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在极端智障方面的量子临界点附近的超导率
我们在量子临界时研究费米，并以表格V（ωL）=（g / |ωl|）γ的极度智障相互作用，其中ωL是传递的Matsubara频率。该系统在临界温度t = t c上经历正常的per骨相位。如Eliashberg理论中，顺序参数是频率依赖性间隙函数（ωN）。通常，对γ≫1的相互作用极为阻碍，除非在低温下γ> 3具有足够的能力。我们评估了正常状态特异性热t c，在t c附近的特定热量（ωN）中的跳跃和兰道自由能。我们的答案在极限γ→∞中渐近地精确。在低温下，我们证明了自由能的全局最小值是非排定的，并确定顺序参数，自由能和特定的热量。这些答案对于T→0和γ> 3。我们还发现并研究了γ模型的不稳定性：T→0和T c上方的负特异性热量。
用于集成硅基应用的外延 GeSn 合金的热电效率：通过拉曼测温法评估晶格热导率
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Zintl化合物Yb10MnSb9的热电性能及低热导率
最近发现的 Zintl 化合物 Yb 10 MnSb 9 是一种热电材料，在成分空间上与 Yb 14 MnSb 11 和 Yb 21 Mn 4 Sb 18 等高性能热电材料非常接近。我们在此测量并报告 Yb 10 MnSb 9 在高达 825K 下的电子和热传输数据。由于晶体结构复杂，这种材料具有超低的热导率。超低的晶格热导率加上比其他 Yb-Mn-Sb 化合物更高的塞贝克系数，导致在 825K 时具有约 0.34 的中等 zT，并且可能通过材料优化在更高的值处达到峰值。我们近似估计带隙约为 0.4 eV，并预计 zT 能够在 725K 时达到高达 0.33 的值（与该温度下的 Yb 14 MnSb 11 相当）使用热电品质因数分析。通过晶界工程提高品质因数 B，该 zT 有可能达到更高的值。这里我们为未来研究改进热电性能提供了建议。这项工作是首次报告这种 Yb 10 MnSb 9 化合物的热导率、带隙和 zT，我们通过与领先的 Yb 14 MnSb 11 材料的比较讨论了这种材料对未来热电研究的影响。
一种定量策略，用于实现模具铸造Mg-Al基合金的高温电导率
据报道，一种定量策略来设计和开发基于MG-AL的合金以实现高热有效性，其中可以引入特定的元素以降低MG矩阵中的Al浓度，并抑制Mg 17 Al 12相形成的形成，通过形成新的金属层间相。基于定量计算，该策略由新型的模具铸造Mg3.2AL4.4LA0.4ND（以wt。％）合金提供，该合金在环境温度下提供了114.3 w/（m∙k）的热电导率为114.3 w/（m∙k），在300°C，比300°C，〜255％的137.5 w/（M∙k）中的热电导率（M。同时，与AE44合金相比，合金还具有优异的环境屈服强度为143.2 MPa，伸长率为8.2％，并且在升高温度下的AE44合金。
真空中的接触热导率
真空中的热接触导率 Rob van Gils 1、Ruud Olieslagers 1、Mo Mirsadeghi 1、Joris Oosterhuis 1 1 飞利浦工程解决方案、机电一体化、热能、流动和控制 Rob.van.Gils@philips.com；Joris.Oosterhuis@philips.com；摘要 本研究调查了不同种类和材料的金属表面之间的宏观热接触导率。分析的目的是找到表面之间的有效传热系数，以帮助对此类接触进行热建模。创建了一个装置，其中两个金属样品可以在 0.2 – 25 MPa 的接触压力下以 50 mm 2 的接触尺寸压在一起。虽然结果与文献有较好的重合度，但在某些测试设置下，与一些常用模型（如 Yovanovic [1,2] 和 Garimella [5] 的模型）的匹配度也较差（偏差可能高达 600%）。这表明，需要正确理解这些模型的有效范围以及真空接触传热现象，而不是应用现有的模型。此外，在某些情况下，观察到高达 100% 的重新接触不可重复性（与文献来源一致），在分析具有主要热接触阻的模型时应考虑到这一点。热接触导率、测量、真空、建模、
硅纳米线热导率的巨同位素效应
同位素纯化半导体具有更高的热导率（κ），因此散热性能可能比天然的、同位素混合的半导体更好。但对于室温下的 Si 来说，这种好处很低，块状 28 Si 的 κ 仅比块状天然 Si（nat Si）高 ∼ 10 %。我们发现，与这种块体行为形成鲜明对比的是，28 Si（99.92% 富集）纳米线的 κ 比具有相似直径和表面形貌的天然 Si 纳米线高 150 %。使用第一性原理声子色散模型，这种巨同位素效应归因于天然 Si 纳米线中同位素散射和声子表面散射的相互增强，并通过声子传输到原生非晶态 SiO 2 壳层而相关。该信发现了迄今为止报道的所有材料中室温下κ同位素效应最强的材料，并启发了同位素富集半导体在微电子领域的潜在应用。
一种基于热反射的原位芯片贴装热导率测量新方法
各种应用（例如太空应用）对高功率密度、高效率电子设备的需求日益增加。高功率密度要求在封装层面进行有效的热管理，以确保工作温度保持在安全的工作范围内，避免设备早期故障。芯片粘接（芯片和法兰之间的粘合层）一直是热瓶颈，依赖于导热率相对较低的共晶焊料。正在开发先进的高导热率芯片粘接材料，包括烧结银和银环氧树脂，以解决这一问题。然而，这些新材料的热导率通常以其块体形式进行评估；体积热导率可能无法代表实际应用中较低的实际“有效”热导率，这也受到界面和空隙的影响。在本文中，频域热反射已调整为在低频下运行，具有深度灵敏度，可测量夹在芯片和法兰之间的芯片粘接层的热导率。
通过控制吹扫时间的缺陷同时增强 ALD ZnO 薄膜的电导率并抑制热导率
我们展示了如何同时控制 ZnO 薄膜的电和热传输特性，该薄膜是通过原型原子层沉积 (ALD) 工艺从二乙基锌 (DEZ) 和水前体制备的。关键的 ALD 工艺参数是在 DEZ 前体脉冲之后施加的 N 2 吹扫时间。我们利用 X 射线反射率测量来表征薄膜的生长特性，利用光致发光光谱来表征结构缺陷，利用电传输测量来表征载流子密度、电阻率和塞贝克系数，利用时域热反射测量来表征热导率。光致发光光谱数据表明，延长吹扫时间会产生结构缺陷，从而增加电子载流子密度；这可以解释薄膜电导率增强的原因。同时，缺陷可能会阻碍薄膜中的热传输。因此，实现电导率的同时增加和热导率的降低对热电学至关重要。此外，在光学和微电子领域中，人们非常希望对半导体 ZnO 薄膜的本征电传输特性进行简单的控制。