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增强型门控二极管触发可控硅整流器...
随着集成电路规模的不断缩小，静电放电 (ESD) 已成为影响集成电路可靠性的关键因素。[1] 目前，超过三分之一的芯片损坏与 ESD 有关，迫切需要可靠有效的 ESD 防护设计。ESD 防护设计存在许多难点，例如在期望高稳健性和小尺寸的同时满足设计窗口。传统的 ESD 防护器件例如 GGNMOS、二极管、NPN 和 RC 电源钳位通常占用大量的芯片面积。[2] 为了减轻集成电路中每个 I/O 引脚的 ESD 防护对硅片的消耗，可控硅 (SCR) 因其最高的稳健性和最小的尺寸成为各种 ESD 防护器件中最具吸引力的选择。[3] 然而，SCR 固有的再生反馈机制会导致深度回跳和相对较小的保持电压，造成闩锁效应。 [4] 另外，随着保持电压的提高，ESD器件的瞬态功耗必然增大，导致ESD故障电流（It2）急剧下降。因此，在保持足够高的故障电流的同时提高保持电压是极其困难的。人们致力于提高SCR的保持电压。[5-8] 最简单的方案是扩大SCR阳极和阴极之间的距离，[5] 但这种方法效率低，不足以实现闩锁效应。
带整流 IoU 损失的单次双叉检测器
基于CNN的目标检测器中，特征金字塔被广泛使用来缓解目标实例间尺度变化的问题。这些目标检测器通过自上而下的路径和横向连接来强化特征，主要是为了丰富低级特征的语义信息，而忽略了高级特征的增强，这会导致不同层次的特征之间不平衡，特别是高级特征中严重缺乏细节信息，从而难以得到准确的边界框。在本文中，我们引入了一种新的双管齐下的传导思想，从前向和后向探索不同层之间的关系，可以同时丰富低级特征的语义信息和高级特征的细节信息。在双管齐下的思想指导下，我们提出了一个双管齐下网络（TPNet）来实现高级特征和低级特征之间的双向传递，这有助于准确地检测不同尺度的目标。此外，由于单阶段检测器中难样本和易样本的分布不平衡，定位损失的梯度总是由定位精度较差的难样本主导。这将导致模型偏向难样本。因此，在我们的 TPNet 中，提出了一种基于 IoU 的自适应定位损失，称为 Rectified IoU (RIoU) 损失，以校正每种样本的梯度。Rectified IoU 损失会增加高 IoU 样本的梯度，同时抑制低 IoU 样本的梯度，从而提高模型的整体定位精度。大量实验证明了我们的 TPNet 和 RIoU 损失的优越性。
光伏辅助自Vth取消CMOS整流器...
摘要 开发了一种用于射频能量收集的高效 CMOS 整流器（采用 0.18 µ m CMOS 技术）。为了在极低输入功率条件下也能高效运行，采用自 Vth 抵消 (SVC) 和光伏 (PV) 辅助技术的有效组合实现了基于倍压器的整流器。在该整流器中，二极管连接 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 由直流偏置电压补偿，该偏置电压不仅由片上 PV 电池产生，还由整流器本身的输出电压产生。因此，即使在低输入功率条件下，整流器也能高效运行。此外，采用了使用简单 pn 二极管的偏置电压限制器来有效调节过度的 Vth 补偿，并在宽功率范围内实现整流器的高运行效率。在输入功率为 − 15 dBm、频率为 1 GHz、输出负载电阻为 10 k Ω 和光照度为 10 mW/m 2 的情况下，射频到直流功率转换效率 (PCE) 达到 30.8%。关键词：能量收集、无线电波、光伏、功率转换效率、整流器分类：能量收集设备、电路和模块
通过声子进行热整流的理论范式...
图 2：金刚石在双层 (a) 和多层 (b) 薄膜厚度方向上的热导率，从薄膜底部向上 (从薄到厚，虚线)，从顶部向下 (从厚到薄，实线)。模型使用散射受限建模 (粗蓝线和虚线，无方向差异) 和受限声子群体模型 (红线和虚线) 展示。自上而下，两种建模方法匹配。然而，自下而上，受限声子模型导致厚膜热导率有限，因为入射声子群体中缺乏长波声子。这导致热导率的显著差异和较大的热整流效应。为了阐明双层和多层配置，插图中提供了带有箭头指示热流方向的卡通图。
超低功率整流器的分析与优化...
摘要 — 能够通过天线从环境中收集射频能量并将其转换为直流能量以输送给负载的系统称为整流天线。整流电路是整流天线的重要组成部分，由于它采用了在极低功率水平下工作的非线性装置，因此其建模非常困难。此外，系统中还存在一些损耗。因此，设计高效整流器是一项巨大的挑战。在这项工作中，使用遗传算法优化了几种整流器拓扑，以实现最高效率和输出电压。还分析了变量对这些整流器输出的影响。所研究的拓扑针对 -15 dBm 输入功率和 2.45 GHz 工作频率进行了优化，以符合最适合能量收集的频段。在这些条件下，单二极管系列拓扑表现出最佳性能。当输入功率为 -15 dBm 时，其输出电压为 402 mV，效率为 51.3%。在该功率水平下，实现的效率高于文献中所述的效率。
用于射频能量收集和无线电力传输的整流天线：天线设计回顾
已经针对该系统的不同组件进行了文献调查。表一概述了功率转换阶段、高效功率转换的关键组件以及针对每个部分的相关文献调查。最近的调查主要关注功率转换技术 [4], [6], [7]、整流器拓扑 [7], [8] 或从网络角度来看的 RFEH [5], [9]。然而，在已报道的评论中，RFEH 的天线设计并未被视为关键参数。例如，虽然一些调查从整体角度考虑了天线的带宽和效率，或针对小型化或可穿戴天线等小众应用的特定天线设计 [8], [10]，但尚未对某些天线参数对功率接收和转换效率的影响进行详细分析。 58 本综述回顾了整流天线中的天线设计技术，旨在区分 RFEH 和 WPT 特定的天线设计挑战与通信的标准天线设计。从两个角度比较天线，即端到端阻抗匹配和辐射特性，每个角度都进行比较。
白皮书整流器二极管 - 新开发项目
在单层FR-4样式的PCB上，焊接垫的大小是整体热量升压的主要贡献者。两层和4层PCB降低了热电阻。使用热vias是另一个不错的选择。在更高的功率设计中，有时会发现更昂贵的IMS基材。在所有这些设计中，总体热沉积较少依赖于非常大的焊料垫，而小型化是一种选择，并且可以增加功率散发。TSC还推出了2个新软件包-SMPC4.0和TO277A - 带有裸露的垫子。这些软件包为Diodes Inc和Vishay提供了第二来源。裸露的垫子可以大大帮助减少与消散功率相关的板空间。他们还通过降低RTHJ-l来减少TJ，从而提高可靠性。也是一个称为SOD123HE软件包的较小包装。
Al-Mhana T、Pickert V、Atkinson DJ、Zahawi B. 强制换向控制串联电容整流器，用于更多电动
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