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具有电流失配减少功能的高摆幅电荷泵
摘要 电荷泵 (CP) 在现代锁相环 (PLL) 实现中被广泛使用。CP 电流失配是 PLL 输出信号中静态相位偏移和参考杂散的主要来源。本文提出了一种在宽输出电压范围内具有小电流失配特性的新型 CP。专门设计的双补偿电路使用单位增益反馈运算放大器和电流镜来降低输出电压接近电源电压 (V DD ) 或地 (GND) 时的电流失配。并且使用附加反馈晶体管来降低沟道长度调制效应的影响。后版图仿真结果表明，采用 40 nm CMOS 工艺的所提出的 CP 的输出电流为 115 μA。此外，在 0.04 至 1.07 V 的输出电压范围内，电流失配小于 0.97 μA 或 0.84%，覆盖了 1.1 V 电源的 93.6% 以上。因此，所提出的 CP 最大化了动态范围，并降低了 CP-PLL 的相位偏移和参考杂散。关键词：电荷泵、电流不匹配、动态范围、锁相环分类：集成电路（存储器、逻辑、模拟、射频、传感器）
具有高输出摆幅的传感点，用于自旋量子位的可扩展基带读出
量子计算（特别是可扩展量子计算和纠错）的一个关键要求是快速且高保真度的量子比特读出。对于基于半导体的量子比特，局部低功率信号放大的一个限制因素是电荷传感器的输出摆幅。我们展示了 GaAs 和 Si 非对称传感点 (ASD)，它们专门设计用于提供比传统电荷传感点大得多的响应。我们的 ASD 设计具有与传感器点强烈分离的漏极储液器，这减轻了传统传感器中的负反馈效应。这导致输出摆幅增强 3 mV，这比我们设备传统状态下的响应高出 10 倍以上。增强的输出信号为在量子比特附近使用超低功率读出放大器铺平了道路。
基于有源电感、具有大输出电压摆幅的高线性度 10 Gb/s MOS 电流模式逻辑驱动器
一些设计挑战[18,19]。有源电感使用晶体管构建，因此电压摆幅低于无源电感，因为晶体管需要较大的电压余量。并且晶体管的非线性特性使有源电感的电感阻抗随偏置点而变化[20]。当有源电感工作在相对较大的电压摆幅下时，输出阻抗的变化很大。为了增加输出电压摆幅，做了一些其他的工作[21-23]。它们克服了阈值电压的限制，因此所需的电压余量降低了，但是晶体管非线性的影响仍然存在。为了使阻抗变化可接受，它们仅对输出电压摆幅提供有限的增加。
EC5534I-G (AS34-G) 数据表 - DALINCOM
� 应用信息 产品描述 EC5534 轨到轨四通道放大器采用先进的高压 CMOS 工艺制造。其超轨输入能力和全摆幅输出范围使其成为广泛通用应用的理想放大器。3.2V/µS 高压摆率、快速稳定时间、3.5MHz GBWP 以及高输出驱动能力等特性已证明 EC5534 是 TFT-LCD 应用的良好电压参考缓冲器。高相位裕度使 EC5534 成为高驱动应用的电压跟随器连接模式的理想选择 电源电压、输入范围和输出摆幅 EC5534 可在 4.5V 至 18V 的单个标称宽电源电压下运行，在 -40 °C 至 +85 °C 的工作温度下性能稳定。EC5534 具有比轨到轨输入共模电压范围大 500mV 和共模抑制比为 70dB 的特性，允许在许多应用中进行宽范围感测，而无需担心超出范围，也不会影响准确性。EC5534 的输出摆幅通常延伸到正负电源轨 80mV 以内，负载电流为 5mA。只需降低负载电流，输出电压摆幅就可以更接近电源轨。图 1 显示了单位增益配置中设备的输入和输出波形。放大器在 ±5V 电源下工作，10k Ω 负载连接到 GND。输入为 10Vp-p 正弦波。可以轻松实现约 9.985 Vp-p 的输出电压摆幅。
