使用栅极电压来控制流经纳米级超导收缩的超导电流,称为栅极控制的超电流(GCS),出于基本和技术原因引起了极大的兴趣。为了更深入地了解这种效果并基于IT开发超导技术,必须确定对GCS效应至关重要的材料和物理参数。自上而下的制造方案也应优化以提高设备可伸缩性,尽管研究表明自上而下的制造设备更具弹性,可以显示出GCS。在这里,我们研究了通过自上而下的纳米三生,该纳米三生物是由自上而下的制造工艺制成的,该工艺是从非中心对称超导体超导体niobium rhenium(niobium rhenium)(NBRE)变化的。与以前用自上而下的方法报告和制造的其他设备不同,我们的NBRE设备是从具有较小晶粒尺寸且在特定条件下蚀刻的NBRE薄膜制成的,系统地表现出GCS效应。这些观察结果为实现具有高扩展性的自上而下的GCS设备铺平了道路。我们的结果还意味着,纳米三酚的结构障碍和表面物理特性等物理参数又可以通过制造过程来修改,这对于GCS观察至关重要,因此也提供了对GCS效应基础物理的重要见解。
使用栅极电压来控制流经纳米级超导收缩的超导电流,称为栅极控制的超电流(GCS),出于基本和技术原因引起了极大的兴趣。为了更深入地了解这种效果并基于IT开发超导技术,必须确定对GCS效应至关重要的材料和物理参数。自上而下的制造方案也应优化以提高设备可伸缩性,尽管研究表明自上而下的制造设备更具弹性,可以显示出GCS。在这里,我们研究了通过自上而下的纳米三生,该纳米三生物是由自上而下的制造工艺制成的,该工艺是从非中心对称超导体超导体niobium rhenium(niobium rhenium)(NBRE)变化的。与以前用自上而下的方法报告和制造的其他设备不同,我们的NBRE设备是从具有较小晶粒尺寸且在特定条件下蚀刻的NBRE薄膜制成的,系统地表现出GCS效应。这些观察结果为实现具有高扩展性的自上而下的GCS设备铺平了道路。我们的结果还意味着,纳米三酚的结构障碍和表面物理特性等物理参数又可以通过制造过程来修改,这对于GCS观察至关重要,因此也提供了对GCS效应基础物理的重要见解。
激光金属沉积 (LMD) 是一种增材制造工艺,在制造和修复复杂功能部件方面表现出色。然而,为了提高表面质量和材料性能,生产的部件需要传统的机加工操作。由于样品在构建过程中受到高度局部的热输入,生产的部件中可能会出现局部材料性能的显著变化。这可能会影响 LMD 工艺生产的部件的可加工性。本研究旨在研究铣削工艺及其对 LMD 工艺生产的 Ti-6Al-4V 部件的表面完整性的影响。进行热处理是为了使材料的微观结构均匀化。以传统的 Ti-6Al-4V 作为参考材料样品。根据切削工艺参数,加工后的 LMD 部件的切削力和表面粗糙度分别比传统样品高 10-40% 和 18-65%。加工后的 LMD 样品中的压缩残余应力比传统样品高 11-30%。这些差异与测试部件之间的微观结构和晶粒尺寸差异有关。© 2020 作者。由 Elsevier BV 出版 这是一篇根据 CC BY-NC-ND 许可开放获取的文章(http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/)由第五届 CIRP CSI 2020 科学委员会负责同行评审
在这项研究中,研究了低能(1 keV)AR +离子束照射对多晶Ti磁盘形态的影响。通过切割和机械抛光商业棒来制备目标。通过扫描电子显微镜(SEM)和机械辅助学来表征辐照前后的表面地形。使用各种入射角(αI)以10 18离子/cm 2的总剂量从正常到放牧的几何形状进行辐射。对辐照的Ti靶标的SEM分析揭示了明显的纹理,其表面形态具有各种可实现的表面形态,具体取决于αI。表面特征从具有指纹样图案(0≤αi≤60°)的斑块中的波纹变化到平行于离子束方向的定向结构,例如柱/尖端结构(65≤αi≤75°)和浅层波纹(αi至80°)。这种形态的选择性可以归因于竞争性扩散和侵蚀性方案,在这种情况下,形态的横向均匀性受到晶体晶粒尺寸有限的影响。最后,评估了特征性地形的润湿性和生物兼容性,与未经处理的表面相比,结果表明离子束纹理表面的性能提高了。
