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具有广义不确定性原理的量子纠缠
通过引入耦合谐振子系统，探讨了广义不确定性原理 (GUP) 修正量子力学中量子纠缠的修正情况。构造基态 ρ 0 及其约化子态 ρ A = Tr B ρ 0 ，计算了 ρ 0 的两个纠缠测度，即 E EoF (ρ 0 ) = S von (ρ A ) 和 E γ (ρ 0 ) = S γ (ρ A ) ，其中 S von 和 S γ 分别是冯·诺依曼熵和雷尼熵，直至 GUP 参数 α 的一阶。结果表明，当 γ = 2 , 3 , ··· 时，E γ (ρ 0 ) 随 α 的增加而增大。值得注意的是，E EoF (ρ 0 ) 不具有 α 的一阶。根据这些结果，我们推测，对于非负实数 γ ，当 γ > 1 或 γ < 1 时，E γ (ρ 0 ) 随 α 的增加而增加或减少。© 2022 作者。由 Elsevier BV 出版 这是一篇根据 CC BY 许可开放获取的文章（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。由 SCOAP 3 资助。
从第一性原理研究原子单层中的挠曲电性
我们利用从头算密度泛函理论 (DFT) 研究了 54 个选定原子单层中的挠曲电效应。具体来说，我们考虑了 III 族单硫属化物、过渡金属二硫属化物 (TMD)、IV 族、III-V 族、V 族单层、IV 族二硫属化物、IV 族单硫属化物、过渡金属三硫属化物 (TMT) 和 V 族硫属化物的代表性材料，执行对称性适应的 DFT 模拟，以计算在实际相关的弯曲曲率下沿主方向的横向挠曲电系数。我们发现这些材料表现出线性行为，沿两个主方向具有相似的系数，TMT 的值比石墨烯大五倍。此外，我们发现了挠曲电效应的电子起源，该效应随着单层厚度、弯曲方向的弹性模量和组成原子的极化率之和而增加。挠曲电性 1-8 是半导体/绝缘体共有的机电特性，代表应变梯度和极化之间的双向耦合。与压电性不同，它不限于非中心对称的材料，即不具有反演对称性的晶格结构，与电致伸缩相反，它允许通过反转电场来反转应变，并允许感测额外的
ASU EEE598：信号和电源完整性原理
课程描述：信号和电源完整性这一主题涉及理解和缓解使用互连在整个电气系统中忠实分配信号和电源的各种障碍。最常见的是，该主题涉及微电子系统，该系统由封装内安装的多个硅（或其他半导体）集成电路组成，并安装在一个或多个印刷电路板上。信号完整性问题在整个电子学历史中都很重要，但最近的趋势表明需要将该主题发展为一项严格的努力。理解信号完整性的基本原理并知道如何将这些原理应用于特定应用，对于成功开发射频和高速数字电路至关重要。本课程旨在让学生了解确保现代电子系统中信号和电源完整性的基本原理。信号完整性问题在整个电子学历史中都很重要，但最近的趋势表明需要将该主题发展为一项严格的努力。理解信号完整性的基本原理并知道如何将这些原理应用于具体应用，对于成功开发射频和高速数字电路来说至关重要。事实上，我们正达到一个融合点，许多为微波频率电路设计而开发的技术和工具现在正被用于解决数字电路中的信号完整性问题，同时信号完整性的正式技术现在正被用于深入了解微波电路中以前难以解决的问题。
4H-SiC中高N原子密度层结构及各向异性的第一性原理研究
位点（六边形 h 或准立方 k）。Si(0) 表示不与 NC 原子相邻的 Si 原子数；而 Si(1) 和 Si(2) 分别表示与一个和两个 NC 原子相邻的 Si 原子数。
第一性原理计算了解共溅射铝合金的微观结构和力学性能
Al 3s 2 3p 1 12 12 12 FCC a=4.040 3.47 Mg 3s 2 19 19 11 HCP a=3.189; c=5.194 1.52 Si 3s 2 3p 2 9 9 9 金刚石a=5.469 4.54 Ti 3p 6 3d 2 4s 2 15 15 9 HCP a=2.936; c=4.648 5.31 Fe 3d 7 4s 1 17 17 17 BCC a=2.832 4.92 Co 3d 8 4s 1 19 19 13 HCP a=2.491; c=4.025 5.17 Ni 3d 8 4s 2 13 13 13 FCC a=3.518 5.08 Zn 3d 10 4s 2 19 19 11 HCP a=2.637; c=5.072 1.11 Zr 4s 2 4p 6 4d 2 5s 2 15 15 9 HCP a=3.232; c=5.169 6.45 Ru 4d 7 5s 1 19 19 11 HCP a=2.713; c=4.281 7.97 Pd 4d 9 5s 1 12 12 12 FCC a=3.942 3.79 Ag 4d 10 5s 1 12 12 12 FCC a=4.146 2.53
