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World File Search System对腔隙
腔诱导的偏光型基态的集体行为
空腔量子电动力学为设计和控制光 - 二聚体相互作用提供了理想的平台。在这项工作中，我们研究了谐波陷阱中许多粒子系统中的共同现象，该系统耦合到同型腔腔吸尘器。系统夫妻通过其质量中心和集体极化状态聚集到腔场。腔场介导对成对的长距离相互作用并增强颗粒的有效质量。这导致在物质基态密度中的定位增强，当光和物质在共振上时具有最大值，并以粒子数表现出类似dicke的集体行为。轻度 - 物质相互作用还修改了极化系统的光子性能，因为基态填充了束光子。此外，还表明，磁磁性A 2项对于系统的稳定性是必需的，否则是较高的基态不稳定性。我们证明，通过外部磁场并通过监测Landau-Zener的过渡概率，极化人群的相干转移是可能的。
在半导体中的一维电子定位与电磁腔
一维（1D）固体的电导率相对于其长度表现出指数衰减，这是定位现象的众所周知的表现。在这项研究中，我们介绍了将一维半导体插入单模电磁腔所产生的电导率改变，并特别集中在非排定掺杂的状态上。我们的方法采用了绿色的功能技术，适用于对腔体激发状态的非扰动考虑。这包含相干的电子腔效应，例如零点爆发场中的电子运动，以及在隧道过程中的不一致的光子发射过程。跨腔的电子传递的能量谱发育与虚拟光子发射，沿谐振水平的通过以及光子重吸收相关的FANO型共振。FANO共振的质量因素取决于中间状态是否耦合到铅，当该状态深入障碍潜力中时达到最大值。耦合到空腔也提高了浅结合状态的能量，使它们接近传导带的底部。这种作用导致低温下电导率的增强。
用微型磁通量的亚音腔流控制 -
流量控制在于修改自然状态，以使另一个被认为是有利的状态收敛，因为可能会减少阻力或噪声辐射。在本文中，在亚音速开腔流中进行开放环路控制实验。在不稳定的流量控制的情况下，将控制焦点带入了流量的弹性修改，而不是对平均流属性的修改。因此，使用任意信号和强迫线性的强迫范围对于这种流量控制案例至关重要。从这个意义上讲，已经实施了微磁电机机电系统的线性阵列，以在开放式腔内执行开通环路控制实验。执行器能够以线性行为同时生成准稳态和脉冲喷射。我们证明了微欧洲的效率降低了腔振荡。准稳态喷气机在空腔基本振幅声压水平中降低了20 dB。脉冲喷气机启用了额外的空腔音调幅度降低，这取决于脉动频率和强迫振幅。这些结果是朝着实施开放式流量的闭环控制的第一步。
多孔二氧化钒薄膜薄膜的Fabry－perot腔...
摘要：使用Vo 2在智能窗口中进行辐射冷却 - 一种动态的热管理材料，由于其太阳能和发射率可调性，因此具有增强建筑物节省能源的潜在兴趣。然而，目前缺乏与多层系统中VO 2薄片微结构对发射率调节的影响有关的研究。本研究通过操纵VO 2薄膜中的孔隙率来处理VO 2/Znse/iTo/glass Fabry- perot（F – P）型腔系统的热色素和发射率性能。该设备是通过商业上可行的物理蒸气沉积方法（例如溅射和热蒸发）制造的，最适合批量生产。用多孔VO 2的优化样品提供了增强的长波红外（LWIR）发射率≥0.4≥0.4≥0.4，与密集的VO 2相比，保持高可见透明度T LUM（AVG）约为41％。进行有限的差异时间域（FDTD）模拟，以进一步了解效果
第一次时隙测试 - 2024 年偶数学期第二次......
