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World File Search System填充
yincae：UF 158重新定义大型芯片的底部填充
uf 158拥有出色的流动性，即使在大型100x100毫米芯片中，也可以轻松地填充小至10微米的空白。其独特的配方可确保在室温下快速固化，从而大大减少生产时间和能源成本。此外，UF 158ul具有出色的可靠性，为热应力，水分和机械冲击提供了强大的保护，从而确保了长期的设备性能。
hport 指挥部 兵员 auic bsc 等级 b 设计填充
HPORT COMMAND BILLET AUIC BSC Rank B DESG FILL SDGO CVN 71 T Rooseveltgun BOSS 21247 20180 CDR 6360 2412 BREM CVN 76 REAGAN DIV WEP GEN (G-3) 22178 20210 LT 6360 2504 SDGO/SASLHA 7 TRIPOLI WEP GEN 27501 6390 LCDR 6360 2505 NORTI NMCCWDDT NORTHISWEP&AMMO PROD 61047 34305 LT 6360 2509 MECH CNSSC NALC MECH STK CTL RQMT/STOCKPILE MG3172A 83520 LTJG 6360第2510章CNAVSAFECEN NORV WEAPONS SAFETY 63393 13010 LCDR 6360 2510 SDGO CVN 70 VINSON OHO 20993 20190 LCDR 6360 2511 红色项目为热填充，可以在正常详细说明窗口之外进行讨论。
F-CVD系统制备DMDMOS的间隙填充特性和薄膜特性
为了实现大规模集成，在半导体衬底上制造的集成电路需要多层金属互连，以将半导体芯片上的半导体器件的离散层电连接起来。不同层级的互连由各种绝缘层或介电层隔开，这些绝缘层或介电层通过蚀刻孔将一层金属连接到下一层金属。随着特征尺寸的缩小和芯片上晶体管密度的进一步增加，后端铝互连的电阻和寄生电容已成为限制高性能集成电路 (IC) 电路速度的主要因素。1-2) 通过减小绝缘层的厚度，金属线之间的层内和层间电容会增加，因为电容与线之间的间距成反比。随着电容的增加，电阻-电容 (RC) 时间延迟会增加。增加 RC 时间延迟会降低电路的频率响应并增加信号通过电路的传播时间，从而对
以钠为传热流体的填充床热能存储原型的开发
• 几种替代的钠兼容热存储选项正在开发/商业化 • 固体材料中的显热能存储，例如石墨（Graphite Energy） • 相变材料中的潜在能量存储，例如碳酸盐和氯化物盐（UniSA），Al和Al-Si（Azelio） • 组合显热/潜在能量存储，即嵌入固体基质材料中的PCM，例如石墨中的Al（MGA Thermal）
单轴循环拉伸下的填充聚合物油墨 - NSF-PAR
图 2. 0.5 毫米 PE874 打印线 (a) 较小区域的地形图，应变达到 80%。虚线轮廓内的区域被选中用于 (b) 3D 渲染。 (c) 同一样品在 50% 和 80% 应变之间循环 100 次后的 2D 轮廓测量场。 (d) 平移图关联插图 (a) 和 (c) 中显示的循环前后样品扫描的位移。请注意，平移几乎均匀，幅度约为 25 μm。结果
FSSF：在单位超立方体内生成完全顺序的空间填充设计
描述提供 Shang 和 Ap-ley (2019) < doi:10.1080/00224065.2019.1705207 > 提出的三种方法，用于在单位超立方体内生成完全顺序的空间填充设计。'完全顺序的空间填充设计'是指嵌套设计的序列（因为设计大小从一个点到某个最大点数不等），其中设计点一次添加一个，并且每个尺寸的设计都具有良好的空间填充特性。两种方法以最小成对距离标准为目标并生成最大最小设计，其中一种方法在设计规模较大时更有效。一种方法以最大孔尺寸标准为目标，并使用启发式方法来生成更接近极小最大设计的设计。
65 nm Beol Electro-Copper Plating Gap填充能力研究。
图5.2。相对电阻与EM测试的时间降解图。图中指出了两种不同的降解行为模式。...............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................5.3。分别用于带有双层和三层屏障的样品的t = 275、300、325°C的时间的CDF图和j = 2×10 -6 a/cm 2。.....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................5.4。fib图像显示了（a）早期和（b）晚期失败的双层的下游诱导的空隙，以及（c）早期和（d）晚期失败的三层。虚线箭头指示电子流的方向。................................................................................................ 