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CMOS 技术中的传输线特性阻抗与 Q 因子
本文系统地比较了采用相同 CMOS 后端工艺的 CPW、慢波 CPW、微带和慢波微带的传输线特性阻抗与 Q 因子之间的关系。结果表明，最佳 Q 因子的特性阻抗取决于慢波传输线的地线间距。虽然从传播模式的角度来看，介质相似，但当慢波 CPW 的特性阻抗为 §23 ȍ 和慢波微带线的特性阻抗为 §43 ȍ 时，慢波传输线可实现 60 GHz 最佳 Q 因子，并且接地平面间隙越宽，Q 因子就越大。此外，结果表明，在芯片面积相同的情况下，慢波 CPW 的最佳 Q 因子比慢波微带高 12%。这里提供的数据可用于选择 CMOS 中 S-MS 和 S-CPW 无源器件的 Z 0 值，以最大化传输线 Q 因子。
具有谐波消除功能的小型化平面微带威尔金森功率分配器的设计
如图 4b 所示，所提出的结构可以在 3.58 GHz 和 4.75 GHz 处创建两个传输零点。这些传输零点可以在 WPD 设计中抑制更多谐波。所提出的谐振器主要尺寸如下：d4 = 2.4、d5 = 1.4、d6 = 0.5、d7 = 1.2、d8 = 0.9、d9 = 0.1、d10 = 2.8、d11 = 0.11、W3 = 0.1、W5 = 2.1、W6 = 0.1、W7 = 0.1、W8 = 2.6、S3 = 0.1、S4 = 0.3、S5 = 0.2、S6 = 0.2、S7 = 0.2（单位均为毫米）。表 2 列出了所提出的主谐振器的 LC 等效模型的计算值。在 (13) 中计算了设计的主谐振器的 TF。
微带天线在航空航天应用中的使用：L5 频段
如今，微带天线在许多航空航天应用中都受到青睐，例如高性能车辆、飞机、军用飞机、无人驾驶飞行器 (UAV)、航天器、雷达系统、卫星和导弹应用。本研究调查了微带贴片天线在航空航天工业尤其是全球定位系统 (GPS) 中的应用，并在 GPS L5 安全频段实现了微带贴片天线的样本设计。利用高频结构模拟器 (HFSS) 模拟了设计的高增益圆极化天线，并分析了结果。模拟的数值分析表明，在中心频率 1176 MHz 处，S11 值为 - 38.85 dB，带宽为 54 MHz，增益为 6.07 dBm。根据这些值，得出结论，它可以在全球定位 L5 安全频段中使用。
实验性时间域研究，用于带LILL形状微带电路的带通负面组延迟分析
摘要：该论文通过“量子信息”的概念解释了“可分离的复合物希尔伯特空间中的操作员”（在“经典”量子力学中定义为“数量”）的概念。就波函数而言，对于要测量的一定数量的所有可能值的概率（密度）分布的特征函数，量子力学中数量的定义是指概率（密度）分布的任何单一变化。可以将其表示为“统一” Qubits的特定情况。任何量子位的相反解释是指某个物理数量，这意味着它的概括性既不是统一的，也不是保存能量。他们的身体意义，宽松地说，包括交换时间时刻，因此在时空“屏幕”中实现。“暗物质”和“暗能量”可以通过“数量”的相同概括为非热门操作员的相同概括，其次仅在伪里曼尼亚人的时空“屏幕”上，根据爱因斯坦的“马赫的原理”和他的野外方程式。关键词：质量，数量，量子信息，Qubit Hilbert空间，时空
b'摘要 提出了一种毫米波\xe2\x80\x90 低\xe2\x80\x90 轮廓宽带微带天线。为了加宽阻抗带宽并同时实现稳定的大增益，在由同轴探针馈电的微带贴片两侧布置共面寄生贴片阵列。在微带贴片上蚀刻双槽以降低 H \xe2\x80\x90 平面交叉\xe2\x80\x90 极化水平。提出了使用 Floquet \xe2\x80\x90 端口模型进行零\xe2\x80\x90 相位\xe2\x80\x90 反射分析以预测寄生贴片阵列的谐振频率。根据理想探针的输入阻抗来验证激发的谐振模式。依次激励两个相邻的宽边谐振，分别以微带贴片的准 \xe2\x80\x90 TM 10 模式和寄生贴片阵列的准 \xe2\x80\x90 TM 30 模式为主导。所提出的天线尺寸为 1.06 1.06 0.024 \xce\xbb 0 3（\xce\xbb 0 为自由空间中 29 GHz 的波长），在 | S 11 | \xe2\x89\xa4 10 dB 时实现 15%（27\xe2\x80\x93 31.35 GHz）的阻抗带宽。实现的峰值增益高达 9.26 dBi，2 \xe2\x80\x90 dB 增益带宽为 15.7%。 H \xe2\x80\x90 平面交叉 \xe2\x80\x90 极化水平在 3 \xe2\x80\x90 dB 波束宽度内小于 14 dB，背部辐射水平小于 17.9 dB。'
b'摘要 提出了一种毫米波\xe2\x80\x90 低\xe2\x80\x90 轮廓宽带微带天线。为了加宽阻抗带宽并同时实现稳定的大增益，在由同轴探针馈电的微带贴片两侧布置共面寄生贴片阵列。在微带贴片上蚀刻双槽以降低 H \xe2\x80\x90 平面交叉\xe2\x80\x90 极化水平。提出了使用 Floquet \xe2\x80\x90 端口模型进行零\xe2\x80\x90 相位\xe2\x80\x90 反射分析以预测寄生贴片阵列的谐振频率。根据理想探针的输入阻抗来验证激发的谐振模式。依次激励两个相邻的宽边谐振，分别以微带贴片的准 \xe2\x80\x90 TM 10 模式和寄生贴片阵列的准 \xe2\x80\x90 TM 30 模式为主导。所提出的天线尺寸为 1.06 1.06 0.024 \xce\xbb 0 3（\xce\xbb 0 为自由空间中 29 GHz 的波长），在 | S 11 | \xe2\x89\xa4 10 dB 时实现 15%（27\xe2\x80\x93 31.35 GHz）的阻抗带宽。实现的峰值增益高达 9.26 dBi，2 \xe2\x80\x90 dB 增益带宽为 15.7%。 H \xe2\x80\x90 平面交叉 \xe2\x80\x90 极化水平在 3 \xe2\x80\x90 dB 波束宽度内小于 14 dB，背部辐射水平小于 17.9 dB。'
缩回注意：用于高速THZ应用的光子带隙（PBG）结构的微带贴片天线的设计和分析
关注点，包括但不限于折衷的同行评审过程，不适当或无关紧要的参考文献，其中包含非标准短语或不在期刊范围内。根据调查的发现，出版商与主持人协商，因此不再对本文的结果和结论充满信心。
非凡的透明度 - 特征毫米波...
