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World File Search System工作电压
SN74LVC126A 四路总线缓冲门，带三态输出
SN74LVC126A 器件具有四个带三态输出的独立缓冲器，设计工作电压为 1.65 V 至 3.6 V。当输出使能 (OE) 输入为低时，相应的输出将被禁用并进入高阻抗状态。该器件还具有高容差输入，允许在混合电压系统中进行电压转换。宽工作温度范围使该器件可用于任何应用，包括恶劣或极端环境。
实现 BaTiO3 中的超低压开关
用于计算超越互补金属氧化物半导体的铁电体。双极晶体管和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 晶体管的微缩（即减小尺寸或增加总数 1 ）取得了巨大成功，但随着半导体工艺的每一代发展，随着器件接近基本尺寸极限 2 ，微缩变得越来越困难。虽然摩尔微缩定律一直在延续，但工作电压的降低速度要慢得多，因为 Dennard 的微缩方案 3 只持续到 2003 年左右。研究人员目前正在探索其他方法，以继续遵循摩尔定律，使器件具有低工作电压（< 100 mV）和相应的低工作能量（每位 1-10 aJ），同时保持可接受的器件开关延迟（< 0.1 ns）。这推动了一系列替代的、超越 CMOS 的计算途径（例如，基于自旋、极化、应变等的途径）4、5 的研究。铁电体可实现非挥发性和低读/写能量，在存储器（例如铁电随机存取存储器）、逻辑或存储器内逻辑（例如铁电场效应晶体管 (FeFET) 应用 6、7 和负电容场效应晶体管）8、9 中引起了越来越多的关注。尽管引起了人们的关注，但问题在于大多数铁电器件都在高电压 6、7 (> 1 V) 下工作，因此与低功率操作不兼容 5。解决这个问题将标志着向前迈出的重要一步，并可能为铁电材料在超 CMOS 器件的出现中开辟道路。
单圈绝对式编码器 ESS58-TZ
抗干扰措施 使用高度复杂的微电子器件需要始终实施抗干扰和布线概念。现代机器的结构越紧凑，对性能的要求越高，这一点就变得越重要。以下安装说明和建议适用于“正常工业环境”。没有一种解决方案适合所有干扰环境。当采用以下措施时，编码器应处于完美的工作状态： • 在串行线的开始和结束处（例如，控制和最后一个编码器）用 120 电阻器（接收/发送和接收/发送之间）终止串行线。 • 编码器的接线应远离可能造成干扰的电源线。 • 屏蔽电缆横截面积至少为 4 mm²。 • 电缆横截面积至少为 0.14 mm²。 • 屏蔽和 0 V 的接线应尽可能呈放射状排列。 • 不要扭结或卡住电缆。 • 遵守数据表中给出的最小弯曲半径，并避免拉伸和剪切载荷。操作说明 Pepperl+Fuchs 制造的每个编码器都处于完美状态。为了确保此质量以及无故障运行，必须考虑以下规范：• 避免对外壳（特别是编码器轴）造成任何撞击，以及避免编码器轴的轴向和径向过载。• 仅使用合适的联轴器才能保证编码器的精度和使用寿命。• 必须同时打开和关闭编码器和后续设备（例如控制）的工作电压。• 必须在系统处于死区状态下进行任何接线工作。• 不得超过最大工作电压。设备必须在超低安全电压下运行。
开发拆卸式铝合金零件的监测系统
将采集到的电信号转换成数字信号，MCU单元STC12LE5616AD对来自模数转换单元的数字信号进行分析处理后发送给系统通信模块，最终完成整个数据采集处理过程。其中，电平转换器TXS0104EPWR用于平衡模数转换单元与MCU单元之间的工作电压，隔离器ADuM120x用于保护关键元器件不烧毁整个电路。通过电平转换器LP2591AC、TPS562200平衡电源后，分别为数据采集单元、模数转换单元、电平转换器、MCU单元供电。系统处理模块工作原理如图3所示。
利用最新的 iCoupler® 数字隔离增强保护
ADI i Coupler 数字隔离技术通过易于使用的认证解决方案在提供安全性和数据完整性方面处于世界领先地位。当隔离解决方案需要最高的浪涌、抗噪性和工作电压，以及低压 I/O 和低传播延迟的设计灵活性时，引擎盖下的东西才是关键。通过结合高速 CMOS 和单片空芯变压器技术以及独特的专利差分开关键控 (OOK) 架构，ADI 的数字隔离器可提供具有广泛市场吸引力的性能。
ADuM2210/ADuM2211 - 数据表 - ADI 公司
特性 高隔离电压：5000 V rms 增强的系统级 ESD 性能，符合 IEC 61000-4-x 标准 低功耗工作 5 V 工作电压 0 Mbps 至 1 Mbps 时每通道最大值 1.6 mA 10 Mbps 时每通道最大值 3.7 mA 3.3 V 工作电压 0 Mbps 至 1 Mbps 时每通道最大值 1.4 mA 10 Mbps 时每通道最大值 2.4 mA 双向通信 3.3 V/5 V 电平转换 高温工作：125°C 默认低输出 高数据速率：直流至 10 Mbps (NRZ) 精确的时序特性 最大脉冲宽度失真为 3 ns 最大通道间匹配度为 3 ns 高共模瞬变抗扰度：>25 kV/μs 16 引脚 SOIC 宽体封装版本 (RW-16) 16 引脚 SOIC 宽体增强型爬电距离版本 (RI-16) 安全和法规批准(RI-16 封装) UL 认证：5000 V rms，持续 1 分钟，符合 UL 1577 标准 CSA 元件验收通知 5A IEC 60601-1：250 V rms（加强型） IEC 60950-1：400 V rms（加强型） VDE 合格证书 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)：2006-12 V IORM = 846 V 峰值 符合汽车应用要求 应用 通用、高压、多通道隔离 医疗设备 电源 RS-232/RS-422/RS-485 收发器隔离 混合动力电动汽车、电池监视器和电机驱动器 一般描述
ADuM2210/ADuM2211 - 数据表 - ADI 公司
特性 高隔离电压：5000 V rms 增强的系统级 ESD 性能，符合 IEC 61000-4-x 标准 低功耗工作 5 V 工作电压 0 Mbps 至 1 Mbps 时每通道最大值 1.6 mA 10 Mbps 时每通道最大值 3.7 mA 3.3 V 工作电压 0 Mbps 至 1 Mbps 时每通道最大值 1.4 mA 10 Mbps 时每通道最大值 2.4 mA 双向通信 3.3 V/5 V 电平转换 高温工作：125°C 默认低输出 高数据速率：直流至 10 Mbps (NRZ) 精确的时序特性 最大脉冲宽度失真为 3 ns 最大通道间匹配度为 3 ns 高共模瞬变抗扰度：>25 kV/μs 16 引脚 SOIC 宽体封装版本 (RW-16) 16 引脚 SOIC 宽体增强型爬电距离版本 (RI-16) 安全和法规批准(RI-16 封装) UL 认证：5000 V rms，持续 1 分钟，符合 UL 1577 标准 CSA 元件验收通知 5A IEC 60601-1：250 V rms（加强型） IEC 60950-1：400 V rms（加强型） VDE 合格证书 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)：2006-12 V IORM = 846 V 峰值 符合汽车应用要求 应用 通用、高压、多通道隔离 医疗设备 电源 RS-232/RS-422/RS-485 收发器隔离 混合动力电动汽车、电池监视器和电机驱动器 一般描述