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宇宙射线 μ 子电荷比
在 NIPNE-HH 布哈拉斯特运行的 WILLI 电磁光谱仪装置已被改造，用于测量大气中 μ 子通量的电荷比。实验方法基于对负 μ 子在物质中停止时的有效寿命与正 μ 子的寿命相比的减少的观察。该方法给出了准确的结果，避免了磁谱仪的困难和系统误差，并且详细研究了技术程序，并通过开发紧凑而灵活的测量设备进行了演示。铝被用作最佳吸收材料，这是最大限度地缩短因核俘获而导致的寿命和通过延迟电子与停止 μ 子结合观察到的停止 μ 子率的折衷。本研究主要针对μ子的一个能量范围，为讨论所谓的大气中微子问题和研究大气中微子和反中微子通量提供了重要的信息。两个测量周期得到的结果是：
SPaCE 拭子
摘要：伤口感染常见于手术和创伤后，但很难诊断，而且客观临床参数定义不明确。伤口中的细菌与感染相关的假设是错误的；所有伤口都含有微生物，但并非所有伤口都受到临床感染。这使得临床医生很难确定真正的伤口感染，尤其是对于有致病生物膜的伤口。如果感染未得到适当治疗，致病毒力因子（如铜绿假单胞菌中的鼠李糖脂）会调节宿主的免疫反应并导致组织破坏。如果微生物深入宿主组织，则会导致危及生命的脓毒症。本文介绍了针对伤口中常见的五种重要临床微生物病原体的传感器开发：金黄色葡萄球菌、铜绿假单胞菌、白色念珠菌/耳念珠菌和粪肠球菌（SPaCE 病原体）。传感器包含封装自淬灭荧光染料的脂质体。SPaCE 感染病原体在早期感染伤口中表达的毒素会分解脂质体，触发染料释放，从而使传感器颜色从黄色变为绿色，这表明感染。五种临床细菌和真菌，每种多达 20 种菌株（共计 83 种），在猪烧伤离体伤口中生长为早期生物膜。然后擦拭生物膜，并将拭子放入脂质体悬浮液中。对猪伤口生物膜中选定病原体的种群密度进行了量化，并与比色反应相关联。超过 88% 的拭子打开了传感器（10 7 − 10 8 CFU/拭子）。一项初步临床研究表明，传感器开启与早期伤口感染之间存在良好的相关性。关键词：细菌感染、即时护理、伤口、生物膜、感染检测、脂质体、荧光染料
通过子频带光吸收
抽象过渡金属二甲化合物（TMD）分层半导体在光子，电子，光电和传感器设备的设计中具有巨大的潜力。然而，从近红外（NIR）到短波长红外（SWIR）的TMD的子频率光吸收不足以超出带隙极限。在此，我们报告说，MOS 2 /AU异质结构的子频率光响应可以通过所采用的电极制造方法进行牢固调节。我们在MOS 2 /AU异质结构中观察到多达60％的亚带gap吸收，其中包括杂交界面，其中通过溅射沉积应用了AU层。sub-Bandgap光的吸收大大增强是由于MOS 2和AU形成的平面腔。因此，可以通过改变MOS 2层的厚度来调整吸收光谱。在SWIR波长范围内的光电流增加，由于吸收增加而增加，这意味着可以从可见到SWIR的宽波长检测。我们还以1550 nm的激发波长达到了快速的光响应（〜150 µs）和高响应性（17 mA W -1）。我们的发现展示了一种使用金属电极工程的光学性质调制方法，并在宽带2D材料中实现SWIR光电进行。
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免责声明：1- 为改进产品特性，本文档提供的信息（包括规格和尺寸）如有变更，恕不另行通知。订购前，建议购买者联系 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司销售部，获取最新版本的数据表。2- 在需要极高可靠性的情况下（例如用于核电控制、航空航天、交通设备、医疗设备和安全设备），应使用具有安全保证的半导体器件或通过用户的故障安全预防措施或其他安排来确保安全。3- 在任何情况下，SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司均不对用户根据数据表操作设备期间因事故或其他原因造成的任何损害负责。 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司对任何知识产权索赔或因应用数据表中描述的信息、产品或电路而导致的任何其他问题不承担任何责任。4- 在任何情况下，SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司均不对因使用超过绝对最大额定值的数值而导致的任何半导体设备故障或任何二次损坏负责。 5- 本数据表不授予任何第三方或 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司的任何专利或其他权利。6- 未经 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司书面许可，不得以任何形式复制或复印本数据表的全部或部分。7- 本数据表中描述的产品（技术）不得提供给任何其应用目的会妨碍维护国际和平与安全的一方，其直接购买者或任何第三方也不得将其用于此目的。出口这些产品（技术）时，应根据相关法律法规办理必要的手续。
超快电子衍射仪器的前沿
J.黑斯廷斯等人。应用。物理。莱特。 89、184109（2006）。 P. Musumeci 等人，应用物理快报 97, 063502 (2010)。 R. Li 等人，Rev. Sci。仪器。 81, 036110 (2010)。 Y. Murooka 等人，应用。物理。莱特。 98、251903（2011）。 P. Zhu 等人，新物理学杂志。 17、063004（2015）。 S.Weathersby 等人，Rev.Sci。仪器。 86, 073702 (2015)。 S. Manz 等人，法拉第讨论。 177, 467 (2015) D.Filippetto 和 H. Qian, J. Atom. and Mol. And Opt. Phys. 49, (2016) F. Qi 等人, Phys. Rev. Lett. 124, 134803 (2020)。HW Kim 等人, Nature photonics 14, 245 (2020)
扫描超快电子显微镜显示
2 桑迪亚国家实验室，美国新墨西哥州阿尔伯克基 87185 3 加利福尼亚大学机械工程系，加利福尼亚州圣巴巴拉 93106，美国 a) 通讯作者：aatalin@sandia.gov 了解和控制电荷载流子与埋藏绝缘体/半导体界面缺陷的相互作用对于实现现代电子产品的最佳性能至关重要。在这里，我们报告了使用扫描超快电子显微镜 (SUEM) 远程探测埋藏在厚热氧化物之下的 Si 表面的激发载流子的动力学。我们的测量结果展示了一种新颖的 SUEM 对比机制，即半导体中空间电荷场的光学调制会调制厚氧化物中的电场，从而影响其二次电子产量。通过分析 SUEM 对比与时间和激光能量密度的关系，我们证明了界面陷阱通过扩散介导捕获激发载流子。
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