a）应向其通信的作者：ll886@cornell.edu摘要用于毫米波电源应用，GAN高电子移动晶体管（HEMTS）通常在高纯度半胰岛的C轴c-轴4H-SIC 4H-SIC substrate上表现出现。对于这些各向异性六边形材料，微带和共浮标互连的设计和建模都需要详细了解普通介电常数ε⊥和非凡的介电常数ε||分别垂直于c轴。但是，常规的介电特性技术使得很难测量ε||单独或分开ε||来自ε⊥。结果，ε||几乎没有数据，特别是在毫米波频率下。这项工作演示了表征ε||的技术使用底物集成的波导（SIWS）或SIW谐振器的4H SIC。测得的ε||从110 GHz到170 GHz的七个SIW和11个谐振器中，在10.2的±1％以内。因为可以将SIW和谐振器与Hemts和其他设备一起在相同的SIC基板上制造，因此可以在磁力上方便地测量它们，以进行精确的材料磁盘相关性。这种介电常数技术可以扩展到其他频率，材料和方向。高纯度半胰岛六轴六边形4H SIC 1通常用作通过微带传输线（微一起）或接地的Coplanar saveguides（GCPWS）相互连接的毫米波GAN高电动型晶体管（HEMTS）的底物。1）。尽管“静态”ε⊥和ε||这需要精确了解SIC在毫米波频率下的电渗透率，以准确预测沿传输线的波浪的传播延迟和衰减。例如，在微带或GCPW上行进的准电磁（准TEM）波由普通介电常数ε⊥和非凡的介电常数ε||控制。分别垂直和平行于C轴（图
5G双频天线及天线阵列设计
摘要 本文设计了一种用于 5G（第五代）移动通信应用的双频微带贴片天线和天线阵列。5G 技术的先决条件是更高的数据速率、更高的效率、更高的增益、更宽的带宽和更紧凑的天线。Rogers RT/Duroid 5880 和 FR4 基板用于设计所提出的双频内嵌馈电微带贴片和天线阵列，分别在 28、39.5 GHz 和 29、49.8 GHz 的毫米波频率下产生谐振。双频单元件天线（Rogers）配备 8.057、7.337 dB 和 8×8 阵列天线，在 28 和 39.5 GHz 谐振频率下可获得 25.86、26.28 dB 的优异增益和 1.5、4.3 GHz 的良好阻抗带宽。此外，双频天线和阵列天线在两个频段均表现出较高的辐射效率和反射系数S11小于-10 dB。关键词：5G，RT / Duroid，嵌入式馈电，毫米波
针对 SATCOM 应用的具有低于 1dB NF 的低成本 X 波段 LNA 的设计
在本文中，我们展示了一种用于卫星通信应用的低成本 7.25-7.75 GHz 两级低噪声放大器，其噪声系数低于 1 dB。采用 Rogers RT5880 基板上的微带技术（介电常数为 2.2，厚度为 0.508 mm）开发低噪声放大器。印刷电路板技术具有多种优势，例如成本低、重量轻以及制造过程后的可重新配置性，这些优势使该技术在商业和军事应用的卫星通信系统中具有吸引力。由于单片微波集成电路技术可提供更小尺寸的电路和高电气性能（尤其是在毫米波频率下），因此印刷微带技术可以成为集成电路技术的有力竞争对手，因为它具有经过验证的可靠性、更简单、更便宜和更快速的制造工艺以及 X 波段应用中可压缩的电气性能。此外，所提出的放大器是利用加州东部实验室的 Rogers-RT5880 上的 CE3512K2 晶体管开发的，并在匹配网络中使用了表面贴装器件以减小尺寸。此外，还实施了源生成和级间匹配拓扑，以简化匹配复杂性，从而增强噪声和增益。原型是利用 LPKF 原型机制造的。开发的 LNA 在工作频率带宽内表现出 23.5±0.5 dB 的测量增益，噪声系数小于 0.9 dB，输入/输出回波损耗优于 11.5 dB。此外，开发的放大器在中心频率处测量的载波干扰比为 -59 dBc，P1dB 为 13 dBm，同时消耗的总直流功率为 50 mW。