学位流 学期 科目代码 科目名称 日期 时间 HU204 环境科学 18-03-24 10:30AM - 11:30AM HU205 印度知识系统 18-03-24 12:15PM - 01:15PM CT201 数据结构 19-03-24 02:15PM - 03:15PM M(CT)201 工程数学 - II 19-03-24 04:00PM - 05:00PM PH(CT)201 工程物理学 21-03-24 10:30AM - 11:30AM EE(CT)201 基础电气与电子工程 21-03-24 12:15PM - 01:15PM HU204 环境科学 18-03-24 10:30AM - 11:30AM HU205 印度知识体系 18-03-24 12:15PM - 01:15PM DS201 数据结构 19-03-24 02:15PM - 03:15PM M(DS)201 离散数学 19-03-24 04:00PM - 05:00PM PH(DS)201 工程物理学 21-03-24 10:30AM - 11:30AM EC(DS)201 基础电气和电子工程 21-03-24 12:15PM - 01:15PM HU201 专业交流 18-03-24 10:30AM - 11:30AM HU202 价值观和道德观 18-03-24 12:15PM - 01:15PM HU203 印度宪法19-03-24 02:15PM - 03:15PM M(EC)201 工程数学 - II 19-03-24 04:00PM - 05:00PM CH(EC)201 工程化学 21-03-24 10:30AM - 11:30AM EC201 电路理论与网络 21-03-24 12:15PM - 01:15PM HU201 专业交流 18-03-24 10:30AM - 11:30AM HU202 价值观与道德观 18-03-24 12:15PM - 01:15PM HU203 印度宪法 19-03-24 02:15PM - 03:15PM M(ECS)201 工程数学 - II 19-03-24 04:00PM - 05:00PM CH(ECS)201 工程化学 21-03-24 10:30AM - 11:30AM ECS201 数据结构与算法 21-03-24 12:15PM - 01:15PM HU201 专业交流 18-03-24 10:30AM - 11:30AM HU202 价值观与道德 18-03-24 12:15PM - 01:15PM HU203 印度宪法 19-03-24 02:15PM - 03:15PM M(EE)201 工程数学 - II 19-03-24 04:00PM - 05:00PM CH(EE)201 工程化学 21-03-24上午 10:30 - 上午 11:30 EE201 电路分析 21-03-24 下午 12:15 - 下午 01:15
1 本征带隙金属的光学性质和电子结构：逆
电子邮件：oleksandrmalyi@gmail.com 摘要：传统固体物理学长期以来将材料的光学特性与其电子结构关联起来。然而，最近对本征间隙金属的发现挑战了这一经典观点。间隙金属具有不同于金属和绝缘体的电子特性，具有大量未经任何有意掺杂的自由载流子和内部带隙。这种独特的电子结构使间隙金属可能优于通过有意掺杂宽带隙绝缘体设计的材料。尽管间隙金属具有透明导体等有希望的应用，但由于缺乏对其电子能带结构与光学特性之间相关性的了解，因此为特定目的设计间隙金属仍然具有挑战性。本研究重点关注有间隙金属的代表性实例，并展示了以下情况：(i) 在可见光范围内具有强带内吸收的有间隙金属（例如 CaN 2 ），(ii) 在可见光范围内具有强带间吸收的有间隙金属（例如 SrNbO 3 ），(iii) 有间隙金属（例如 Sr 5 Nb 5 O 17 ），这些金属是潜在的透明导体。我们探索了识别透明导体的潜在间隙金属的复杂性，并提出了发现新一代透明导体的逆材料设计原理。
使用UV-VIS光谱法测定金属氧化物中的带隙
这项研究的发现突出了使用Agilent Cary 5000 UV-VIS-NIR分光光度计与Agilent Cary Winuv软件相结合的有效性，以对半导体材料进行准确且可靠的带隙分析。祈祷的Mantis扩散反射配件的整合确保了可重复的样品定位和测量。通过软件的内置计算器函数促进波长扫描的第一个衍生物的使用，被证明是确定频带隙的简化且精确的方法。获得的带隙值与已建立的文献一致，证实了这种方法的有效性。此方法为在光催化和太阳能转化等领域工作的研究人员提供了一种强大而有效的工具，从而使各种材料中电子结构的精确表征能够精确表征。
超薄金属纳米腔中等离子体诱导的光学磁性
摘要最近，由于在光学超材料，超敏感的等离激元纳米量学学，增强的非线性谐波产生等方面的吸引人的应用，血浆诱导的光学磁化吸引了人们对纳米光子学和等离子间学的研究兴趣。据我们所知，在这里，我们在实验和理论上首次观察到在超薄等离子体型纳米腔内的平面内磁性偶极共振，由二氧化硅涂层的金纳米球二聚体组成，并偶联到金薄膜。结合了多极膨胀和全波数值模拟，我们揭示了磁共振是由围绕球体二聚体和金膜包含的纳米厚的三角形区域循环的位移电流环引起的，从而导致腔隙间隙中的磁场强度极大地增强了磁场强度。在单粒子水平上使用极化分辨的深色场成像和光谱法，我们明确地“可视化”了诱导磁性模式的光谱响应和辐射极化，其特征与电偶极共振截然不同。我们进一步发现，磁共振频率高度取决于腔间隙厚度和纳米圈尺寸，从而可以直接从可见光到近红外区域进行简单的谐振调整，从而为磁共振增强的新途径增强了非线性光学光学和手性光学。
HfN2 单层：一种具有……的新型直接带隙半导体
寻找具有直接带隙和高载流子迁移率的二维 (2D) 稳定材料因其在电子设备中的应用而受到广泛关注。利用第一性原理计算和粒子群优化 (PSO) 方法，我们预测了一种具有二维空间全局最小值的新型 2D 稳定材料 (HfN 2 单层)。HfN 2 单层具有直接带隙 (∼ 1.46 eV)，根据变形势理论预测其具有高载流子迁移率 (∼ 10 3 cm 2 · V − 1 · s − 1)。在应变条件下，通过施加简单的外部应变可以很好地保持和灵活调节直接带隙。此外，新预测的 HfN 2 单层具有良好的热稳定性、动力学稳定性和机械稳定性，这通过从头算分子动力学模拟、声子色散和弹性常数得到了验证。这些结果表明 HfN 2 单层是未来微电子器件中很有前途的候选材料。