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EU的合格声明 产品 /过程更改通知1。PCN... < / div> 产品 /过程更改信息1。PCI... < / div> XLM超级电容器模块数据表 到达客户通信v 6 20210127 可编程电池充电器，用于铅酸和锂... 基于电缆的电容器 基于电缆的电容器 条目+模块XM125数据表V1.0 空间剪接系列 PC817X系列 条目+模块XM125数据表V1.2 产品 /过程更改通知1。PCN... < / div> 板到板和背板 1.3 SIC 1200V二极管的PCN过程合理化标题 CSM系列BulkMetal®技术高精度，... 固态继电器阵容 HL7019 Loctite Ablestik 789-4 电容传感器MCU Photonics Solutions Snap Pac Brains数据表 球探FM无线电板Stemma I2C OSD32MP2X-PM - ST STM32MP2处理器 + DDR4 SIP PC817X系列 Loctite 3220W 高性能防御和航空解决方案 超快软恢复整流器二极管... bes lite系列
EU的合格产品名称声明：MTC-L4G2D-B03/ MTC-L4G2D-B03-KIT和MTC-L4G2D-B01/ MTC-L4G2D-B01/ MTC-L4G2D-B01-B01-WW姓名和地址制造商的姓名和地址制造商的责任。声明的目的：LTE CAT 4细胞调制解调器上述声明的对象与相关的欧盟协调立法一致：指令2014/53/eu，指令2014/35/eu指令2011/65/eu由指令修订，由指令2015/863/eu Place：Mount：Mount dive，Mount dive：3月202日。
偏置场环对垂直几何 β-Ga2O3 整流器中重离子撞击后电荷去除的影响
本研究通过 TCAD 研究了重离子撞击对具有偏置场环的 beta-Ga 2 O 3 肖特基二极管的响应以及由此产生的单事件烧毁。使用实验电流-电压 (IV) 曲线验证了用于模拟高反向偏置下器件的模型。器件的场环配置表明，在模拟重离子撞击后，电荷去除效果有所改善。如果电荷去除的时间尺度比单事件烧毁更快，则这可能是一种有效的减少单离子撞击影响的机制。本研究探讨了终端结构的各种配置，并展示了不同设计参数对离子撞击后瞬态响应的影响。© 2023 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章，根据知识共享署名 4.0 许可条款发布（CC BY，http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/），允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品，只要对原始作品进行适当的引用。[DOI：10.1149/2162-8777/acbcf1]
标题：基于全喷墨印刷有机二极管的 13.56 MHz 整流器
FA Viola 博士、B. Brigante、P. Colpani、G. Dell'Erba 博士、Dario Natali 教授、M. Caironi 博士，意大利理工学院纳米科学与技术中心@PoliMi，地址：via Pascoli 70/3，邮编 20133 米兰，意大利。电子邮件：mario.caironi@iit.it Dr. V. Mattoli 微型生物机器人中心，意大利理工学院，viale Rinaldo Piaggio 34, 50125 Pontedera (PI), 意大利 Prof. D. Natali 米兰理工大学电子、信息和生物工程系，via Ponzio 34/5, 20133 米兰，意大利 关键词：印刷电子、RFID、二极管、整流器、有机半导体
MBRD2045S 肖特基势垒整流器
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一种 新型 多 频带 整流 电路 的 设计 与 分析