实施电弧定向能量沉积需要开发新型、工艺适应性强的高性能铝合金。然而,传统的高强度合金难以加工,因为它们容易产生热裂纹。基于 Al-Mg-Zn 的交叉合金结合了良好的可加工性和人工时效后的良好机械性能。在这里,我们提出了一种使用 Ag 微合金化进一步改善 Al-Mg-Zn 交叉合金机械性能的努力。在样品中没有观察到裂纹和少量孔隙。微观结构以细小和球状晶粒为主,晶粒尺寸为 26.6 l m。晶粒结构基本上没有纹理,包含细小的微观偏析区,偏析缝厚度为 3-5 微米。经热处理后,这些微观偏析区溶解,并形成 T 相沉淀物,这通过衍射实验得到澄清。该沉淀反应导致显微硬度为 155 HV0.1,屈服强度分别为 391.3 MPa 和 418.6 MPa,极限拉伸强度分别为 452.7 MPa 和 529.4 MPa,横向和纵向断裂应变分别为 3.4% 和 4.4%。所得结果表明,可以使用新开发的铝交叉合金通过电弧直接能量沉积制造高负荷结构。
激光粉床融合添加剂制造(LPBF-AM)的金属迅速成为下一代金属零件和许多重要应用中最重要的材料处理途径之一。但是,表征基于激光的LPBF-AM的大型参数空间使得了解控制微结构和机械性能结果的变量是什么。基于直接LPBF-AM处理的敏感性研究是昂贵且冗长的,并且会受到每种打印机的规范和可变性。在这里,我们开发了一种快速通量数值方法,该方法使用动态固化和晶粒生长的细胞自动机模型模拟LPBF-AM过程。这伴随着多晶可塑性模型,该模型捕获了由于复杂的晶粒几何形状而捕获晶界的强化,并提供了所得微观结构的应力应变曲线。我们的方法将处理阶段与机械测试阶段联系起来,从而捕获了处理变量的效果,例如激光功率,激光斑点尺寸,扫描速度和孵化宽度,并在屈服强度和处理材料的切线模量上效果。当应用于纯Cu和不锈钢316L钢时,我们发现激光功率和扫描速度分别对每种材料的晶粒尺寸具有最强的影响。
1。最近,由于其低成本,高效率和便捷的制造,钙钛矿太阳能电池对许多研究人员变得更具吸引力。自从宫宫和同事于2009年首次报道以来,钙钛矿太阳能电池(PSC)技术已从3.8%提高到25%左右[1,2]。基本的钙钛矿太阳能电池由透明的导电层组成,例如弗洛林掺杂锡氧化物(FTO)或imper的掺杂锡氧化物(ITO),电子传输层,光敏的钙钛矿层,孔传输层,最后是金属电极。由于对所有层都是有效的,因此电子传输层对于高效率在PSC中起重要作用。tio 2是最常用的电子传输层之一,其各种制造方法(例如自旋涂层,喷涂,溅射等)。[3-5]。独立于制备技术,TIO 2结构包括一些问题,例如氧气空位和尤其位于TIO 2表面上的非化色缺陷[6,7]。那些缺陷可以防止电子流,从而导致钙钛矿太阳能电池性能不佳。一些研究人员报告了一些不同的材料,例如SNO 2,ZnO,CDS和WOX,而不是TIO 2作为电子传输层[8-11]。尽管CD作为电子传输层仍然远非令人满意,但它可能是用于修饰和钝化TIO 2表面的出色界面材料。最近,Hwang等。报道CD作为中孔TIO 2层的修饰材料,导致钙钛矿太阳能电池的稳定性提高[12]。Zhao等。 Dong等。Zhao等。Dong等。Dong等。使用CD作为前体溶液的添加剂,并观察到重组显着降低[13]。使用CD作为电子传输层,观察到PSC的效率为16.5%[14]。Wessendorf等。通过使用CD作为电子传输层[15]观察到滞后的减少。CD扩散到钙钛矿层会导致晶粒尺寸增加,从而提高效率[16]。 Mohamadkhania等。 