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World File Search System大面积
大面积参考校准的 IRMF 比对...
~,.Minimonitor EP15 + 900 系列速率计 -CFA (cps Bq-l cm~ -重新提交后 -!!Q!针对源距离效应进行了校正。18 NE DP6 探头 + PCM5/1 速率计 -%21t 效率 -重新提交后未针对源距离效应进行校正。19 NEDP6 探头 + PCM5/1 速率计 -CFA (cps Bq-l cm2) -重新提交后 !1Q!针对源距离效应进行了校正。20 Minimonitor EP15 + 900 系列速率计 -%21t 效率标准化为 3mm 以应对源距离效应。21 Minimonitor EP15 + 900 系列速率计 -CFA（cps Bq-l cm2）归一化至 3mm 以检测源距离效应。22 NE DP6 探头 + PCM5/1 速率计 -%21t 效率归一化至 3mm 以检测源距离效应。23 NE DP6 探头 + PCM5/1 速率计 -CFA（cps Bq-l cm2）归一化至 3mm 以检测源距离效应。24 推荐放射性核素结果摘要 2~
RDU-4208 LAD 坚固耐用大面积显示器 - ScioTeq
由于采用了内部开发的背光技术，LAD 符合 NVIS B 类和 A 类标准，并且在日间模式下不会影响全色域性能。由于白点稳定，显示器输出随时间和温度保持不变。显示器的内部光学粘合确保反射几乎为零，从而以最小的功耗实现完全阳光下的可读性。
大面积WTE2薄膜中的可调等离子体
Chaoyu Song 1,2 ,, Fanjie Wang 1,2 ,, Yuangang Xie 1,2 ,, Yuchen Lei 1,2 ,, Zhengzong Sun 3* ,
单片独立式大面积垂直III-N光源...
1 佐治亚理工学院，电气与计算机工程学院，美国佐治亚州亚特兰大 30332- 0250，2 CNRS，UMI 2958 佐治亚理工学院 - CNRS，2 rue Marconi，57070 梅斯，法国，3 佐治亚理工学院洛林分校，2 rue Marconi，57070 梅斯，法国，4 佐治亚理工学院，伍德拉夫机械工程学院，美国佐治亚州亚特兰大 30332- 0250，5 拉斐特研究所，2 rue Marconi，57070 梅斯，法国。 6 巴黎萨克雷大学纳米科学与纳米技术中心，C2N-Site de Marcoussis，Route de Nozay，91460 Marcoussis，法国。
大面积制造超薄金属有机框架......
与普遍使用的热驱动蒸馏工艺相比，膜基分离技术具有能耗低、操作简便、占地面积小等竞争优势。[1–3] 此类技术在水修复、气体净化、有机溶剂纳滤、催化剂回收、化学精炼等多种分离场景中具有广阔的应用前景。[4] 在制造基于陶瓷、[5–6] 聚合物 [7] 和混合基质等不同类型的膜方面已经取得了重大进展。[8–9] 与聚合物膜相比，传统无机膜（如沸石）表现出良好的热/化学稳定性，可以适应更恶劣的操作条件，具有无与伦比的分离性能。[5–7] 其缺点是由于其无机性质，其加工性能和孔径和微结构环境的可定制性有限，这可能会阻碍其
用于大面积光电器件的免费 In2Se3 薄片
B为VI族元素，例如Bi 2 Se 3 、Bi 2 Te 3 、Sb 2 Te 3 和In 2 Se 3 ，由于其独特的电子性质而受到越来越多的关注。 [2] 例如，半导体In 2 Se 3 表现出厚度相关的带隙（从块状晶体的1.3 eV到单层的2.8 eV）。 [3] 与无间隙石墨烯和过渡金属二硫属化合物相比，In 2 Se 3 的电子性质显示出明显的优势，后两者仅在单层中表现出相对较大的带隙（1.5–2.5 eV）。 [4] 当用作光学材料时，In 2 Se 3 表现出高吸收系数、宽范围响应度（从紫外线（325 nm）到短波长红外（1800 nm））和高灵敏度。 [5] 与其他对空气敏感的直接带隙二维材料（如黑磷（BP）[1c]）不同，完整的 In 2 Se 3 薄片在空气中非常稳定。最近，基于单个 In 2 Se 3 纳米片的光电探测器具有高光敏性（10 5 AW − 1 ）和快速、可逆和稳定的光响应特性。[5] In 2 Se 3 的优异性能优于许多其他二维材料（如石墨烯、BP 和 MoS 2 ），为大面积光电探测器提供了重要的基础。[6] 尽管如此，具有大晶畴的无缺陷 In 2 Se 3 薄片的可扩展生产仍然是其实际应用的障碍。微机械剥离是生产高质量薄 In 2 Se 3 纳米片的最著名方法。