铟凸点阵列在量子计算中的应用越来越广泛,因为其对共面性和键合线厚度控制以及高质量电气互连的要求非常严格,红外焦平面阵列 (IR FPA) 显示出对更高分辨率的持续追求,这意味着更小的凸点、更高的密度和更大的表面积,最后,消费市场对 µLED 或 Micro LED 的需求越来越大,这意味着细间距铟互连需要更高的吞吐量。
易于改造 SEM-SAFE® 系统是现有停车场的理想解决方案,因为它可以轻松改造现有建筑。其细不锈钢水管甚至可以安装在空间狭小的地方,并且只需使用一个集中泵组(根据需要连接到水管或水箱,使用可选的备用泵组)即可覆盖具有数千个喷嘴的超大型装置。强大的集中泵组使您能够根据需要分阶段和按区域灵活地安装高压水雾系统,使您能够随着设施中电动汽车数量的增加而更新消防系统。
Peng, L. (2012)。用于集成电路 3-D 堆叠的晶圆级细间距 Cu-Cu 键合。博士论文,南洋理工大学,新加坡。
完整作者名单: 张一志;普渡大学,材料工程硕士 张迪;普渡大学,材料工程硕士;洛斯阿拉莫斯国家实验室,集成纳米技术中心 刘俊程;普渡大学 陆平;桑迪亚国家实验室, Deitz,Julia;桑迪亚国家实验室 沈嘉楠;普渡大学系统,材料工程硕士 何子豪;普渡大学 张星航;普渡大学系统,材料工程硕士 王海燕;普渡大学系统,材料工程硕士;尼尔·阿姆斯特朗工程大楼
高 I/O 密度和绿色材料是倒装芯片和 3D IC 封装用封装基板的两大主要驱动力。未来的有机层压基板将需要 5-25 µ m 的线宽和间距以及 50-100 µ m 的封装通孔 (TPV) 间距。这种超细间距要求将因电化学迁移和导电阳极丝 (CAF) 而导致严重的基板故障。因此,有必要开发新型无卤材料并研究其在超细间距应用中的可靠性。这项工作主要集中在四个领域:1) 先进的无卤材料,2) 细线宽和间距中的表面绝缘电阻 (SIR),3) 细间距 TPV 中的导电阳极丝 (CAF),以及 4) 倒装芯片互连可靠性。本研究选择的基板材料包括在聚合物主链上加入无卤阻燃剂的树脂配方。在具有 50 µm 间距铜线的基板上研究了 SIR,并在具有 150 µm 和 400 µm 间距 TPV 的基板上研究了 CAF。在这两项测试中,都观察到无卤基板与溴化 FR-4 相比表现出更好的电化学迁移阻力。通过对测试基板进行热循环测试 (TCT)、无偏高加速应力测试 (U-HAST) 和高温存储 (HTS) 测试来研究倒装芯片可靠性。在每次可靠性测试后都进行扫描声学显微镜 (C-SAM) 分析和电阻测量。测试基板分别通过了 200 小时的 HTS、96 小时的 HAST 和 2000 次 TCT 循环。倒装芯片可靠性结果表明,这些材料有可能取代传统的卤化基板用于高密度封装应用。关键词:无卤素基板、表面绝缘电阻、导电阳极丝、倒装芯片可靠性 简介 电子产品向无卤素材料的转变始于 1994 年德国通过的《二恶英法》。从那时起,欧盟 (EU) 制定的生态标签成为印刷线路板采用无卤素材料的驱动力。卤素通常添加到 PWB 中使用的聚合物玻璃复合材料中以达到阻燃效果。然而,卤素材料在特定的燃烧条件下会形成多溴二苯并二恶英 (PBDD) 和多溴二苯并呋喃 (PBDF),这会对环境和健康造成严重风险。在这方面,无卤材料比卤素材料优越得多,并且在回收过程中也很有用 [1]。印刷电路板研究所