摘要 近年来，射频能量收集已成为一个有趣的研究领域。本文介绍了多频带整流电路的实施布局。我们在这里实现了 1.9 GHz 的整流电路。整流电路的设计和仿真采用 -10 dBm、0 dBm、10 dBm 的输入功率。在谐振频率 1.83GHz、4.37 GHz 和 5.53 GHz 频率下，输入功率相对于直流电压的变化如图所示。当负载为 10kOhm、1Kohm、5Kohm，谐振频率为 1.83GHz、4.37GHz 和 5.53GHz 时，效率 (%) 相对于输入功率 (dBm) 的变化如图所示。当输入功率为 -10dBm 和 10dBm，频率为 1.83GHz、4.37GHz 和 5.53GHz 时，直流输出电压相对于负载的变化如图所示。本文展示了输入功率为-10dBm、0dBm、谐振频率为1.83GHz、4.37GHz和5.53GHz时效率随负载的变化。本文解释了输入功率为-10dBm和0dBm、负载为1kOhm、5Kohm和10Kohm时输出直流电压随频率的变化。本文还介绍了输入功率=-10 dBm和0dBm、负载=10Kohm时输入阻抗（Zin）实部和虚部随频率（GHz）的变化。本文还展示了输入功率为-10dBm、负载为10KOhm时回波损耗S（1,1）（dB）随频率的变化。关键词：整流器、回波损耗、射频能量收集
用于物联网传感器射频能量收集的整流天线系统
解决方案将集成用于能量收集的多端口整流天线、电源管理单元 (PMU)、微控制单元 (MCU)、RF 收发器模块和传感器。 关键组件是多端口整流天线系统。它从蜂窝和无线系统收集环境 RF 能量以提供直流电源，即使在光线不足和黑暗的室内或嵌入式环境中也是如此。 为了补充低 RF 能量区域的环境 RF 能量，无线电力传输 (WPT) 还可以与独立 RF 源 (>900 MHz) 一起使用以补充 RF 环境。 PMU 用于合并多个输入功率并将其重新分配给多个输出负载。PMU 系统可以容纳具有不同电压规格的传感器或收发器。在 IoT 传感器节点中，功率流以 μW 到 mW 为单位。
适用于 7 nm FinFET 工艺的可控硅整流器嵌入式二极管静电放电保护
静电放电 (ESD) 引起的损坏是集成电路的主要失效之一。在当今集成电路所采用的 7nm FinFET 工艺中，由于 FinFET 栅极氧化层的厚度减小以及高 k 电介质的可靠性较低，在静电放电 (ESD) 冲击下极其脆弱[1-3]，并且遭遇非致命的 ESD 冲击后，ESD 保护性能会逐渐下降[4,5]。一些 ESD 建模和仿真技术已被用于 FinFET 工艺，以帮助分析 ESD 冲击下的 ESD 保护特性[6-9]。ESD 保护二极管被认为是一种很有前途的 ESD 保护器件[6-8]。具有高鲁棒性的二极管串硅控整流器 (DSSCR) 也被认为是以前技术节点的 ESD 保护装置 [ 10 – 15 ]，但由于其高漏电和闩锁的较大回弹，它不再适用于 7 nm 技术。FinFET 工艺的 ESD 设计仍然是一个巨大的挑战。目前还没有一种具有足够低触发电压 (Vt) 和高故障电流 (It2) 的高鲁棒性 ESD 保护装置。在本文中，我们提出了一种基于 7 nm FinFET 工艺的新型硅控整流器嵌入式二极管 (SCR-D)。制造并分析了具有不同关键设计的这种保护的特性。
一种采用半波精密整流器的新架构方案
摘要：本文提出了一种基于第二代电压传送器 (VCII) 的半波整流器电路架构方案。该方案可产生电压信号形式的反相和非反相输出。所提出的电路是文献中介绍的第一种使用 VCII 的半波整流器架构。它由一个 VCII、两个二极管和一个接地电阻组成。输入信号为电流形式，整流输出电压信号在同一 VCII 的低阻抗 Z 端口提供。因此，产生的输出信号可直接使用，无需添加额外的电压缓冲器。此外，电路增益由接地电阻值设置，可以进行调整。所提出的电路采用简单的晶体管级结构，仅使用 21 个晶体管。本文介绍并解释了整流器的架构以及可能的 VCII 拓扑。还给出了初步的模拟结果，突出了其功能。它的简单性和多功能性使其适用于传感器接口和传感器网络的处理电路，其中模拟处理部分的低功耗至关重要。
低热阻（0.5 K/W）Ga2O3 肖特基整流器...
摘要 — Ga 2 O 3 的低热导率可以说是 Ga 2 O 3 功率和射频器件最严重的问题。尽管进行了许多模拟研究，但是还没有关于大面积封装 Ga 2 O 3 器件热阻的实验报告。这项工作通过展示 15-A 双面封装 Ga 2 O 3 肖特基势垒二极管 (SBD) 并测量其在底部和结侧冷却配置下的结到外壳热阻 (R θ JC) 来填补这一空白。R θ JC 特性基于瞬态双界面法，即 JEDEC 51-14 标准。结冷和底部冷却的 Ga 2 O 3 SBD 的 R θ JC 分别为 0.5 K/W 和 1.43 K/W，前者的 R θ JC 低于同等额定值的商用 SiC SBD。这种低 R θ JC 归因于直接从肖特基结而不是通过 Ga 2 O 3 芯片进行散热。R θ JC 低于商用 SiC 器件，证明了 Ga 2 O 3 器件在高功率应用中的可行性，并表明了适当封装对其热管理的重要性。索引术语 — 超宽带隙、氧化镓、封装、肖特基势垒二极管、热阻。