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通过定向能量沉积制备超细 Fe-Fe2Ti 共晶
我们研究了通过定向能量沉积 (DED) 获得的 Fe-Fe 2 Ti 共晶微观结构，其过共晶成分为 Fe-17.6 at.% Ti。实现了低至 200 nm 的超细层状间距，这种特性只能通过吸铸等方法在薄样品中获得。然而，在层间边界 (ILB) 处观察到主要 Fe 2 Ti 相的球状形态，并带有 Fe 相的晕圈。因此，对于给定的 DED 条件，晶体结构在 ILB 上是不连续的。二维和三维分析方法都用于量化微观结构，包括高分辨率同步全息 X 射线计算机断层扫描 (HXCT)。通过相场建模，针对选定的成核场景和从共晶到过共晶的合金成分，探索了共晶系统在定性对应于激光增材制造条件下的一般行为。虽然模拟提供了有关微观结构形成的宝贵见解，但模拟指出，我们需要进一步加深对增材制造条件下熔化的理解，以便实施合适的成核和/或自由生长模型。模拟还表明，使用精确的共晶合金成分可以防止球状 ILB。
非晶相变材料中的电阻漂移收敛和反转
图 4：a) Ge 15 Te 85 玻璃在 105 °C 下退火一段时间后进行的电阻率上扫描测量得出的虚拟温度 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 的演变。𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 数据与 TNM-AG 模型（黑线）精确拟合，并长时间向退火温度 105 °C 收敛，从而证实了稳定性。b) 将在 105 °C 恒温保持期间获得的电阻率数据（浅蓝色点）与从 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌（红色圆圈）和 TNM-AG 模型（黑线）计算出的电阻率值进行比较（a）。实验电阻率数据与玻璃松弛模型的预测结果非常吻合。请注意，初始 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 低于图 2 所示的 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝐻𝐻。这是由于在 vdP 样品上沉积覆盖层期间向硫族化物引入了热量。
深入研究各种晶圆类型以实现射频最佳性能
高击穿电压：GaN器件可以处理高电压 高电子迁移率：GaN晶体管用于无线通信的功率放大器 高电子迁移率：GaAs表现出优异的电子传输特性，使其适用于高频应用 低噪声系数：基于GaAs的器件通常用于敏感RF接收器的低噪声放大器（LNA） 高功率处理能力：GaAs功率放大器在RF通信系统中普遍存在。
纳米晶石墨烯，用于超敏表面...-虹膜
信息工程，基础设施和可持续能源部（DIIES），雷格·卡拉布里亚（Reggio Calabria）的大学“地中海”。feo di vito，89122意大利雷吉奥·卡拉布里亚（Reggio Calabria），b agenzia nazionale per le nuove tecnologie，l'Energia e lo sviluppo经济索斯替尼比尔（Enea）（Enea），Casaccia Casaccia研究中心，罗马00123，ITALY C ITALY IBERIAN IBERIAN IBERIAN NANOTECHNOLOGE BRAIG-3 33 D YSESE大学材料科学与工程系，首尔，北大韩民国材料科学与工程系，首尔国立大学材料科学与工程部，首尔市长08826，大韩民国高级材料研究所高级材料研究所（RIAM），首尔国立大学，首尔国立大学，首尔08F826，韩国共和国Gustorea Gyernied Instuperiity offector offerea thepsier offeraea h himea keprotied首尔国立大学，首尔08826，大韩民国
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有效避免碎片、裂缝和断浇口风险 9BB技术采用圆形色带，可有效避免碎片、裂缝和断浇口风险
芯片、节点和晶圆：半导体数据收集的分类法
半导体价值链容易受到干扰，这对现代经济构成了相当大的风险。更好的数据对于决策者识别瓶颈、监控特定半导体类型的供需平衡以及管理干扰至关重要。本文提出了半导体类型和生产设施的通用分类法，以促进协调的数据收集和共享。该分类法将半导体产品分为四大类——“逻辑”、“内存”、“模拟”和“其他”——并根据其普及程度和特定功能细分为子类别。半导体生产设施根据所使用的技术和生产不同类型半导体的能力、安装的生产能力以及其他相关工厂（和公司）特征进行分类。该分类法将成为半导体生产数据库的基础，并将在未来进行修订，以跟上半导体技术的发展。
derby 425 ds ii - 卡斯特林共晶
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利用 ... 实现芯片到晶圆键合的替代方法
本文介绍了一种无需依赖载体晶圆即可直接放置芯片到晶圆的替代方法，该方法专门针对混合键合、3DIC 和集成光子学应用而设计。芯片到晶圆键合是异质垂直集成设备制造中的关键工艺，通常涉及在集成到目标晶圆之前将各个芯片放置到载体或处理晶圆上的中间步骤。这种传统方法增加了成本、复杂性、潜在的兼容性问题和工艺步骤。在本研究中，我们提出了一种简化的工艺，消除了对载体晶圆的需求，从而简化了集成并减少了制造步骤。利用大气等离子清洗，我们清洁并激活芯片和目标晶圆的表面，以促进直接放置键合。通过实验验证，我们证明了这种方法的可行性和有效性。我们的研究结果展示了成功的芯片到晶圆键合，界面污染最小，键合强度增强。此外，我们还探讨了大气等离子清洗参数对键合质量的影响，为工艺优化提供了见解。这项研究为芯片到晶圆键合提供了一种有前途的替代方案，提高了垂直集成电路制造的效率和简便性，特别是在混合键合、3DIC 和集成光子学应用领域。
晶圆级单晶过渡金属的位错...
8 三星电子有限公司三星先进技术研究所 (SAIT)，韩国水原 16678 gwanlee@snu.ac.kr 摘要 (Century Gothic 11) 通过化学气相沉积 (CVD) 在具有外延关系的晶体基底（例如 c 面蓝宝石）上合成了晶圆级单晶过渡金属二硫属化物 (TMD)。由于 TMD 外延生长的基底有限，因此需要将转移过程转移到所需的基底上进行器件制造，从而导致不可避免的损坏和皱纹。在这里，我们报告了通过过渡金属薄膜的硫属化在超薄 2D 模板（石墨烯和 hBN）下方的 TMD（MoS 2 、MoSe 2 、WS 2 和 WSe 2 ）的异轴（向下排列）生长。硫族元素原子通过石墨烯在硫族化过程中产生的纳米孔扩散，从而在石墨烯下方形成高度结晶和层状的TMD，其晶体取向排列整齐，厚度可控性高。生长的单晶TMD显示出与剥离TMD相当的高热导率和载流子迁移率。我们的异轴生长方法能够克服传统外延生长的衬底限制，并制造出适用于单片3D集成的4英寸单晶TMD。参考文献 [1] Kang, K. 等。具有晶圆级均匀性的高迁移率三原子厚半导体薄膜。Nature 520 , 656-660 (2015).[2] Liu, L. 等。蓝宝石上双层二硫化钼的均匀成核和外延。Nature 605 , 69-75 (2022) [3] Kim, K. S. 等人。通过几何限制实现非外延单晶二维材料生长。Nature 614 , 88-94 (2023)。