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大面积和低噪声Ingaas雪崩光电二极管
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通过喷砂和大面积电子束照射相结合的方式对增材制造的 Ti-6Al-4 V 合金进行表面平滑处理
摘要 增材制造 (AMed) 钛产品通常采用电子束熔化 (EBM) 生产，因为在真空环境下可以抑制钛合金表面的氧化。AMed 钛产品的表面粗糙度超过 200 µm Rz，非常粗糙的表面会导致疲劳强度降低。因此，需要后续表面精加工工艺。喷砂是 AMed 金属产品常见的表面平滑工艺之一。它可以降低较大的表面粗糙度，并在表面引入压残余应力。然而，将表面粗糙度降低到几个 µm Rz 是有限的。另一方面，最近发现，通过激光束粉末床熔合生产的 AMed 金属表面可以通过大面积电子束 (LEB) 辐照进行平滑。然而，难以平滑初始表面粗糙度较大的表面，并且表面上可能产生拉残余应力。本研究通过喷砂和 LEB 辐照相结合的方式，实现了 AMed 钛合金 (Ti-6Al-4 V) 的表面平滑和残余应力的变化。通过喷砂和 LEB 辐照相结合的方式，AMed Ti-6Al-4 V 合金的表面粗糙度从 265 µm Rz 显著降低至约 2.0 µm Rz。LEB 辐照降低表面粗糙度的速率随喷砂表面平均宽度的减小而线性增加。平均宽度对 LEB 辐照平滑效果的影响可以通过热流体分析来解释。此外，当 LEB 辐照到喷砂表面时，可以降低 LEB 辐照引起的拉伸残余应力。
大面积β-Ga2O3肖特基势垒二极管及其...
在过去的十几年中，β-Ga 2 O 3 器件特别是肖特基势垒二极管（SBD）发展迅速，性能得到显著提高，目前已接近SiC和GaN的性能[7−12]。目前大面积器件的研究主要集中在与边缘终端的结合[13−16]，用于大电流应用的基线器件或称无终端SBD很少研究。我们最近的工作表明，通过界面工程可以大大提高小面积SBD的性能[11]，这为大面积器件的发展带来了机会。具有无终端的高性能SBD或许更能体现Ga 2 O 3 SBD的应用潜力。总之，Ga 2 O 3 SBD的应用更为成熟，其应用潜力有待进一步论证。
大面积多指β-Ga2O3 MOSFET及其自…
并取得了令人瞩目的成果[7−11]。为了最大限度地减少β-Ga2O3 MOSFET的SHE，已经提出了一些建设性的方法[12,13]，例如离子切割技术[14]、转移到异质衬底[15,16]和结构设计[17]。新的测量方法已经被用来表征β-Ga2O3 MOSFET的瞬态温度分布[18]。关于β-Ga2O3基MOSFET的大部分报道都集中在追求高PFOM和探索新的结构，然而实际应用中需要大面积结构来维持高的通态电流。对于大面积结构，由于表面积与体积比较小，SHE会比小器件更严重，值得研究。制备高性能大面积β-Ga2O3晶体管的主要挑战是材料生长的不均匀性和工艺流程的不稳定。有报道称，多指β-Ga2O3 MOSFET能够提供300 V的开关瞬变，电压斜率高达65 V/ns [19]，显示出巨大的潜力。尽管如此，电
大面积制造超薄金属有机框架......
与普遍使用的热驱动蒸馏工艺相比，膜基分离技术具有能耗低、操作简便、占地面积小等竞争优势。[1–3] 此类技术在水修复、气体净化、有机溶剂纳滤、催化剂回收、化学精炼等多种分离场景中具有广阔的应用前景。[4] 在制造基于陶瓷、[5–6] 聚合物 [7] 和混合基质等不同类型的膜方面已经取得了重大进展。[8–9] 与聚合物膜相比，传统无机膜（如沸石）表现出良好的热/化学稳定性，可以适应更恶劣的操作条件，具有无与伦比的分离性能。[5–7] 其缺点是由于其无机性质，其加工性能和孔径和微结构环境的可定制性有限，这可能会阻碍其
乙腈前的微波驱动的2H-MOS2的微波驱动的去角质会产生具有异常高收率的大面积超薄薄片
摘要：2D材料在许多领域都显示出令人兴奋的特性，但是应用程序的开发受到低收益，高处理时间和当前去角质方法质量受损的障碍。在这项工作中，我们使用了MOS 2的出色MW吸收特性来诱导快速加热，从而产生吸附的，低沸点溶剂的近乎稳定性蒸发。突然的蒸发产生了内部压力，可以以高效率分离MOS 2层，并且通过分散溶剂的作用将其保持分离。我们的快速方法（90 s）给出了高度的高产（47％，在0.2 mg/ml时为47％，在1 mg/ml时为35％）高度脱落的材料（4层以下90％），大面积（高达几μm2）和优质的质量（未检测到显着的MOO 3）。关键字：钼二硫化物，过渡金属二盐元素（TMDC），微波驱动的去角质，大面积超薄片，高横向尺寸，高产量t
大面积 InGaAs PIN 光电二极管
