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接触蚀刻停止 a-SixNy：H 层：单多晶硅闪存数据保留的关键因素
氮化硅 a-Si x N y :H 接触蚀刻停止层通过作用于初始电荷损失现象，强烈影响单多晶硅非挥发性存储器中的数据保留性能。其改进需要通过实验设计方法分析流入等离子体增强化学气相沉积工艺参数。a-Si x N y :H 物理电学分析指出，必须避免富含硅的成分，尤其是其界面层，以减少 a-Si x N y :H 电荷量，从而提高数据保留率。事实上，a-Si x N y :H 靠近浮栅，其电荷调制可以充当寄生存储器，通过电容效应屏蔽浮栅中存储的电荷。© 2009 美国真空学会。DOI：10.1116/1.3071846
替代 FCBGA 封装解决方案评估
摘要 有 2 种潜在的替代封装解决方案被提出来用味之素增层膜 (ABF) 基板取代倒装芯片球栅阵列 (FCBGA)。第一种是无 ABF 解决方案，即采用基于层压板的预浸料的倒装芯片规模封装 (FCCSP)。FCCSP 是一种成熟的封装解决方案，有多种预浸料材料可供选择以匹配原始 ABF 特性。FCCSP 的重点 FCBGA 尺寸为 10 mm x 10 mm 至 21 mm x 21 mm，基板层数从 1+2+1L 到 2+2+2L。应用涵盖内存控制器、Wi-Fi 处理器和 DTV SoC。另一种封装解决方案是扇出型球栅阵列 (FOBGA)，其目标是具有高 ABF 层数的更大 FCBGA。FCBGA 的重点最大封装尺寸和层数分别为 55 mm x 55 mm 和 6+2+6L。潜在的应用是需要极高电气性能的 CPU、AI 加速器和网络交换机。FOBGA 的设计理念是重新分配 FO 芯片上的信号凸点位置，并使 ABF 基板层容纳更多的 I/O 信号，以进一步减少 ABF 基板的层数。进行封装信号完整性 (SI) 和电源完整性 (PI) 分析以验证所提出的封装解决方案的电气性能。最后，我们提出了 FOBGA 的设计指南，以减轻由于基板层减少而导致的性能下降。关键词扇出球栅阵列 (FOBGA)、信号完整性 (SI)、电源完整性 (PI)、串扰、电源传输网络 (PDN)。
国际电气与计算机工程杂志（IJECE）
基于鳍式场效应晶体管 (FinFET) 的模拟电路正逐渐取代基于金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的电路，因为其稳定性和高频操作而变得越来越重要。构成大多数模拟电路子块的比较器是使用运算跨导放大器 (OTA) 设计的。OTA 采用新的设计程序设计，比较器电路是将子电路与 OTA 集成在一起设计的。设计并集成了比较器设计的构建块，例如输入电平转换器、带有共源共栅级的差分对和用于输出摆幅的 AB 类放大器。在反馈路径中使用折叠共源共栅电路来将共模输入值保持为常数，以便差分对放大差分信号。比较器的增益达到 100 dB 以上，相位裕度为 65°，共模抑制比 (CMRR) 高于 70 dB，输出摆幅从轨到轨。该电路提供 5 GHz 的单位增益带宽，适用于高采样率数据转换器电路。
夹式粘合 CCPAK-1212：设计下一代 GaN 产品 Serge Karboyan、Ding Yandoc、Barr Licup、Manikant、Sara Martin Horcajo、Stefano
夹片键合 CCPAK-1212：设计下一代 GaN 产品 Serge Karboyan、Ding Yandoc、Barr Licup、Manikant、Sara Martin Horcajo、Stefano Dalcanale、John Denman、Zainul Fiteri、Hagop Tawidian、Manfred Rowe、Sven Zastrau、Adam Brown 和 Bas Verheijen Nexperia，Bramhall Moor Ln，斯托克波特，大曼彻斯特，英国 关键词：GaN、AlGaN、CCPAK1212、夹片键合、封装、产品可靠性。 引言 Nexperia 的商业化 GaN 基功率晶体管在功率器件市场表现出巨大优势，在 650 V 时提供低导通电阻。为了在不同应用（如车载充电器、DC-DC 转换器、牵引逆变器）[1、2] 中实现这种出色性能，Nexperia 推出了一种新型夹片键合封装 HEMT，在高工作电压下具有低关断态漏电。虽然这是 GaN 行业中第一个推出完全夹片键合解决方案而不需要任何引线键合连接的解决方案，但该解决方案的电感比引线封装低 5 倍（2.37 nH 对比近 14 nH），并且封装电阻超低，热阻小于 0.5 K/W [3]。要保持这种性能，需要高水平的器件工程设计，包括 HEMT 设计、MOSFET 设计以及紧凑型 CCPAK 中的共源共栅配置，从而形成具有行业领先性能的创新封装。夹片键合配置用于优化热性能和电气性能，简化的共源共栅可避免使用栅极驱动器。结果与讨论图 1 显示了共源共栅配置中的无引线键合 GaN HEMT 和 Si MOSFET。这些器件位于
非对称的有效栅极长度模型...
