并不是由疫情造成的。虽然对服务器、笔记本电脑和台式机的需求有所增加,但对额外基板制造能力的需求主要是由于某些领域的更大尺寸和增加的层数。ASIC 具有多种尺寸,常见的基板采用 4-2-4 积层结构。虽然许多应用使用 2-2-2 积层结构,但其他应用使用更大的数量和更大的尺寸。Apple 的 M1 采用 3-2-3 积层结构(见图 1)。服务器 CPU 的体积和层数增加是基板容量需求增加的主要原因。高端服务器 CPU 预计将使用最大 100mm x 100mm 的主体尺寸,核心每侧有 10 个构建层。在高端,高端网络交换机封装的边长在 70 mm 到 90 mm 之间。OSAT 报告称,他们预计到 2023 年将出现对 100mm x 100mm 基板的需求。正在考虑更大的主体尺寸。最小层数为每侧六或七层构建层,即将出现一些八层和九层构建层的设计。虽然单位产量较低,但由于基板大而复杂,因此对面板的要求很高,会影响面板上的布局以及面板产量。预计共封装光学器件将使用更大的 110 mm x 110 mm 主体尺寸。硅中介层呢?许多应用程序不是都将它们用于封装吗?是的,硅中介层用于 AI 加速器、高性能 FPGA 应用和高端网络交换机,但它们连接到层压积层基板上以完成封装。硅中介层通过焊球连接到层压基板上,通常间距为 130 µm。典型的 AI 加速器尺寸为 55 毫米 x 55 毫米。随着中介层尺寸的增加,需要更大的积层基板。台积电提出了超大的 2,500 平方毫米硅中介层,将
Illés Balázs 1),2) ,Olivér Krammer 1),2) ,Tamás Hurtony 1) ,Karel Dusek 2) ,David Busek 2) ,Agata
摘要:采用固相合成、研磨、压制和烧结工艺制备了含有堇青石、莫来石、SiO 2 玻璃和 SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 - BaO-ZrO 2 玻璃的玻璃陶瓷复合材料。使用加热显微镜、差示热分析、热重法、扫描电子显微镜、能量色散光谱、X 射线衍射分析、阻抗谱、透射法和时域光谱 (TDS) 检查了 Hz-MHz、GHz 和 THz 范围内的热行为、微观结构、成分和介电性能。获得的基板表现出 4.0-4.8 的低介电常数。自发形成的封闭孔隙取决于烧结条件,被认为是降低有效介电常数的一个因素。
摘要 玻璃可用作面板和/或晶圆级封装的核心基板,以实现日益复杂的封装中芯片和集成无源器件的异构集成。玻璃具有众多优势:玻璃的硬度 (i) 允许制造高精度的堆积层。这些堆积层在尺寸为 50mm x 50mm 及以上的大型芯片上可实现 1 m 及以下的制造精度,这是封装天线 (AiP) 应用和高性能计算 (HPC) 所需的。可以制造具有调整的热膨胀 (CTE) (ii) 的特殊玻璃,可以调整为硅或具有更大的热膨胀,以允许具有环氧树脂模具和金属化堆积层的封装在制造或运行期间承受高热负荷。玻璃还可以通过非常好的介电性能进行优化 (iii),并可用于封装天线。但最重要的是,经济的玻璃结构技术 (iv) 非常重要,它可以在玻璃面板中提供数百万个通孔和数千个切口,并且正在开发中。 SCHOTT 结构化玻璃产品组合 FLEXINITY ® 及其相关技术为先进封装所需的高度复杂的结构化玻璃基板提供了极好的起点。玻璃面板封装大规模商业化的最大障碍是整个工艺链的工业准备。这是将玻璃面板封装引入 IC 封装、RF-MEMS 封装和医疗诊断等应用所必需的,或者与扇出切口结合,嵌入有源和无源元件。此外,具有良好附着力、优异电气性能和高几何精度的玻璃金属化工艺是重要的一步。在当前的手稿中,我们回顾了现状并讨论了我们为实现面板和晶圆级封装中玻璃的工业准备所做的贡献。关键词玻璃中介层、玻璃封装、异质集成、面板级封装、玻璃通孔、晶圆级封装。