55 Fig.5.5。在t = 300°C下的双层三层屏障样品的双峰拟合。.................................................................................................. 56 Fig.5.6。Arrhenius图作为分裂A和B的温度的函数。提取早期和晚期失败模式的激活能。....... 58图6.1。tem显示了分裂的典型模具的Cu凹陷深度（a）a，（b）b和（c）c，分别为低，中值和高降低。....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 64图6.2。在M2层的三个拆分中有缺陷的死亡百分比。............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 65图6.3。通过V2M2处的三个分裂的接触电阻。6.4。6.5。6.6。.....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................在t = 275、300、325°C分开a的时间的时间（TTF）的CDF图（TTF），J = 2×10 6 A/cm 2。.................................................................................... 67 Fig.来自PFA的EM测试结构的 FIB图像显示了（a）早期和（b）晚期失败的下游诱导的空隙。 ................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 使用物理方法在t = 300°C下分裂A至C的双峰拟合。69图 6.7。 MTTF的Arrhenius图作为拆分a的温度的函数。 7.1。 2步（实线）和3步（仪表板线）Cu种子层的沉积功率。 ............................................................................................................ 76 Fig. 7.2。 （a）带有3步和2步Cu种子层的金属线的泄漏电流和（b）板电阻。 ....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 78FIB图像显示了（a）早期和（b）晚期失败的下游诱导的空隙。...................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................使用物理方法在t = 300°C下分裂A至C的双峰拟合。69图6.7。MTTF的Arrhenius图作为拆分a的温度的函数。7.1。2步（实线）和3步（仪表板线）Cu种子层的沉积功率。............................................................................................................ 76 Fig.7.2。（a）带有3步和2步Cu种子层的金属线的泄漏电流和（b）板电阻。....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 78
设计优化创新的分层径向流量高温填充床热能存储
目前的工作介绍了一种创新的分层径向流量堆满的热能储能，能够增强热力和静水性能，从而限制了它们固有的权衡。通过1D-TWO相数值方法，在热力学方面和流体动力学方面都在建模所提出的填充床的热量储能概念的性能。用于工业应用和实验室原型的代表性存储大小被认为是为了突出规模的潜力和原型制作的代表性。形象。研究包括一组主要设计变量以及一组旨在突出主要操作参数影响的敏感性分析的热量存储设计的多目标优化。结果表明，所提出的存储几何形状可以同时优化热力学性能和流体动力性能。相对于统一的径向流量堆积的床存储（相对于轴向流量单位，高于85％），提议的存储单元可以以高于70％的压降降低，而有用的持续时间降低低于5％。工业规模的存储将受益于低宽高比和模块化单元的布置，从而确保系统的灵活性增强并减少了寄生消耗，这要归功于较低的压力损失，同时保证了充电和放电操作的大量有用持续时间。这项工作为未来的原型制作和验证铺平了道路。缩小的原型可以很好地表示所提出的热量储能解决方案的热和水动力行为和验证相关的基础。
住宅填充式开发项目的等级和服务计划指南
实施雨水管理措施是为了防止对目标物业、相邻物业和城镇基础设施产生负面影响。随着屋顶和硬化表面面积的增加，开发改变了径流的模式和数量。虽然单个物业的影响似乎微不足道，但通过作为城镇雨水总体规划一部分进行的建模，已经证明了对城镇市政雨水系统的累积影响。此外，在一些较旧的地区，排水沟随着时间的推移已经下沉，并且该地区平坦，额外的径流会加剧任何排水问题。因此，新的开发项目必须证明