亲爱的编辑，随着 VLSI 技术的发展，环栅 (GAA) 硅纳米线晶体管 (SNWT) 已成为技术路线图末端最终缩放 CMOS 器件最有潜力的候选者之一。一些先驱研究已经证明了 GAA SNWT 的超可扩展性和高性能 [1-3]。然而，在实际制作结果中 [1,2]，由于纳米线对蚀刻工艺的阴影效应，环栅栅极电极通常不是关于纳米线中心轴理想对称的，而是沿纳米线轴向呈梯形横截面。栅极电极的这种不对称性会使性能评估不正确，并导致用于电路仿真的器件紧凑模型不准确。然而，对非对称 GAA 硅纳米线 MOSFET 建模的研究仍然不足 [4,5]。本研究建立了非对称栅极GAA SNWT的有效栅极长度模型，并用技术计算机辅助设计（TCAD）仿真对其进行了验证。利用所提出的模型，可以将非对称GAA SNWT视为等效对称器件，从而可以在电路仿真中简化建模参数。仿真与方法。图1（a）沿沟道方向描绘了非对称栅极GAA SNWT的横截面。在
储能杂志
电化学储能是可再生能源发电系统的重要组成部分，有助于建设低碳社会。铅炭电池是一种改进的铅酸电池，将碳加入负极板。它弥补了铅酸电池无法处理瞬间大电流充电的缺陷，具有安全性高、性价比高、可持续发展等优点。铅炭电池的回收效率为98%，回收过程符合所有环境和其他标准。储能用铅炭电池还需要具备深度放电能力，尽管放电深度对铅炭电池正极板的失效有显著影响。本研究优化和增强了铅炭电池的正极板，使其能够同时执行大电流充电（340.255 A）和深度放电（70% DOD）操作。选择合适的铅合金、改善正极板栅的结构以及调节板栅的固化和干燥过程都是优化和改进过程的一部分。升级后的铅碳电池循环寿命为7680次，在相同条件下比未升级的铅碳电池寿命延长93.5%。本文制造的大容量（200 Ah）工业铅碳电池是一种可靠且经济高效的储能选择。
1.2-V 2.18-ppm/C 曲率补偿 CMOS...
带隙基准源是模拟、数字或混合信号电路（如模数转换器、数模转换器、低压差稳压器、锁相环和许多其他电子设备）的关键组件[1、2、3、4、5、6、7]。带隙基准源提供的电压具有明确而稳定的特性，并且对电源电压和温度变化不敏感。基准源的准确性和稳定性对后续电路的性能起着重要作用[8、9]。因此，已经提出了许多高阶温度补偿技术来降低 TC。[10、11、12] 中讨论了依赖于温度的电阻比补偿技术。其曲率补偿效果主要由两个温度系数电阻之比决定，该比值将根据工艺角和失配而发生剧烈漂移。文献 [13, 14, 15, 16] 进一步讨论了温度补偿法，利用工作在亚阈值区的 MOS 管栅源电压进行补偿，但亚阈值 MOS 管由于补偿面积较大，因此 TC 受工艺影响较大。文献 [17] 则采用了非线性补偿项 T ln T 的方法，T ln T 是由工作在亚阈值区的 MOS 管栅源电压扩散产生的，
用于智能门驱动板的双向通信电源电路
摘要 - 在电源电路中，栅极驱动器需要提供功率半导体器件的最佳和安全切换。如今，栅极驱动器板包含越来越多的功能，例如短路检测、软关断、温度感应、通态电压监控……正在研究集成在线监控功能以实现预测性维护。栅极驱动系统的仪表假定集成了通信系统来传输监控数据。在高功率设计中，栅极驱动器板上必须进行电流隔离。隔离栅上的寄生电容在这些设计中至关重要，因为它可能导致切换期间共模电流的循环。因此，由于电磁干扰 (EMI) 的限制，在隔离栅上添加额外的光耦合器或变压器是有风险的。本文提出了一种用于驱动 1.2kV SiC 功率 MOSFET 的栅极驱动器的新型双向数据传输方法。所提出的方法可以在单个电源变压器上实现能量传输和双向数据交换。实验结果表明 TxD 为 1Mb/s，RxD 为 16kb/s。目标应用是使用栅极驱动器板对 SiC 功率 MOSFET 进行健康监测。
Greenhead 能源公园 | Exagen
必要时，将加强现有植被，并以本地树篱、树木和林地的形式提供额外的屏障。在周边鹿栅栏内，面板下方和周围种植了物种丰富的草地混合物，围栏由木柱和铁丝网构成。我们考虑在其他区域种植野花草甸，以进一步造福传粉者和公共通行权使用者。太阳能发电场设计为可逆的，退役后不会留下任何痕迹。
MIL-PRF-38535 标准微电路密封和非...
o 它代表了封装技术的进步，提高了功能密度，并提高了工作频率。这些是基于陶瓷的单芯片系统级芯片 (SoC)，采用非密封倒装芯片结构，采用高引脚数陶瓷柱栅阵列 (CGA) 封装。这些产品使用微型基极金属 (BME) 电容器来保证信号完整性，并使用通风封装来进行热管理。（例如 Xilinx Virtex-4 FPGA）