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200 系列 200 毫米晶圆运输载体
凭借 50 多年先进晶圆处理和运输经验，Entegris 持续提供安全可靠的 200 毫米晶圆加工解决方案。我们的 200 系列 200 毫米晶圆运输载体可满足当今 200 毫米晶圆厂的自动化、污染控制和生产力要求。这些晶圆载体专为先进晶圆运输而设计，可提供精确的晶圆存取、可靠的设备操作和安全的晶圆保护。
倒装芯片芯片到晶圆键合回顾
在本文中，我们考虑了对于 D2W 键合，封装集成商可以使用几种键合技术，从焊球到底部填充 TCB 和混合键合。讨论了各种特定的应用差距和技术载体，以强调 HVM 的采用目前还不是交钥匙工程，而与一直占主导地位的成熟引线键合相比，该技术似乎非常年轻。由于特定外形封装尺寸或设备应用对性能的要求很高，代工封装公司或使用内部封装工艺的大型半导体制造商，因此采用年轻的技术需要仔细规划，以解决潜在的差距和障碍，以实现具有成本效益、高产量和可扩展的技术。I/O 密度将受到关键因素的限制，例如键合对准精度、焊盘或凸块尺寸和金属界面、晶圆或载体晶圆形状/翘曲、如果采用了 CMP 技术，界面均匀性、退火和 DT 限制、底部填充特性、凸块金属选择、应力诱导裂纹形成；必须谨慎处理此处未考虑的其他差距和风险，以确保
200 系列 200 毫米晶圆运输载体
凭借 50 多年先进晶圆处理和运输经验，Entegris 持续提供安全可靠的 200 毫米晶圆加工解决方案。我们的 200 系列 200 毫米晶圆运输载体可满足当今 200 毫米晶圆厂的自动化、污染控制和生产力要求。这些晶圆载体专为先进晶圆运输而设计，可提供精确的晶圆存取、可靠的设备操作和安全的晶圆保护。
晶圆可扩展的单层非晶态三氧化钼
摘要：三氧化钼 (MoO 3 ) 是一种重要的过渡金属氧化物 (TMO)，由于其在现有技术和新兴技术（包括催化、能源和数据存储、电致变色器件和传感器）中的潜力，在过去几十年中得到了广泛的研究。最近，人们对二维 (2D) 材料的兴趣日益浓厚，与块体材料相比，二维材料通常具有丰富的有趣特性和功能，这导致了对 2D MoO 3 的研究。然而，大面积真正的 2D（单原子层至几原子层厚）MoO 3 尚未实现。在这里，我们展示了一种简单的方法来获得晶圆级单层非晶态 MoO3，该方法使用 2D MoS2 作为起始材料，然后在低至 120°C 的基板温度下进行紫外臭氧氧化。这种简单而有效的过程可产生具有晶圆级同质性的光滑、连续、均匀和稳定的单层氧化物，这通过几种表征技术得到证实，包括原子力显微镜、多种光谱方法和扫描透射电子显微镜。此外，使用亚纳米 MoO3 作为夹在两个金属电极之间的活性层，我们展示了最薄的基于氧化物的非挥发性电阻开关存储器，该存储器具有低压操作和高开/关比。这些结果（可能可扩展到其他 TMO）将使进一步探索亚纳米化学计量 MoO3 成为可能，扩展超薄柔性氧化物材料和器件的前沿。关键词：晶圆级、单层、氧化钼、非晶态、电阻开关存储器
沿着晶须启发的触觉传感器的动态接触估计
啮齿动物中的一个有趣的共同特征是它们的晶须，他们可以积极地移动以感知环境周围的接触。这些晶须具有各种功能，例如从对象中提取轮廓，为机器人提供位置估算，识别纹理特征以及积极避免碰撞。基本上，它为低计算成本的机器人提供了一种非侵入性的触觉感知，尤其是在非结构化，混乱和视力障碍的环境中有益的。实现实时的被动接触估计并确保强大的机械设计对于这种传感器至关重要。以前的方法通常依赖于6轴力/扭矩传感器[1]，压电电阻[2]或其他与力相关的传感器。但是，这些解决方案通常是庞大而挑战的规模。相比之下，磁透射的晶须[3]提供了更紧凑且易于集成的解决方案，能够用平行的晶须形成阵列。尽管如此，基于磁通量在根周围的磁通量变化而准确地对接触运动进行建模并沿晶须轴进行定位，这在很大程度上取决于强大的设计。我们已经构建了一种产生提示联系估计的方法，但是由于缺乏对物体形状的先验知识，基于切向接触状态估计的当前方法仍然遭受动态误差[4]。
现在在德国奥地利提供晶圆刀片，...