信息 xcelitas Technologies 的大面积 PIN 光电二极管类型 C30619GH、C30641GH、C30642GH、C30665GH 和 C30723GH 是高响应、低电容 InGaAs 探测器。它们专为测量应用而设计，如光功率计、光纤测试设备、近红外光谱和仪器。它们的平面钝化结构具有低电容以扩展带宽和高分流电阻以实现最大灵敏度。典型设备对大于 +13dBm (20 mW) 的光功率具有 1% 以上的非线性，并且在整个探测器有效面积上具有 2% 以内的均匀性。我们的大面积 InGaAs 设备在 850 nm 处的典型响应度为 0.2 A/W，允许在设计为在 850 nm、1300 nm 和 1550 nm 下工作的光纤测试仪器中使用单个探测器。提供可选的超低电容设备（-LC 选项）。它们电容只有标准类型电容的一半，因此 3 dB 带宽是其两倍。这些器件的有效面积从 0.5 mm 到 5.0 mm，采用密封 TO 封装。Excelitas 认识到不同的应用具有不同的性能要求，因此提供了这些光电二极管的各种定制以满足您的设计挑战。响应度和噪声筛选、定制器件测试、TEC 冷却器件和结合带通滤波器是许多可用的特定于应用的解决方案中的一部分。测试方法 Excelitas 会验证每台器件的电光规格。制造过程中的目视检查按照我们的质量标准进行，并剔除不合格器件。Excelitas Technologies 经过 ISO-9001 认证，光电二极管设计符合 MIL-STD-883 和/或 MIL-STD-750 规格。包装和运输所有大面积 InGaAs PIN 二极管都装在 ESD 安全塑料托盘中运输。
通过模拟引导 CVD 碲化实现 MoTe2 纳米片的大面积生长和相选择
在二维材料中，过渡金属二硫属化物 (TMD) 因其优异的性能而备受关注。[1,2] TMD 的化学式为 MX 2 ，其中 M 是过渡金属原子（例如 Mo、W），X 代表硫属原子（例如 S、Se、Te）。[2,3] 与其他 TMD 相比，二碲化钼 (MoTe 2 ) 因其工艺可调的同素异形相，即金属 1T' 和半导体 2H 相，最近引起了强烈的研究兴趣。 [4,5] 1T'相具有正交结构，也是获得优异拓扑性质的前兆阶段，并且在单层和多层水平上作为量子自旋霍尔效应的宿主以及在单斜 T d 相中作为原始 1T'相的低温畸变而出现的 II 型 Weyl 半金属态具有特殊的意义。[6,7] 随着厚度的减小，MoTe 2 表现出从间接到直接的带隙跃迁，而其带隙相对其他 TMD 较低 [8,9]，范围从块体的 0.8 eV 到单层极限的 1.1 eV。[10] 此外，由于 1T'-MoTe 2 的电导率远高于 2H 相，1T'相在固态电池电极、电化学电容器和氢析出反应方面很有前景。 [11] 另一方面，2H-MoTe 2 由于其带隙小、吸附性强、热导率低等特点，在纳米技术中具有作为二维层状材料的潜力。[10,12] 由于两种同素异形相之间的能量差异很小，MoTe 2 成为研究相变特性的独特模型材料，具有许多相关应用，如微电子领域的二维非挥发性存储器件和忆阻器。[13,14] 此外，由于 2H-MoTe 2 具有高载流子迁移率、光学透明性、薄结构和化学稳定性，它是场效应晶体管、光电子学、储能、化学和生物传感等应用的合适候选材料。[15,16] 作为一种有前途的材料，清晰的理解和可重复的生长方法对于将 MoTe 2 从实验室水平提升到生产水平至关重要。传统上，可以通过机械剥离、物理
引文：YM Zhang, ZJ Wang, JH Feng, SQ Ming, FR Qu, Y Xia, M He, ZM Hu, 和 J Wang，大面积 2D W 的合成和电磁输运
二维拓扑绝缘体又称量子自旋霍尔绝缘体，具有受拓扑结构保护的边缘态[1]。由于该通道可支持无耗散电子传输，有望实现下一代低损耗电子器件，得到了广泛的研究[2−4]。自2006年起，斯坦福大学Zhang团队预言在HgTe/CdTe量子阱中存在量子自旋霍尔效应(量子自旋霍尔效应，QSH)[5]。次年，维尔茨堡大学物理研究所Molenkamp团队的实验证实了这一点[6]。研究人员进行了大量的理论预测和实验探索，以寻找更加实用的天然QSH材料[7−9]。与复杂量子阱结构相比，天然QSH材料在样品制备和异质结器件构筑方面更具有优势。但在天然单层二维体系中实现QSH效应仍然十分困难，自上而下的机械剥离法和自下而上的外延生长法是成功制备单层QSH材料的两种常用方法。
RDU-4208 LAD 坚固耐用大面积显示器 - ScioTeq
由于采用了内部开发的背光技术，LAD 符合 NVIS B 类和 A 类标准，并且在日间模式下不会影响全色域性能。由于白点稳定，显示器输出随时间和温度保持不变。显示器的内部光学粘合确保反射几乎为零，从而以最小的功耗实现完全阳光下的可读性。