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通过在有机场效应晶体管 (OFET) 中加入天然粘土来提高虫胶的介电常数
1. 引言近年来，OLED 技术的巨大进步 [1,2,3] 和有机光伏 (OPV) 的迅猛发展证明了有机电子器件的工业和商业潜力。有报道称，体异质结设计中的经典有机光伏器件的效率接近 20%，而钙钛矿的效率甚至超过了这个值。这些里程碑式的进步使得此类发展如今既适用于小规模也适用于大规模应用 [4,5]。尽管如此，尽管最近电子器件和传感器取得了令人瞩目的进步，但下一代 OLED、太阳能电池和印刷电路（基于有机场效应晶体管 (OFET)）的制造在寻找新型更高性能半导体、基板和封装材料、电介质和加工条件 [6–11] 等方面仍面临挑战。有机材料在 RF 范围内（即兆赫甚至更高频率）在空气中的稳定运行将支持许多能够与硅基 CMOS 电路竞争的新技术的开发 [8,12–18]。当这些新型电子元件与生物传感元件相结合时，将为开发一次性诊断和药物输送技术开辟可能性[19–29]。
温度对基于电磁波的非侵入性葡萄糖传感器开发葡萄糖水溶液的介电常数测量的影响
本文首次提出了一项实证研究，该研究表明在分析各种浓度的水溶液溶液的介电常数（介电常数）时考虑温度的重要性。介电性是研究人员研究的参数，作为无创测量葡萄糖而无需抽血的生物标志物。这项技术的开发将使个性化的医疗保健DI不可知论者可以监测和预防糖尿病。由于血液中的人类葡萄糖水平在每分少数几毫克的范围内有所不同，因此估计葡萄糖的这种较小变化将需要高度准确且可重复的传感技术。电磁（EM）波，特别是在微波炉和Terahertz频率范围内，在检测血浆电性能的变化方面已显示出与葡萄糖浓度相关时的变化。但是，重要的是要注意，尽管该技术表现出了承诺，但仍处于研发阶段。这里显示体温可以影响血糖测量的准确性。在各种TEM周期下使用不同的葡萄糖浓度溶液进行的实验，并研究了葡萄糖的复杂介电常数在从400 MHz到11 GHz的较大频率范围内进行了研究。热能的升高通常会导致水（如水）振动并旋转旋转偶极子对电场的比对，从而降低其介电性。分析表达的精度在实验上显示为99％。经验结果表明，对于葡萄糖水溶液，介电性随温度从16℃至37°C的升高而增加。这归因于水的极性和葡萄糖分子的极性，随着热能的增加而变得更加明显。基于实验结果，得出了精确的分析表达，以考虑水葡萄糖溶液的温度。研究结果应使基于电磁传感技术的准确非浸润性葡萄糖监测设备的设计设计。
一个新颖的常数GM轨道轨道轨输入阶段用于操作...
摘要在本文中介绍了CMOS操作放大器的新型常数G轨道轨道输入阶段。输入阶段主要由PMOS晶体管差异和nmos晶体管差为差异对，并平行地放置为轨道到轨道差异输入阶段，并且两个差异对的尾电流分别由PMOS和NMOS普通型Voltimode Voltigage Voltecor控制。操作放大器的输入阶段的G M可以是输入共同模式电压内的恒定值。模拟结果表明，当电源电压分别为1.8 V和3.3 V时，整个输入范围（0〜1.8 V或0〜3.3 V）的G M变化在±1之内。38％和±3。38％。功率耗散为36.9 µW，51.74 µ W. SMIC 55 nm CMOS工艺和Cadence Specter Simulator用于布局和模拟这项工作。关键字：轨道轨道，常数G M，操作放大器，共同模式范围，低压分类：集成电路（内存，逻辑，模拟，RF，传感器）
引用发布版本（APA）：Tahir，M。U.，Sangwongwanich，A.，Stroe，D.-I。，＆Blaabjerg，F。（2023）。优化的多阶段常数电流C
已经提出了各种方法来减少锂离子电池（LIBS）的充电时间。多阶段常数电流（MSCC）充电技术已在各种提出的方法中获得了潜在的解决方案。进行了一项研究，以研究MSCC充电技术对LIB的影响。具体来说，这项研究的重点是使用电荷状态（SOC）作为充电期间的阶段过渡标准的方法。使用Taguchi正交阵列（OA）来识别MSCC技术每个阶段的最佳充电电流。该研究探讨了相等和不平等的权重策略的实施，以获得最佳的充电模式。将实验结果与标准恒定电流恒定电压（CC-CV）充电方法进行了比较，其中MSCC方法可以有效地减少充电时间。但是，与CC-CV方法相比，MSCC充电方法导致温度略有升高。此外，MSCC充电方法的能源效率比CC-CV方法低0.5％。尽管如此，MSCC充电仍具有快速电动汽车（EV）充电应用的潜力。
引用发布版本（APA）：Tahir，M。U.，Sangwongwanich，A.，Stroe，D.-I。，＆Blaabjerg，F。（2023）。多阶段常数curre
摘要 - 多阶段常数电流（MSCC）充电策略旨在增强锂离子电池（LIBS）的性能。因此，本文研究了MSCC充电效果对LIB性能参数的效果，包括充电时间，充电/放电的容量，充电能源效率以及最高/平均温度升高。基于不同的当前速率的2.6 AH锂铁磷酸锂（LFP）的锂离子电池以不同的当前速率进行五阶段的MSCC充电。根据传统的CCCV充电方法评估了MSCC充电方法对LIB性能参数的影响。实验发现表明，MSCC技术可以将充电时间减少13.3％，同时保持相似的充电/放电和充电能源效率为CCCV方法，在3.5 c充电速率下，最大温度升高1.4％。MSCC充电技术可用于电动汽车应用程序和其他需要高充电率的同时保持安全性的应用程序中的快速充电LIB。
高介电常数和低介电损耗的聚酰亚胺/皇冠醚复合膜，用于高信号传递
高频信号传输，低介电常数（D K）和低介电损耗因子（D F）的替代品以取代传统的二氧化硅材料。4 - 6聚酰亚胺（PI）通常被评为合适的候选者，因为其低分子极化性以及出色的热，机械和化学耐药性特征，并且在电信和微电子工业中表现出了理想的前景。7当前，低二型聚合物材料的结构和组成设计主要集中于结构修饰，改进材料制造过程和复合修饰。常规PI的固有介电常数位于约3.5中，但是，通常需要较低的值以最大程度地减少超大尺度集成电路，高频通信天线基板和毫米波雷达的层间介电信号传输的功率耗散和延迟。8 - 11通过减少主链上酰亚胺基团之间的极化，已经研究了许多方法来减少介电常数和PI的介电损失。12 PI聚合物的分子结构在其介电特性中起主要作用。固有偶极矩和
LaCo1-xNixO3 中的金属状态和负介电常数...