Kulicke＆Soffa自2008年以来，英国和爱尔兰的Hub Dicing Blades专有分销商已被扩展到包括奥地利，德国，荷兰和葡萄牙。注释编辑此新闻稿是由Inseto（英国）发行的，受技术内容创建和通信机构声明（www.declaration.co.uk，+44（0）1522 789000）的限制。如果您对此公告有任何编辑询问，请联系Mandy Warrilow，新闻官员，mandy@declaration.co.uk。，如果您需要与本新闻稿有关的文章或任何其他形式的副本，请联系技术作者Richard Warrilow，Richard@declaration.co.uk。请致电+44（0）1264 334505与Matt Brown联系，或通过电子邮件（matt.brown@inseto.co.uk）与所有广告和赞助事务有关。关于Inteto（UK）Limited成立于1987年和ISO 9001：2015自2005年以来的认证，Inteto是针对半导体，微电动和高级技术领域的设备和相关材料的领先技术分销商，以及电子，自动化和工业制造的粘合剂。公司有三个部门，即：
铁基磁性非晶合金的激光增材制造
摘要：与磁致伸缩系数高但矫顽场大的多晶 Fe 基合金和磁致伸缩系数较小的 Co 基非晶合金（λ s = − 3 至 − 5 ppm）相比，Fe 基非晶材料具有高饱和磁致伸缩系数（λ s = 20–40 ppm）和低矫顽场，为磁传感器、执行器和磁致伸缩换能器提供了新的机会。增材层制造 (ALM) 为更复杂的净成型设计提供了一种新的制造方法。本文回顾了用于制造 Fe 基非晶磁性材料的两种不同的 ALM 技术，包括结构和磁性能。选择性激光熔化 (SLM)——一种粉末床熔合技术——和激光工程净成型 (LENS)——一种定向能量沉积方法——均已用于制造非晶态合金，因为它们在文献中具有高可用性和低成本。利用 SLM 技术引入了两种不同的扫描策略。第一种策略是双扫描策略，可实现 96% 的最大相对密度和 1.22 T 的相应磁饱和度。它还将玻璃相含量提高了 47% 的数量级，并提高了磁性能（将矫顽力降低至 1591.5 A/m，将磁导率提高至 100 Hz 时的 100 左右）。第二种是新颖的扫描策略，涉及两步熔化：初步激光熔化和短脉冲非晶化。这使非晶相分数增加到高达 89.6%，相对密度增加到 94.1%，并将矫顽力降低到 238 A/m。另一方面，尽管 LENS 技术具有提供优异的机械性能、可控的成分和微观结构等优点，但由于其几何精度较低（0.25 毫米）且表面质量较低，因此在非晶态合金生产中的应用并不像 SLM 那样广泛。因此，它通常用于复杂程度较低的大型部件及其修复，由于尺寸限制而限制了非晶态合金的生产。本文全面回顾了这些用于 Fe 基非晶态磁性材料的技术。
通过“添加剂晶界工程”拓宽工程材料的设计空间
晶界工程 (GBE) 是改善多晶固体性能的最成功的加工策略之一。然而，GBE 过程中涉及的大量热机械过程限制了其在特定应用和材料中的使用。在这篇观点论文中，我们讨论了增材制造 (AM) 技术提供的扩大 GBE 范式适用性的机会，从而扩大了工程材料的设计空间。通过在 AM 中集成专门设计的热机械加工，可以生产具有复杂几何形状和 GBE 微观结构的块状近净成形零件。我们讨论了这一努力中的主要挑战，并提出了一些实现这一目标的可能策略，我们将其称为“增材-GBE”。
晶圆级扇出型封装的可靠性和性能
为了分析 UBM 疲劳，使用热机械有限元模拟研究了圆形衬垫界面处的载荷。由于 Hutchinson 和 Sou [15] 推断出拉伸法向载荷的界面韧性远低于剪切载荷，因此重点关注法向载荷。模拟研究了 T = -40°C 至 125°C 的温度范围。在低温下 (T = -40°C) 存在最高的拉伸法向载荷。这可以通过焊球材料在低温下蠕变减少 [16] 来解释，这会导致更高的弹性应力。此外，在低温下可以检测到焊球的倾斜。倾斜是由 PCB 和封装的 CTE 不匹配引起的。因此，拉伸法向应力位于界面朝向封装周边的一侧（见图 3）。图 3 中的色标直观地显示了拉伸和压缩应力的定性分布。这些模拟结果与分层实验结果相一致（见图 1）：在焊盘的相同外部区域也发现了分层。