输电可竞争性原则 - AEMC
根据 ISP 和州政府可再生能源政策，拟议的重大输电投资规模巨大，这值得考虑，与主要 TNSP 垄断提供规定的输电服务相比，某些输电服务的可竞争性是否可以：• 降低总系统成本；• 加快重大输电项目的交付；• 增加创新，包括解决 TNSP 对网络解决方案的明显偏见；• 使州政府能够在监督重大输电投资项目的决策方面发挥更积极的作用；和/或• 解决潜在风险，即 TNSP 在当前监管体制下拥有唯一权利进行共享输电网络投资，但不能被要求这样做，这可能会延迟投资。
利用中性原子阵列进行确定性快速加扰
快速扰乱器是动态量子系统，可在随系统规模 N 呈对数增长的时间尺度上产生多体纠缠。我们提出并研究了一类确定性的快速扰乱量子电路，可在近期实验中用中性原子阵列实现。我们表明，三种实验工具——最近邻里德堡相互作用、全局单量子比特旋转和由辅助镊子阵列促进的换位操作——足以生成非局部相互作用图，这些图仅使用 O（log N）个并行最近邻门应用即可扰乱量子信息。这些工具能够以高度可控和可编程的方式直接通过实验访问快速扰乱动力学，并可利用它们来产生具有各种应用的高度纠缠态。
MoF6 在羟基化催化剂上吸附的第一性原理研究...
人们对二维过渡金属二硫属化物产生了浓厚的兴趣，这引发了大量使用可扩展气相方法（如化学气相沉积 (CVD) 和原子层沉积 (ALD)）对其合成进行实验研究。ALD 通常允许较低的沉积温度，并且化学前体的成核需要与表面功能团发生反应。研究 ALD 建模的常用第一性原理方法是计算拟议反应途径的活化能。在这项工作中，我们使用密度泛函理论 (DFT) 计算了部分电荷密度、局部态密度 (LDoS)、Bader 电荷分析、吸附能和电荷密度差，以研究 MoF 6 在三种氧化物表面（包括 Al 2 O 3 、HfO 2 和 MgO）的成核。我们的研究结果表明，羟基 (OH) 有助于降低 MoF 6 前半周期内的反应势垒并促进前体在氧化物基底上的化学吸附。这一发现得到了氧化物表面高离子性 MF x（M = 金属，x = 1、2、3）键形成的支持。通过比较有羟基和无羟基的表面，我们强调了表面化学的重要性。
基于第一性原理的高通量筛选耐腐蚀高熵合金的方法
由于合金的成分空间几乎是无限的，因此设计耐腐蚀高熵合金 (CR-HEA) 具有挑战性。为此，需要高效可靠的高通量探索性方法。为此，当前的工作报告了一种基于第一性原理的方法，利用功函数、表面能和耐腐蚀性之间的相关性（即，根据定义，功函数和表面能分别与合金固有的耐腐蚀性成正比和反比）。使用由密度泛函理论 (DFT) 计算得出的离散表面能和功函数，评估了 fcc Co-Cr-Fe-Mn-Mo-Ni 功函数和表面能的两个贝叶斯 CALPHAD 模型（或数据库）。然后使用这些模型对不同的 Co-Cr-Fe-Mn-Mo-Ni 合金成分进行排序。观察发现，排序后的合金具有与之前研究的耐腐蚀合金相似的化学特性，这表明所提出的方法可用于可靠地筛选具有潜在良好固有耐腐蚀性的 HEA。
高性能确定性原位电子
摘要固态量子发射器在现实世界量子信息技术中的应用需要具有高过程产量的精确纳米制动平台。具有出色发射特性的自组装半导体量子点已被证明是满足许多新型量子光子设备需求的最佳候选者之一。然而，它们的空间和光谱位置在统计上以太大而无法通过固定光刻和灵活的处理方案进行整体统计量变化。我们通过基于精确且方便的阴极发光光谱进行了灵活和确定性的制造方案来解决这个严重的问题。本文介绍了该先进的原位电子束光刻的基础和应用示例。尽管我们在这里专注于作为光子发射器的量子点，但这种纳米技术概念非常适合基于基于量子发射器的各种量子纳米量设备的制造，这些量子发射器表现出适当的强大发光信号。