摘要 近年来,电子行业的发展引入了多堆叠球栅阵列 (BGA),以满足消费者对高性能和小尺寸芯片封装日益增长的需求。本研究重点是对使用材料坝法的封装堆叠 (PoP) 底部填充工艺进行了初步研究。底部填充工艺考虑使用高粘度类型的底部填充材料。在当前的实验工作中,由于 L 路径分配方法具有优势,因此选择了该方法,如前文所述。材料坝法用于防止底部填充材料向后移动并从分配区域流出。材料坝建在 PoP 封装周围。根据循环时间和横向搭接分析了底部填充工艺的有效性,这两个因素是材料选择的重要因素。实验结果表明,缓慢的底部填充流动可能导致材料在分配工艺仍在进行时快速硬化。这种情况限制了底部填充流动并在 PoP 封装中产生空隙。材料坝法成功增强了第 3 层和第 4 层堆叠封装的底部填充工艺。本研究旨在提供堆叠PoP封装的初步底部填充工艺,为微电子行业的工程师提供参考。关键词:堆叠PoP封装、底部填充工艺、L路径分配法、材料坝法、球栅阵列。
主要关键词