使用SNO 2表面上的CD作为接口修饰符,观察到滞后降低并提高效率[17]。 ma等。 表明,在TIO 2表面上化学沉积的CD可将效率从10.31%提高到14.26%[18]。CD扩散到钙钛矿层会导致晶粒尺寸增加,从而提高效率[16]。Mohamadkhania等。 使用SNO 2表面上的CD作为接口修饰符,观察到滞后降低并提高效率[17]。 ma等。 表明,在TIO 2表面上化学沉积的CD可将效率从10.31%提高到14.26%[18]。Mohamadkhania等。使用SNO 2表面上的CD作为接口修饰符,观察到滞后降低并提高效率[17]。ma等。表明,在TIO 2表面上化学沉积的CD可将效率从10.31%提高到14.26%[18]。
通过烧结机械合金化的 Fe 和 Si 粉末与 Mn、Co、Al、P 作为 p 型和 n 型掺杂剂,制备了添加了 B 4 C 纳米粒子的 β-FeSi 2 。随后将固结样品在 1123 K 下退火 36 ks。退火后烧结物的 XRD 分析证实了从 α 和 ε 几乎完全转变为热电 β-FeSi 2 相。样品表面的 SEM 观察结果与衍射曲线相符。TEM 观察结果显示 B 4 C 纳米粒子均匀分布在材料中,没有可见的聚集体,并确定了晶粒尺寸参数 d 2 < 500 nm。所有掺杂剂都有助于降低热导率和塞贝克系数,其中 Co 对提高与参考 FeSi 2 相关的电导率的影响最大。结合添加 Co 作为掺杂剂和 B 4 C 纳米粒子作为声子散射体,Fe 0.97 Co 0.03 Si 2 化合物的无量纲性能系数 ZT 在 773 K 时达到 7.6 × 10 –2。将所检测的烧结物与之前制造的相同化学计量但不添加 B 4 C 纳米粒子的烧结物的热电性能进行比较,发现它们总体上具有负面影响。关键词:二硅化铁、纳米粒子、热电材料
图1显示了第一代溅射铂NW的室温LF噪声谱,该NW采用基片阶梯光刻技术制造,其工艺顺序如图2所示。5,7,8,51通过基片阶梯光刻技术制造的NW是多晶的,其晶粒尺寸小于线直径。5,7 – 9,16,20,51 – 54图1中NW的噪声幅度在近五十个频率范围内以1/f 1.15的速率增加。f = 1 Hz时的Hooge参数为γH≅3×10−4,这是溅射Pt线和薄膜的典型值。51,71,96,97方程(2)中噪声幅度的1/N≈1/NA依赖性推测波动来源于体源。 20 世纪 70 年代末到 80 年代中期的几项重要实验证明了缺陷和杂质在金属低频噪声中的关键作用。52,55,66,83,95,98 – 103 一个具有单一特征散射或跃迁时间 τ 的缺陷会导致 RTN,其 Lorentzian 频谱在高于 1/ τ 的频率下下降为 1/ f 2,在低于 1/ τ 的频率下保持恒定。55,62,66,95,104 – 106 第 II.B 节中给出了 ZnO NW 的示例。如果噪声是由具有以下分布的多个缺陷引起的
这项工作涉及不同热处理对定向能量沉积(DED)产生的TI-6AL-4V样品的影响。在1050℃下退火处理,然后进行不同的冷却速率,以允许对微结构的完整重结晶并去除柱状先验β晶粒,从而增加了材料的整体各向同性。还进行了540℃的氨基处理,以进一步的微结构稳定。微结构,纹理和机械性能。由于热处理,在等同的谷物形态中实现了巨大的微观结构。但是,检测到“谷物记忆”效应,导致晶粒尺寸沿样品高度增加。这种效果与沿Z上典型的DED技术的固有的先验β晶粒宽度变化相关。电子反向散射分析证明,热处理后优先分离截面的强度增加,这可能是由于样品从退火温度冷却时发生的晶体学变异选择机制。这种效应还受热处理和当ASPRINT标本之间的先验β晶粒大小而言的显着差异。总结一下,通过高于β-透射温度的热处理对材料进行完全均质化,这是具有挑战性的。实际上,数据表明制造过程授予的固有纹理相关的各向异性很难被消除。