魏在新 1 张功宇 1 宋晓婷 1 王英杰 1 王恒通 1 高慕奇 1 田欢荣 1 蔡文俊 1 刘瑶 1,* 汪忠阳 2,* 张子东 1,* 范润华 3 摘要 由于其诱人的特性，开发负电荷材料对于智能电子和现代信息技术中的许多应用至关重要。在稀释金属方面人们已经做了许多努力，但是，没有从增加电子密度方面进行更多的尝试，而且掺杂对负介电常数的影响仍不清楚。在本文中，通过溶胶-凝胶技术并随后烧结制备了单相 LaCo 1-xNixO 3（𝑥=0.06、0.1、0.12、0.16、0.2）。详细研究了电子结构、电学性质以及负介电常数性质，并从电动力学的角度阐述了电导率与负介电常数之间的相关性。
高介电常数各向异性 3D 打印材料
3D 打印是一种成熟的增材制造技术，它通过连续添加几何材料层来创建所需的对象。该技术通常通过熔融沉积成型 (FDM) 方法实现，其中添加的材料（称为长丝）首先被熔化，然后沉积以形成一层薄薄的新材料，该新材料在制造过程中与之前的层融合。长丝类型包括传统的聚乳酸 (PLA) 塑料长丝以及注入了不同添加剂（如碳纤维、石墨、金属颗粒等）的更先进的材料。与传统 PLA 相比，这些特种长丝主要具有独特的机械性能。然而，在这些特种长丝中加入不同的添加剂也会改变它们的电磁特性。
从量子透视模型看法拉第常数和蚕有什么关系？
本文尝试从量子透视模型的角度，将法拉第常数用化学核苷酸碱基（AT、G、C和U）表示。首先，将逗号后的法拉第常数的准确值排列成双数（0，96，48，53，32，12，33，10，01，84×10 5 C∙mol −1 ）。其次，将这一对十进制数转换成二进制数。第三，在完成这些数的转换过程之后，再将二进制数转换成十进制数。第四，对这些十进制数分别求和。第五，将上述加法过程的总和对应到遗传密码[腺嘌呤（A）、胸腺嘧啶（T）、鸟嘌呤（G）、胞嘧啶（C）、尿嘧啶（U）]。第六，此转换的结果大致对应于尿嘧啶(U)和鸟嘌呤(G)核苷酸碱基，即数字“64”相当于尿嘧啶(U)核苷酸碱基，而近似数字“79”相当于鸟嘌呤(G)核苷酸碱基。第七，将[尿嘧啶(U)和鸟嘌呤(G)]核苷酸碱基转换为[“AG”腺嘌呤(A)和鸟嘌呤(G)]后，此结果不仅与电化学中法拉第常数之间的联系有意义，而且与量子物理学中叠加态对偶位置之间的联系也有意义。第八，在NCBI(美国国家生物技术信息中心)数据库中搜索[“AG”腺嘌呤(A)和鸟嘌呤(G)]序列后，NCBI的搜索结果与家蚕(Bombyx Mori)基因序列“AGAAAAAGGA”相似。它们是具有该序列的蚕遗传学和丝茧膜 (SCM) 基因工程可能性的非常有趣的特定模型生物。第九，这种复杂的天然蛋白质纤维膜由于具有良好的电导性而受到研究界的极大关注。最后，本文不仅揭示了法拉第常数之间的关系
采用低介电常数材料的金属-绝缘体-半导体电容器的可靠性特性
摘要：本研究从金属栅极面积、介电薄膜几何形状和厚度效应等方面研究了低介电常数 (low- k ) 材料的金属-绝缘体-半导体 (MIS) 电容器结构的可靠性特性。研究使用了两种低 k 材料，即致密和多孔低 k 薄膜。实验结果表明，与致密低 k 薄膜相比，多孔低 k 薄膜的击穿时间更短、威布尔斜率参数和电场加速因子更低、厚度依赖性击穿更弱。此外，还观察到介电击穿投影模型的偏差较大，且各个区域合并的击穿时间分布呈现单个威布尔图。研究还指出，不规则形状的金属栅极 MIS 电容器中多孔低 k 薄膜的介电击穿时间比方形和圆形样品中更长，这与持续电场的趋势相悖。因此，不规则形状的样品中存在另一种击穿机制，需要在未来的工作中进行探索。