注释:1. 百分比电流传输比定义为输出集电极电流 IO 与正向 LED 输入电流 IF 之比乘以 100。2. 器件被视为双端器件:引脚 1 和 3 短接在一起,引脚 4、5 和 6 短接在一起。3. 按照 UL 1577,每个光电耦合器都通过施加 4800 V RMS 的绝缘测试电压 1 秒进行验证测试。4. 逻辑高电平下的公共瞬态抗扰度是共模脉冲 V CM 上升沿上的最大可容忍(正)dV CM /dt,以确保输出将保持在逻辑高状态(即 VO > 2.0 V)。逻辑低电平下的共模瞬变抗扰度是共模脉冲信号 V CM 下降沿可容忍的最大(负)dV CM /dt,以确保输出保持在逻辑低状态(即 VO < 0.8 V)。5. 1.9 k 负载代表 1.6 mA 的 1 TTL 单位负载和 5.6 k 上拉电阻。6. 交流输出电压比其中频值低 3 dB 的频率。7. 建议使用连接引脚 4 和 6 之间的 0.1 μF 旁路电容。8. 对于任何给定设备,脉冲宽度失真 (PWD) 定义为 |t PHL - t PLH |。9. 在相同测试条件下,任何两个部件之间的 t PLH 和 t PHL 之间的差值。
注释:1.电流传输比(百分比)定义为输出集电极电流 I O 与正向 LED 输入电流 I F 之比乘以 100。2.设备被视为双端设备:引脚 1 和 3 短接在一起,引脚 4、5 和 6 短接在一起。3.根据 UL 1577,每个光耦合器都通过施加绝缘测试电压 4800 V RMS 持续 1 秒进行验证测试。4.逻辑高电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲 V CM 上升沿上的最大可容忍(正)dV CM /dt,以确保输出将保持在逻辑高状态(即,V O > 2.0 V)。逻辑低电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲信号 V CM 下降沿上的最大可容忍(负)dV CM /dt,以确保输出将保持在逻辑低状态(即,V O < 0.8 V)。5.1.9 k 负载代表 1.6 mA 的 1 TTL 单位负载和 5.6 k 上拉电阻。6.交流输出电压比其中频值低 3 dB 的频率。7.建议使用连接在引脚 4 和 6 之间的 0.1 μF 旁路电容。8.对于任何给定设备,脉冲宽度失真 (PWD) 定义为 |t PHL - t PLH |。9.相同测试条件下任意两个部件之间的 t PLH 和 t PHL 之间的差异。
注释:1.电流传输比(百分比)定义为输出集电极电流 I O 与正向 LED 输入电流 I F 之比乘以 100。2.建议使用 0.1 F 旁路电容连接引脚 5 和 8。3.1.9 k 负载代表 1.6 mA 的 1 TTL 单位负载和 5.6 k 上拉电阻。4.对于任何给定设备,脉冲宽度失真 (PWD) 定义为 |t PHL – t PLH |。5.相同测试条件下任意两个部件之间的 t PLH 和 t PHL 之间的差异。6.逻辑高电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲 V CM 上升沿上的最大可容忍(正)dV CM /dt,以确保输出将保持在逻辑高状态(即,V O > 2.0 V)。逻辑低电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲信号 V CM 下降沿上的最大可容忍(负)dV CM /dt,以确保输出将保持在逻辑低状态(即,V O < 0.8 V)。7.设备被视为双端设备:引脚 1、2、3 和 4 短接在一起,引脚 5、6、7 和 8 短接在一起。8.根据 UL 1577,每个光耦合器都通过施加绝缘测试电压 > 6000 V RMS 持续 1 秒进行验证测试。
Xilinx Virtex V5、Kintex US 以及 Microchip RTG4 和 RTPolarFire FPGA 的 RadHard 72M 和 144M QDRII+ SRAM 设备均可免费获得内存控制器。QDR-II+ SRAM 控制器管理基于 DDR 的源同步时序架构的复杂时序细节,并确保 FPGA 和 QDRII+ SRAM 内存之间的可靠数据传输。如果需要更高级别的辐射抗扰度来减轻单粒子干扰,控制器嵌入式 ECC (SECDEC) 也可作为 RTL 选项提供。请联系 hirel-memory@infineon.com 获取 RTL 代码和测试台的副本。