氧化态通常由 Mo 2 C 的表面氧化引起,迄今为止,它们在 Mo 2 C 基催化剂的 HER 中的作用很少受到关注。O – Mo – C 界面可能在 Mo 2 C 催化剂中普遍存在,尽管这方面尚未得到详细研究。这是一个值得注意的疏忽,因为高度氧化的 Mo 中心很可能是从质子产生 H 2 的生产位点。在这项工作中,我们旨在探究薄而明确的氧化层和 O – Mo – C 界面对 N 掺杂碳负载的 Mo 2 C 的 HER 活性的作用。通过热解涂有钼-单宁酸配位聚合物的 ZIF-8 纳米晶体,成功制备了超细 b-Mo 2 C 纳米粒子 (b-Mo 2 CNP),该纳米粒子被限制在 N 掺杂多孔碳的空心胶囊内 (表示为 b-Mo 2-C@NPCC)。我们进一步发现,当暴露在空气中时,钼原子的表面层立即原位氧化为原子 Mo-O 表面层。这种方法确保了表面氧化的 Mo 原子和下面的 b-Mo 2 C 之间的强界面耦合,从而创建了优化的 O-Mo-C 表面电子转移途径,以实现高效的电催化。由于具有丰富的O – Mo – C界面,b -Mo 2 C@NPCC表现出优异的HER电催化活性,在0.5 MH 2 SO 4和1 M KOH中仅需80和132 mV的过电位即可达到10 mA cm 2 的催化电流密度。相应的Tafel斜率非常低(在H 2 SO 4中仅为40 mV dec 1,在KOH中仅为49 mV dec 1)。理论计算证实了O – Mo – C纳米界面对b -Mo 2 - C@NPCC优异的HER性能的益处。我们的工作为合理开发下一代HER催化剂铺平了新道路。
1云南高宗山的生物多样性和生态安全的主要实验室,国家遗传资源与进化的国家主要实验室,以及2个昆明动物学研究所,中国科学院,昆明,尤恩650223,尤恩650223,人民共和国,中国共和国,杜伊斯伯格大学生物学院3.东英吉利,诺里奇研究公园,诺里奇,诺福克NR47TJ,英国5渔业部,野生动物和保护系,俄勒冈州立大学,科瓦利斯,或97331,美国6昆明生活科学学院,康涅狄格大学中国森林林业森林服务, Corvallis,OR 97331,美国8 CSIRO ENERGE,新南威尔士州,新南威尔士州,澳大利亚9号,澳大利亚麦格理大学生物科学学院,澳大利亚麦格理大学10个理论生态学,德国雷涅斯堡大学,雷格斯堡大学,雷格斯堡大学,雷格斯堡大学11个杰出动物进化论和遗传学学院,中国65022222222222.
摘要:水系锌电池(AZB)是一种很有前途的储能技术,因为它们具有高理论容量、低氧化还原电位和安全性。然而,金属锌表面的枝晶生长和寄生反应会导致严重的不稳定性。本文我们报道了一种获得超细锌纳米颗粒阳极的新方法,该方法通过使用乙二醇单甲醚(EGME)分子来操纵锌的成核和生长过程。结果表明,EGME 与 Zn 2+ 复合以适度增加成核的驱动力,并吸附在锌表面以通过细化晶粒来防止 H- 腐蚀和树枝状突起。因此,纳米级阳极具有高库仑效率(约 99.5%)、长循环寿命(超过 366 天和 8800 次循环)以及与全电池中最先进的正极(ZnVO 和 AC)出色的兼容性。这项研究为水性金属离子电池的界面工程提供了一种新途径,对 AZB 的商业化未来具有重要意义。关键词:水性锌电池、锌金属阳极、超细纳米颗粒、枝晶生长、寄生反应
1北京邮政与电信大学科学学院信息光子学和光学通信的关键实验室,中国北京100876。电子邮件:bike@bupt.edu.cn 2国家主要实验室新陶瓷和精细处理,材料科学与工程学院,北京大学,北京大学,北京100084,电子邮件:wxh@tsinghua.edu.edu.cn.cn 3 3 3 3 3 3应用和应用数学部门sb2896@columbia.edu 4浓缩物理和材料科学系,布鲁克黑文国家实验室,纽约州阿普顿市11973 5北京国家冷凝物质物理学实验室,物理学研究所,中国学院科学研究所,贝吉利亚学院,北京100190,中国电子补充信息(ESI)。参见doi:10.1039/x0xx00000x