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Charavel, R. 等人。下一代深沟槽隔离，适用于具有 120 V 高压设备的智能电源技术。微电子可靠性 50，1758–1762（2010 年）。Voldman, SH 新型接触式多晶硅填充深沟槽 (DT) 偏置结构及其电压偏置状态对 CMOS 闩锁的影响。2006 年 IEEE 国际可靠性物理研讨会论文集 151–158（2006 年）。doi：10.1109/RELPHY.2006.251208。
深井底部宽度的无损测量...
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