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一维（1D）固体的电导率相对于其长度表现出指数衰减，这是定位现象的众所周知的表现。在这项研究中，我们介绍了将一维半导体插入单模电磁腔所产生的电导率改变，并特别集中在非排定掺杂的状态上。我们的方法采用了绿色的功能技术，适用于对腔体激发状态的非扰动考虑。这包含相干的电子腔效应，例如零点爆发场中的电子运动，以及在隧道过程中的不一致的光子发射过程。跨腔的电子传递的能量谱发育与虚拟光子发射，沿谐振水平的通过以及光子重吸收相关的FANO型共振。FANO共振的质量因素取决于中间状态是否耦合到铅，当该状态深入障碍潜力中时达到最大值。耦合到空腔也提高了浅结合状态的能量，使它们接近传导带的底部。这种作用导致低温下电导率的增强。
在半导体中的一维电子定位与电磁腔
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