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MCWP 3-31
预期效果可以被认为是一种支持实现目标的条件，而不良效果则是可能阻碍实现目标的条件。条件是实现目标所必需的系统的物理或行为状态。直接影响是军事行动的直接、一阶后果，通常是直接的且易于识别。间接影响是行动的二阶、三阶和更高阶后果，通常会延迟或转移。间接影响可以是物理或行为性质的，可能难以识别或观察。影响也可以按顺序或并行施加。随着时间的推移，一个接一个地连续施加的影响是连续的。那些几乎同时施加的是并行影响，这会给系统带来更大的压力并需要更快的适应。影响往往会累积或复合，因此许多直接或间接影响的最终结果往往会结合起来产生比其各自影响总和更大的结果。影响可以通过系统级联或连锁反应，通常会影响其他系统，通常是通过相关系统共有且关键的节点和链接。
催化共振理论 - 巴特尔研究小组
在异质催化剂表面上的化学反应表现出与流体相产物多种途径的基本反应的复杂网络，有时会导致由封闭循环反应途径组成的表面反应环。尽管稳态下的常规催化剂在催化环周围的任一方向上表现出零净通量，但通过微动力学建模评估了三种表面回路的环路周转频率，以评估由两个或更多表面能态之间催化表面振荡的反应环行为。对于经历了表面能的施加振荡（即程序）的动态异质催化剂，显示三种物种的表面反应环在环路周围表现出非零的分子净流，而环更离心频率的程度随施加的频率和平方波振荡的应用频率和扩增而变化。另外，一些动态表面反应仅在两个表面物种之间表现出振荡，或者始终导致一个物种覆盖的表面。对于三个不同电子状态的动态表面程序观察到了更复杂的行为，而施加状态的TEM Poral顺序控制了三分子表面环内分子流动的方向。催化环有可能限制总体催化反应速率并在可编程催化剂中使用能量，而某些应用可能有目的地施加非零的环路转离频率，以改善表面反应控制。
面向固体电解质机械模型...
图 1：kMC 模拟结束时气体种类 (a, b) 和 SEI 产物 (c, d) 的平均分数随施加电位的变化。模拟是在两种条件下进行的，反映了 SEI 形成的不同方式。为了模拟在靠近负极处形成 SEI 的情况，在形成显著的界面层 (a, c) 之前，允许在没有隧道势垒的情况下进行还原 (D = 0 . 0 ˚ A)。由于电极很可能在高施加电位下被覆盖，因此在实际电池环境中可能无法进入低电位区域 (低于 +0.5V vs Li/Li + 的施加电位)。因此，该区域已被阴影化。为了模拟远离负极处形成 SEI (b, d) 的情况，在存在部分电子绝缘的界面层的情况下，相对较厚的隧道势垒 (D = 10 . 0 ˚ A) 减缓了还原速度。提供了表示平均值标准误差的误差线，但通常太小而无法看到。
应用超导：约瑟夫森效应和超导电子学
2.6 不同施加磁场下小约瑟夫森结中的约瑟夫森电流分布....................................................................................................................................................56
1个基于磷化物的Terahertz量子cascade激光...
图1。在所提出的结构的生长方向上，在施加的电压V 1 = 73 mV的每个级联和温度t = 77 k处的传导带V，能量水平和平方。 对于我们的计算，我们使用级联的两个量子井（QW）选择了设计和在所提出的结构的生长方向上，在施加的电压V 1 = 73 mV的每个级联和温度t = 77 k处的传导带V，能量水平和平方。对于我们的计算，我们使用级联的两个量子井（QW）选择了设计和
SR2IRO 4 ...
图2 B 1G和B 2G菌株下的磁连导率。（a）MC在210 K处，无外部施加应变（黑色开放三角形），在施加的B 1G应变下，用H // a（红色开放的三角形）和H // B（蓝色开放正方形）。（b）在带有H // [110]和H // [-110]的各种B 2G菌株下210K的MC。示意图。夸大失真是出于说明目的。（c）B 2G应变场相图基于MC结果，其中相位边界是从MC曲线中的扭结位置提取的。
高加速寿命测试 - Chroma ATE
HALT 的目的截然不同。在 HALT 中，目标是对产品施加过大的压力，并迅速导致产品故障。通过以受控、分步的方式施加这些压力，同时持续监测产品是否发生故障，测试结果会暴露出设计中最薄弱的环节。在 HALT 完成后，产品的功能和破坏极限是已知的，并且定义了设计和工艺限制的“清单”，通常还会定义纠正措施。简而言之，HALT 的目标是快速破坏产品并从产品表现出的故障模式中吸取教训。测试的关键价值在于发现的故障模式以及发现它们的速度。当
