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提高无铅焊料的热疲劳可靠性...
摘要 将含有大量添加物和铋 (Bi) 和锑 (Sb) 组合的多种高可靠性焊料合金的热疲劳可靠性与仅添加 Bi 或 Sb 的合金进行了比较。该研究使用菊花链测试工具，其中包括 192 针芯片阵列球栅阵列 (192CABGA) 和 84 针薄芯 BGA (84CTBGA)。热循环按照 IPC-9701 附件可靠性指南进行，使用三个不同的热循环曲线，0/100°C、-40/125°C 和 - 55/125°C。结果表明，Bi 和 Sb 的组合通常比单一合金添加物更有效，尽管热循环测试中的可靠性裕度并不总是很大。使用威布尔统计、微观结构表征和故障模式分析比较了两种 BGA 封装的合金性能差异。关键词：无铅合金、高性能焊料合金、高可靠性焊料合金、球栅阵列、热疲劳可靠性、故障模式、固溶强化。引言自欧盟 RoHS 指令 [1] 实施和第一代近共晶商用无铅合金问世以来，无铅焊料合金的开发持续了十多年。随着所谓的第三代高性能无铅合金的出现，无铅焊料合金的发展也日新月异。
eWLB（嵌入式晶圆级 BGA）封装的板级可靠性改进
在减小移动设备外形尺寸和增加功能集成度方面，晶圆级封装 (WLP) 是一种极具吸引力的封装解决方案，与标准球栅阵列 (BGA) 封装相比具有许多优势。随着各种扇出型 WLP (FOWLP) 的进步，与扇入型 WLP 相比，它是一种更优化、更有前景的解决方案，因为它可以在设计更多输入/输出 (I/O) 数量、多芯片、异构集成和三维 (3D) 系统级封装 (SiP) 方面提供更大的灵活性。嵌入式晶圆级球栅阵列 (eWLB) 是一种扇出型 WLP，可实现需要更小外形尺寸、出色散热和薄型封装轮廓的应用，因为它有可能以经过验证的制造能力和生产良率发展为各种配置。eWLB 是一种关键的先进封装，因为它具有更高的 I/O 密度、工艺灵活性和集成能力。它有助于在一个封装中垂直和水平地集成多个芯片，而无需使用基板。结构设计和材料选择对工艺良率和长期可靠性的影响越来越重要，因此有必要全面研究影响可靠性的关键设计因素。
Mil Std 教程 - EEE 零件 101 培训 - 2024 年 4 月
• 它代表了封装技术的进步，提高了功能密度并提高了工作频率。这些是基于陶瓷的单芯片系统级芯片 (SoC)，采用非密封倒装芯片结构，采用高引脚数陶瓷柱栅阵列 (CGA) 封装。这些产品使用微型基极金属 (BME) 电容器来实现信号完整性，并使用通风封装来实现热管理。（例如 Xilinx Virtex-4 FPGA）
采用 Flash*Freeze 技术的耐辐射 ProASIC3 低功耗航天闪存 FPGA
特性和优点 符合 MIL-STD-883 B 类标准 封装 • 带有六西格玛铜包裹铅锡柱的陶瓷柱栅阵列 • 平面栅阵列 • 陶瓷四方扁平封装 低功耗 • 大幅降低动态和静态功耗 • 1.2 V 至 1.5 V 内核和 I/O 电压支持低功耗 • Flash*Freeze 模式下的低功耗 辐射性能 • 25 Krad 至 30 Krad，传播延迟增加 10%（TM 1019 条件 A，剂量率 5 Krad/min） • 晶圆批次特定的 TID 报告 高容量 • 600 k 至 3 M 个系统门 • 高达 504 kbits 的真双端口 SRAM • 高达 620 个用户 I/O 可重编程闪存技术 • 130 纳米、7 层金属（6 铜）、基于闪存的 CMOS • 上电实时(LAPU) 0 级支持 • 单芯片解决方案 • 断电时保留已编程的设计 高性能 • 350 MHz (1.5 V) 和 250 MHz (1.2 V) 系统性能 • 3.3 V、66 MHz、66 位 PCI (1.5 V)；66 MHz、32 位 PCI (1.2 V) 在系统编程 (ISP) 和安全性 • ISP 使用片上 128 位高级加密标准 (AES) 通过 JTAG 解密（符合 IEEE 1532 标准） • FlashLock ® 设计用于保护 FPGA 内容 高性能布线层次结构 • 分段、分层布线和时钟结构
典型的 PIC 微控制器
2.1 74LS00 四路 2-I/P NAND 封装。.....................18 2.2 输出结构。.........................................19 2.3 开路集电极缓冲器驱动共用线路。..。。。。。。。。。。。。。。。。20 2.4 共享总线。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.................20 2.5 74LS138 和 ’139 MSI 自然解码器。..................21 2.6 74LS688八进制相等检测器。..........。。。。。。。。。。。。。。23 2.7 加法。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。....24 2.8 实现可编程加法器/减法器。 div>............25 2.9 74LS382 ALU。< /div>....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>........25 2.10 ROM 实现的 1 位加法器。............. div>............. . 26 2.11 2764 可擦除 PROM。 . 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 . . . . . . div> . . . . 27 2.12 浮栅 MOSFET 链接 . < div> 。 。..26 2.11 2764 可擦除 PROM。.。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>....27 2.12 浮栅 MOSFET 链接 .< div> 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。27 2.13 RS锁存器...。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。29 2.14 使用 RS 锁存器对开关进行去抖处理。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 2.15 D锁存器和触发器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。31 2.16 74LS74 双 D 触发器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。32 2.17 74LS377 八进制 D 触发器阵列。。。。。。.....................33 2.18 74LS373八进制D锁存器阵列。..。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..34 2.19 8位ALU累加器处理器。.................。。。。35 2.20 SISO 移位寄存器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.....................36 2.21 T 触发器。....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...................36 2.22 模 16 波纹计数器。...。。。。。。。。。。。。。。。...............37 2.23 生成时序波形。........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。38 2.24 6264 8196 × 8 RAM。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。39
封装堆叠 (POP) 底部填充工艺 ...