[5,7] 然而，它的剥离产率极低，仅适用于基础研究。 [8] 克服这一限制的潜在方案包括化学气相沉积、[2c] 液相剥离 [9] 和湿化学合成。[10] 然而，这些方法制备的 In 2 Se 3 薄片通常具有大量缺陷和较差的光电性能。[9,11] 例如，通过气相沉积获得的 In 2 Se 3 纳米片的光响应度（3.95 × 10 2 AW − 1）明显低于透明胶带剥离薄片（10 5 AW − 1）。[8] 从基本角度来看，In 2 Se 3 是一种由弱范德华力连接的层状材料，层间距离为 0.98 nm，比许多其他层状化合物（0.3–0.7 nm；图 1 a、b；图 S1，支持信息）大得多。因此，插入客体分子或离子，特别是在溶液中电流的驱动下，可以成为将二维晶体分层成单个薄片的合理策略。[12]
应变增强型大面积单层 MoS2 光电探测器
摘要：在本研究中，我们展示了施加的机械应变与单层 MoS 2 光响应度增加之间的直接相关性。这表明拉伸应变可以提高单层 MoS 2 光电探测器的效率。在我们的设备中观察到的高光电流和延长的响应时间表明，设备主要受光电门控机制控制，施加拉伸应变时，这种机制变得更加突出。此外，我们已经证明，非封装的 MoS 2 单层可以在基于应变的设备中使用许多次循环和长时间，在环境条件下表现出耐久性而不会丧失功能。这种坚固性强调了 MoS 2 在进一步功能化和利用不同柔性传感器方面的潜力。关键词：MoS 2、应变、应变传感器、光电探测器、原子力显微镜、PL 光谱、光电流光谱
采用 MOCVD 在硅上外延大面积 Sb2Te3 薄膜
必须充分利用它们的物理特性并成功实现器件，例如各种成功的 III-V 半导体器件 40,41 ——最终目标是外延和单晶生长。Sb2Te3（以及其他拓扑绝缘体，如 Bi2Te3 和 Bi2Se3）的外延膜已通过分子束外延工艺直接生长，29,30 该技术在批量生产中显示出其局限性。另一方面，化学气相沉积技术存在形态控制不佳的问题，我们专门研究了 MOCVD 在这方面的研究。 TI 生长中常用的衬底，例如 Si(100)、Si(111) 和 Al 2 O 3 (0001)，与 Sb 2 Te 3 (以及一般的 TI) 存在明显的晶格失配，因此在存在旋转畴的情况下，会生长为取向性较差的多晶层 23,32 – 34 ，只有少数例外 42,43
大面积多晶-MOO_3薄膜IR光子学
摘要近年来，范德华（Van der Waals）材料中表面声子极地（SPHP）的激发受到了纳米光子学界的广泛关注。alpha相钼三氧化物（α-MOO 3），一种天然存在的双轴双曲晶体，由于其在不同波长带的三个正交指导下支持SPHP的能力（范围10-20 µM），因此出现是一种有前途的极性材料。在这里，我们报告了大面积（超过1 cm 2尺寸）的制造，结构，形态和光学IR表征，α -moo 3多晶膜通过脉冲激光沉积沉积在熔融二氧化硅底物上。由于随机晶粒分布，薄膜在正常发生率下未显示任何光学各向异性。但是，提出的制造方法使我们能够实现单个α相，从而保留与α -moo 3片的语音响应相关的典型强分散体。报告了IR光子学应用的显着光谱特性。例如，在1006 cm -1处具有极化的反射峰，动态范围为∆ r = 0.3，共振Q因子在45°的入射角下观察到高达53的共振Q。此外，我们报告了SIO 2底物的阻抗匹配条件的实现，从而导致独立于极化的几乎完全完美的吸收条件（R <0.01）在972 cm-1处，该条件可维持以较大的入射角维持。在此框架中，我们的发现似乎非常有前途的，对于使用远场检测设置，用于有效和大规模的传感器，滤镜，过滤器，热发射器和无标签的生物化学传感设备，用于进一步开发无IR线印刷膜，可扩展的膜，用于高效和大规模的传感器，过滤器，热发射器和无标签的生化感应设备。
仿真和实验分析大面积底物用环氧造型化合物
本文提出了新的实验和数值方法，以表征环氧聚合物底物的转移过量。我们研究了陶瓷面板上的多芯片模块以及封装为模具阵列包装（MAP）的印刷电路板上。实验表明，在过度过度过程中的聚合物流量显着取决于霉菌的高度：虽然标准的地图型霉菌腔均匀地填充，并且在大多数情况下，在大多数情况下，低空腔高度（<500 l m）可以导致前部的流量集中在几个流动路径上（forling parsssssssssssssssssssssspersifecifecte）。我们开发了一种数字方法来描述这种不均匀的聚合物流。流动前填充的原因似乎是聚合物粘度的局部变化，可在不同的流路径上强制颈部。指法会导致空气陷阱的形成和过多的电线。我们还开发了新的实验方法来测量腔内的压力分布：我们的传感器基于Fujufilm的市售，具有压力敏感的薄膜，并且在最高180的温度下运行。2010 Elsevier Ltd.保留所有权利。