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预镀引线框架表面纹理与
汽车设备集成电路封装中模塑料和引线框架之间的粘合性差会导致严重的可靠性问题并降低封装质量。本研究旨在评估和了解预镀引线框架 (PPF) 的表面纹理化程序 (粗糙化) 与集成电路封装中的分层现象之间的相关性。引线框架供应商准备了具有纹理表面的预镀引线框架。进行了四项主要评估，基于形态分析、接触角测量、模具剪切强度测试和可靠性测试。对于形态分析，与标准引线框架 (174nm) 相比，纹理 PPF 具有更高的表面粗糙度 (284nm)。在室温下 (71°) 观察到纹理 PPF 的最高接触角值。相反，在根据在线制造条件模拟的 175°C (55°) 下观察到纹理 PPF 的最低接触角值。与标准引线框架相比，纹理 PPF 获得了更高的剪切强度测试。此外，可靠性测试证明 PPF 样品未检测到分层。然而，在标准引线框架中也观察到了这种现象。所有观察结果都表明，通过对引线框架进行表面纹理化处理，模具化合物和引线框架之间的界面粘附性得到了显著改善。粘附性的改善有助于消除分层并提高封装可靠性。
欧洲汽车和电力电子行业的先进引线键合标准
2 Fraunhofer IZM Berlin Gustav-Meyer-Allee 25, 13355 Berlin Germany Email: martin.schneider-ramelow@izm.fraunhofer.de 摘要 本文介绍了德语国家和欧洲国家广泛使用的引线键合标准 DVS-2811。该标准于 1996 年推出，现在包含所有当前使用的键合方法的定义和限值，包括其他所有官方标准中都没有的重/粗引线键合连接的剪切测试。特别是考虑到电池键合用户数量的不断增长，指定适当的粗引线测试限值具有重要意义。除了概述当前状态之外，还展望了未来 1-2 年的进一步更新。 关键词 引线键合、拉力测试、剪切测试、质量、标准、测试 I. 简介 标准和细间距引线键合技术继续经历小幅发展，材料更加精炼、几何尺寸更小，可靠性要求也不断变化。当前可用的引线键合标准无法回答在测试此类先进引线键合触点时出现的问题。需要在这一领域开展活动。向新技术领域的发展在重引线键合中更为明显。一个例子是，用于生产电池模块的大面积键合机的需求不断增加。此外，新功能已集成到现有的键合机机器平台中，包括激光键合技术（F&K Delvotec）和智能焊接技术（Hesse Mechatronics、Kulicke & Soffa）。目前没有跟上这种快速发展的一个方面是过程控制和质量检查的标准化。现有标准（如 MIL-883、ASTM F1269 或 JEDEC 22B116B）不包含任何测试粗线（直径 > 100 µm）的指导。偏离此几何形状（如重带或超声波焊接成型部件或接线片）也没有得到解决。这给用户、机器供应商和最终客户带来了挑战。测试规范、工具属性、极限值等的定义必须单独讨论并达成一致。25 年来，DVS 公告 2811 一直
定向深脑刺激引线植入后旋转角度的纵向评估
抽象目的：深脑刺激（DB）的风险/益处比率取决于将电场聚焦到焦油的体积上，不包括副作用引起结构。指导导线限制径向电流扩散可以靶向刺激，但增加了空间自由度，需要控制多模式成像数据集和解剖刺激的解释。已经报道了不可预测的术后铅旋转。从外科手术预期的比对的旋转程度和时机仍然不确定，可以安全地启动方向刺激的时间点，而不会冒着刺激体积意外变化的风险。我们对有方向性DBS系统的患者进行了临床指示的，重复的神经成像对照的回顾性分析，这允许估计术后铅旋转的量和时间。方法：来自67例指导铅和多个颅内计算机断层扫描（CCT）的患者和/或旋转荧光镜的数据
绝缘线和同轴导线的引线接合仪
摘要 — 已经开发出一种支持新型微电子集成范式的工具，通过微同轴导线键合直接建立组件之间的互连。该工具的近期用例是促进高带宽系统的快速原型设计。当进一步成熟时，它将能够以最短的设计时间快速集成具有数百或数千个互连的复杂系统。总直径在 50 到 100 毫米之间的同轴导线的自动剥离和键合带来了一系列工艺挑战，对导线的材料系统和键合工具提出了有趣的要求。本研究回顾了 Draper 目前正在开发的一种微同轴键合系统，该系统能够剥离、送料和键合微同轴导线。该系统利用电火焰熄灭和热回流的组合分别剥离外部金属屏蔽层和聚合物介电层。它利用旋转送丝机制精确控制导线位置，从而可以确定预定的导线长度。回顾了电线、工具和软件控制架构设计的进展。