摘要 近年来，电子行业的发展引入了多堆叠球栅阵列 (BGA)，以满足消费者对高性能和小尺寸芯片封装日益增长的需求。本研究重点是对使用材料坝法的封装堆叠 (PoP) 底部填充工艺进行了初步研究。底部填充工艺考虑使用高粘度类型的底部填充材料。在当前的实验工作中，由于 L 路径分配方法具有优势，因此选择了该方法，如前文所述。材料坝法用于防止底部填充材料向后移动并从分配区域流出。材料坝建在 PoP 封装周围。根据循环时间和横向搭接分析了底部填充工艺的有效性，这两个因素是材料选择的重要因素。实验结果表明，缓慢的底部填充流动可能导致材料在分配工艺仍在进行时快速硬化。这种情况限制了底部填充流动并在 PoP 封装中产生空隙。材料坝法成功增强了第 3 层和第 4 层堆叠封装的底部填充工艺。本研究旨在提供堆叠PoP封装的初步底部填充工艺，为微电子行业的工程师提供参考。关键词：堆叠PoP封装、底部填充工艺、L路径分配法、材料坝法、球栅阵列。
支撑下一代核心材料的最新趋势...
随着德国“工业4.0”、美国通用电气的工业互联网、日本提出的“社会5.0”等未来信息社会的不断发展，以及物联网、5G网络、ADAS、生成式AI等在日常生活中的普及，电信流量正以惊人的速度增长。数据中心处理的信息量也在迅速增加。目前，倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）是数据中心信息处理设备的主流基板，预计未来几年其数量将不断增加。下图显示了封装（PKG）基板的应用及其市场增长预测。
交流轴流风扇 - HyBlade® - ebm-papst
– 材质：护栅：钢，磷化并涂有黑色塑料 壁环：钢板，预镀锌并涂有黑色塑料 叶片：压制圆形钢板，挤压涂有 PP 塑料 转子：黑色涂层 – 叶片数量：5 – 旋转方向：气流方向“V”逆时针，“A”顺时针，从转子上看 – 防护类型：IP 54（根据 EN 60529） – 绝缘等级：“F” – 安装位置：任意 – 冷凝水排放孔：位于转子和定子侧 – 运行模式：连续运行（S1） – 轴承：免维护滚珠轴承
Caballero太阳能项目
•该项目包括1,189英亩的BLM土地和1,188英亩的私人土地。•并非所有区域都在栅栏内。初步设计包括项目区域内的10个围栏区域。围栏内仅约1,600英亩。•在亚利桑那州和私人土地上提议的500 kV生成搭接线连接到项目西南2.5英里的吉拉河变电站。•用于建筑和运营的水将来自现有的，允许的水权。•主要用途是施工过程中的防尘；在操作面板上洗涤过程中很少（比每年少）。•30 - 35年的操作时间范围。
1.2 dB NF 分集接收模块的低频带多增益 LNA 设计
摘要：本文介绍并讨论了一种用于分集接收模块的低频带 (LB) 低噪声放大器 (LNA) 设计，该模块适用于多模蜂窝手机。LB LNA 覆盖 5 个不同频段，频率范围从 617 MHz 到 960 MHz，5 刀单掷 (5PST) 开关用于选择不同的频段，其中两个用于主频段，三个用于辅助频段。所提出的结构涵盖从 -12 到 18 dB 的增益模式，增益步长为 6 dB，每种增益模式的电流消耗都不同。为了在高增益模式下达到噪声系数 (NF) 规格，我们在本设计中采用了具有电感源退化结构的共源共栅 (CS)。为了实现 S 11 参数和电流消耗规格，高增益模式（18 dB、12 dB 和 6 dB）和低增益模式（0 dB、-6 dB 和 -12 dB）的内核和共源共栅晶体管已被分开。尽管如此，为了保持较小的面积并将相位不连续性保持在 ± 10 ◦ 以内，我们在两个内核之间共享了退化和负载电感器。为了补偿工艺、电压和温度 (PVT) 变化的性能，该结构采用了低压差 (LDO) 稳压器和极端电压补偿器。该设计在65nm RSB工艺设计套件中进行，电源电压为1V，以18dB和-12dB增益模式为例，其NF分别为1.2dB和16dB，电流消耗为10.8mA和1.2mA，输入三阶截取点（IIP3）分别为-6dBm和8dBm。