Jeff 在半导体封装领域拥有超过 25 年的经验,在被 Applied Materials 收购后,他领导着 Tango 产品组。他最初在 Semitool 担任工艺工程师,专攻电镀和湿法清洗,从封装行业起步。Semitool 被 Applied Materials 收购后,他的职业生涯转型为产品管理,然后是业务管理,负责支持 Applied 封装部门的电镀和 PVD 系统。
摘要 — 在 SiC 晶片上设计、制造和测量了不同几何形状的基片集成波导 (SIW),以及基于 SIW 的谐振器、基于 SIW 的滤波器、接地共面波导 (GCPW)、GCPW-SIW 过渡和校准结构。使用两层校准从 GCPW 探测的散射参数中提取固有 SIW 特性。由此产生的 D 波段 (110-170 GHz) SIW 表现出创纪录的低插入损耗 0.22 ± 0.04 dB/mm,比 GCPW 好四倍。3 极滤波器在 135 GHz 时表现出 1.0 dB 的插入损耗和 25 dB 的回波损耗,这代表了 SiC SIW 滤波器的最新水平,并且比 Si 片上滤波器好几个数量级。这些结果显示了 SIW 有望在同一 SiC 芯片上集成 HEMT、滤波器、天线和其他电路元件。关键词 — 腔体谐振器、微波滤波器、毫米波集成电路、半导体波导
摘要:改善脆性底物上纳米化薄膜的界面稳定性对于诸如微电子等技术应用至关重要,因为所谓的脆性 - 延性 - 延性 - 延性界面限制了其整体可靠性。通过调整薄膜特性,由于分层过程中的外部韧性机制,可以改善界面粘附。在这项工作中,在模型的脆性 - 凝胶界面上研究了膜微结构对界面粘附的影响,该模型由脆性玻璃底物上的纳米化cufim插头组成。因此,使用磁控溅射将110 nm薄的Cu纤维沉积在玻璃基板上。虽然在溅射过程中保持纤维厚度,残留应力和纹理的质地可比,但在沉积过程中和通过等温退火过程中,纤维微结构变化了,导致四个不同的cufifms产生了晶粒尺寸分布。然后使用应力的MO覆盖剂确定每个Cufim的界面粘附,这触发了直接自发扣的形状的Cufifm分解。每个薄膜的混合模式粘附能的范围从较大晶粒的膜的2.35 j/m 2到4.90 j/m 2的纤维,对于纳米晶粒量最高的薄膜。使用聚焦的离子束切割和通过共聚焦激光扫描显微镜对扣子进行额外研究,可以通过对扣的额外研究进行清晰的效果,以将其切换并量化固定在弯曲的薄膜中的弹性和塑性变形的量。关键字:薄膜粘附,脆性 - 延性界面,自发扣,纤维微观结构,纳米化的cufifms可以证明,具有较小晶粒的膜表现出在分层过程中吸收更高量的能量的可能性,这解释了它们较高的粘附能量。
智能传感器的要求是多方面的:微型化、高可靠性和集成度、成本效益、密封性和生物相容性,适用于医疗应用。DYCONEX 已经开发出新颖的创新方法来设计、制造和实现此类传感器模块。通过将半导体行业的薄膜技术与传统的柔性电路制造技术相结合,可以制造出性能增强的基板,并使用标准 SMT 工艺进行组装。作为基础材料的液晶聚合物 (LCP) 是一种化学和生物稳定的热塑性聚合物,可实现尺寸最小、水分渗透率最低的密封传感器模块,而目前只有无机封装材料才能实现这种尺寸最小、水分渗透率最低的密封传感器模块。大规模自动化生产和廉价的有机材料使成本水平极具竞争力。