多芯片 IGBT 功率模块中引线键合故障导致的温度变化
在功率循环实验中，需要估算开关的温度。当一个开关由几个并联的芯片组成时，这些芯片的温度可能不一样。在没有对每个芯片进行单独监控的情况下，通常假设平均温度是由最常见的 TSEP（热敏电参数）如 Von 估算的。然而，每个芯片的温度都是未知的。一些研究解释并评估了初始温度不平衡 [1]。当模块由于热机械循环而老化时，引线键合会退化和剥离，从而改变流向芯片的电流路径，从而改变损耗和温度分布。[2, 3] 分别在单芯片和多芯片的情况下评估了估算温度（即 Von）随退化的变化。然而，文献中没有通过实验获得温度分布随退化的变化。
优化芯片与表面增强引线框架的连接，以实现 QFN 封装的 MSL-1 性能
扁平无引线 (QFN) 半导体封装是增长最为稳定的芯片载体类型之一，随着原始设备制造商 (OEM) 努力将更多的信号处理功能放入更小的空间，预计 QFN 封装将继续增长。由于 QFN 封装体积小、尺寸紧凑、输入/输出高、散热性好，因此成为芯片组整合、小型化和高功率密度芯片的热门选择，尤其是汽车和射频市场。与任何封装一样，可靠性至关重要，由于 QFN 封装被广泛接受，OEM、集成设备制造商 (IDM) 和外包组装和测试供应商 (OSATS) 要求继续提高 QFN 封装的可靠性。化学工艺处理铜引线框架的表面，以增强模塑化合物的附着力，并减少芯片封装中的分层，从而提高 QFN 封装的可靠性。这些化学工艺导致铜表面微粗糙化，同时沉积一层耐热薄膜，增强环氧封装材料和引线框架表面之间的化学键合。通常，这种工艺可以可靠地提供 JEDEC MSL-1 性能。虽然这种化学预处理工艺在分层方面提供了更好的性能，但它会给引线框架封装商带来其他挑战。表面粗糙度的增加会加剧芯片粘接粘合剂渗出（环氧树脂渗出或 EBO）的趋势，导致银填充粘合剂分离并对封装质量和可靠性产生负面影响。此外，渗入引线框架表面的任何环氧树脂都会干扰其他下游工艺，例如向下粘合或模塑料粘合。
使用铜线进行引线接合
摘要 目的——本文试图回顾使用铜线进行引线键合的最新进展。 设计/方法/方法——回顾了最近发表的数十篇期刊和会议文章。 发现——简要分析了诸如导线开路和短尾缺陷、针脚/楔形键合的键合性差、铜线氧化、应变硬化效应以及弱支撑结构上的硬线等问题/挑战。讨论了使用铜线进行引线键合的问题的解决方案和最新发现/发展。 研究局限性/含义——由于论文页数限制，仅进行简要回顾。需要进一步阅读以了解更多详细信息。 原创性/价值——本文试图介绍使用铜线进行引线键合的最新发展和趋势。通过提供的参考文献，读者可以通过阅读原始文章进行更深入的探索。
薄铝焊盘上不同尺寸探针标记的引线键合研究
使用各种悬臂探针针尖多次探测具有薄焊盘铝 (Al)（厚度小于 0.7µ）的 IC 键合焊盘。探针标记由具有各种针尖直径的实验性高强度探针卡创建。将探针针尖的有限元模型与探针标记擦洗长度相匹配，以更学术地了解随着探针参数的变化会发生什么。使用此模型进行模拟将有助于未来进行物理实验困难或成本高昂的情况。实验中的键合焊盘包括各种安森美半导体电路焊盘下 (CUP) 结构，该结构具有 Al 金属化和二氧化硅 (SiO 2 ) 互连，先前已证明与传统 IC 键合焊盘相比具有更强的抗开裂能力。随着未来产品的焊盘缩小，更小的球尺寸和键合接触面积是可取的，但这会加剧探针标记的任何不利影响，因为键合下方的相对面积百分比会增加。实验评估包括对各种探针标记范围内不同球直径的金 (Au) 球键合的键合拉力强度 (BPS) 和键合剪切力 (BS)，以开始检查引线键合中惯常的“探针标记面积”最大限制的有效性。数据表明，大而深的探针标记确实会导致键合球提升失败，尤其是对于未优化的键合配方。看来探针标记深度，而不是面积，是键合可靠性中最不利的因素。在更受控制和“温和”的制造情况下，预计不会出现与探针标记键合相关的问题。