摘要—调焦窗口选取是光电经纬仪自动调焦过程中的重要环节。传统光电经纬仪调焦窗口选取方法存在计算量大、抗扰度差、适应性差等缺点。针对该问题,提出了基于脱靶量的光电经纬仪自动调焦窗口选取方法。实验结果表明,该方法计算量小,且相应的评价函数曲线灵敏度较高。同时,降低了背景对调焦过程的影响,满足了光电经纬仪对运动目标实时自动调焦的实时性和准确性要求。
从一开始,EMC PARTNER AG 就使用新技术和不断发展的技术来推动 EMC 测试解决方案和仪器设计的创新。EMC PARTNER AG 设计办公室的首款产品是 TRA1000,这是世界上第一个用于传导抗扰度测试的集成解决方案。完全模块化的 IMU3000 和 IMU4000 是拥有 25 年历史的一系列创新产品中的第四代产品。ESD3000 仍然是唯一一款高达 30kV 的 AA 电池供电发电机,紧随 TRA1000 之后推出。独特的设计使 ESD3000 成为多种应用中的首选 ESD 发电机。
功能测试 EN 54-18 PASS 性能和供电参数变化 EN 54-18 PASS 干热(运行) EN 54-18 PASS 寒冷(运行) EN 54-18 PASS 湿热,循环(运行) EN 54-18 PASS 湿热,稳定状态(耐久性) EN 54-18 PASS 二氧化硫 (SO2) 腐蚀(耐久性) EN 54-18 PASS 冲击(运行) EN 54-18 PASS 撞击(运行) EN 54-18 PASS 振动,正弦(运行) EN 54-18 PASS 振动,正弦(耐久性) EN 54-18 PASS 电磁兼容性 (EMC) 抗扰度测试 EN 54-18 PASS
(1) 根据应用的特定设备隔离标准应用爬电距离和电气间隙要求。注意保持电路板设计的爬电距离和电气间隙,以确保印刷电路板上隔离器的安装垫不会减小此距离。在某些情况下,印刷电路板上的爬电距离和电气间隙会相等。在印刷电路板上插入凹槽、肋条或两者等技术可用于帮助提高这些规格。 (2) 在空气或油中进行测试,以确定隔离屏障的固有浪涌抗扰度。 (3) 视在电荷是由局部放电 (pd) 引起的放电。 (4) 屏障两侧的所有引脚连接在一起,形成一个双端子设备。
在适用的情况下,应对 CBS 执行以下发射测量: (a) 未纳入 CBS 的相关辅助设备的辐射发射应按照 CISPR 32 第 5 节和表 A.4 和 A.5 中定义的 B 类要求进行测量;或 EN 301 489-1 第 8.2 节; (b) CBS 直流电源端口的传导发射应按照 EN 301 489-1 第 8.3 节定义的限值进行测量; (c) 对于带有专用交流/直流电源转换器的 CBS,交流电源端口的传导发射应按照 CISPR 32 第 5 节和表 A.10 中定义的 B 类要求进行测量;或 EN 301 489-1 第 8.4 节。带有直流电源端口并由专用交流/直流电源转换器供电的设备定义为交流电源供电设备(CISPR 32 第 3.1.1 节); (d) 对于电流谐波发射,应适用 IEC/EN 61000-3-2 或 IEC/EN 61000- 3-12 的测试方法和限值; (e) 对于电压波动(闪烁),应适用 IEC/EN 61000-3-3 或 IEC/EN 61000- 3-11 的测试方法和限值;以及 (f) CBS 有线网络端口的传导发射应按照 CISPR 32 表 A.12 中定义的 B 类要求进行测量;或者 EN 301 489-1 中§8.7。 4.2.1.2 EMS 或抗扰度测试 可以根据 CISPR 35 或 EN 301 489-1 中§9 定义的要求对 CBS 进行以下抗扰度测试(如适用): (a) 设备外壳处的 RF 电磁场(80 MHz 至 6 GHz); (b) 设备外壳的静电放电; (c) 交流主电源端口以及电缆长度超过 3 米的信号端口、有线端口、控制端口和直流电源端口的快速瞬变(共模);