变幅疲劳、建模和测试
虽然使用寿命可以像沃勒图一样简单地描述，但是弯曲疲劳的微观损伤效应是由材料不同阶段发生的不同机制组成的？整个生命周期。在光的开始处发生了一种机制，即洒水。在第三阶段，载荷的变化将引起位错运动，最终导致裂纹的形成。这开始了疲劳寿命的第二阶段，即裂纹扩展。此时，成核裂纹将随着每个加载循环而增长，直到应力强度变得如此之大以至于出现残余桥。裂纹扩展阶段可分为两个不同的子阶段：“阶段 I”中裂纹在最大剪应力平面上扩展，“阶段 II”中裂纹在垂直于拉应力方向的平面上扩展。 “阶段 I” 阶段适用于几种晶粒尺寸的顺序（见图 3）。
今天摆脱了vape。
不必担心插入。听起来很陈词滥调，但真的只是做自己。我要说的第二件事就是日复一日地做事，并找到一种健康的选择。，这可能是一项运动，阅读；还有我个人的音乐。我喜欢音乐。在一天结束时，您永远不会知道您喜欢什么[更健康的替代方案]。
国际电气与计算机工程杂志（IJECE）
基于鳍式场效应晶体管 (FinFET) 的模拟电路正逐渐取代基于金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的电路，因为其稳定性和高频操作而变得越来越重要。构成大多数模拟电路子块的比较器是使用运算跨导放大器 (OTA) 设计的。OTA 采用新的设计程序设计，比较器电路是将子电路与 OTA 集成在一起设计的。设计并集成了比较器设计的构建块，例如输入电平转换器、带有共源共栅级的差分对和用于输出摆幅的 AB 类放大器。在反馈路径中使用折叠共源共栅电路来将共模输入值保持为常数，以便差分对放大差分信号。比较器的增益达到 100 dB 以上，相位裕度为 65°，共模抑制比 (CMRR) 高于 70 dB，输出摆幅从轨到轨。该电路提供 5 GHz 的单位增益带宽，适用于高采样率数据转换器电路。
增强学习的基于旋转的旋转摆项目
实施，实验和结果38 5.1。软件实施38 5.1.1 TensorFlow 38 5.1.2 Pendulum驱动器38 5.1.3 Pendulum Environment 38 5.1.4 Raspberry Pi Software 39 5.1.5深钢筋学习39 5.2。硬件实现39 5.2.1带电机驱动器的Raspberry Pi 39 5.2.2带电机旋转编码器的Raspberry Pi 40 5.2.3 Raspberry pi搭配摆旋转旋转编码器40 5.3。实验实现和设置40 5.3.1环境40 5.3.2参数41 5.4。仿真结果42 5.4.1应用突然变化44
利用对称布尔函数格实现异或/同或门的方法
目前 CMOS 的行业标准 XOR 和 XNOR 门分别由 12 个和 10 个晶体管组成。由于 XOR/XNOR 在许多功能模块中被广泛使用，因此可以降低晶体管数量以产生低功耗电路。作为一种解决方案，提出了一种利用对称布尔函数的特殊性质实现低晶体管数量 XOR/XNOR 门的方法。此特性表明，使用特殊的晶格结构电路可以用更少的晶体管实现此类功能的电路。对原始晶格结构进行了修改，以符合当前 CMOS 技术要求。最终电路需要八个晶体管用于 XOR/XNOR，并在上推和下拉网络中混合使用 NMOS 和 PMOS。模拟表明，XOR/XNOR 的预期逻辑功能已实现。然而，实际电压摆幅的读数表明，当 NMOS 和 PMOS 分别作为下拉或上推网络时，输出要么高于地 0.3 V，要么低于 VDD。如果只有 NMOS 处于上推状态或只有 PMOS 处于下拉状态，则可观察到 0.4 V 的更大电压损失。作为一项初步工作，功能逻辑级别的实现保证了未来开展更多工作以改善输出电压摆幅的损失。
