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World File Search System氢化
氢化硅纳米片的氯化揭示......
摘要：据推测，通过 CaSi 2 拓扑脱插合成的二维硅纳米片 (Si-NS) 由 sp 3 杂化硅原子的弯曲层组成，这些硅原子与其他三个框架 Si 原子以及一个终端原子或功能团（例如 H、Cl 或 -OH 基）结合。在这里，我们应用 1 H{ 35 Cl} 和 29 Si{ 35 Cl} 共振回波饱和脉冲双共振 (RESPDOR) 固态 NMR 实验来直接确认 Si-NS 内氯化 Si 原子的存在。将观察到的 1 H{ 35 Cl} RESPDOR 失相绘制为 35 Cl 饱和脉冲偏移的函数，可以测量 35 Cl 中心跃迁 (CT) 四极粉末图和氯四极耦合常数 (CQ )。对 1 H{ 35 Cl} RESPDOR 失相曲线进行建模表明，Si-Si 层间距约为 6 Å。平面波 DFT 计算表明，Si-NS 的直接带隙跃迁随着氯化程度的增加而减小，这表明氯化是调整应用带隙的可行途径。
孟加拉国碳氢化合物单位的能源情景
我衷心祝贺 Hydrocarbon Unit 发布“孟加拉国 2020-21 年能源情景”的倡议。毫无疑问，能源是国家社会经济发展、工业化和减贫的重要因素，需要非常谨慎地加以解决。孟加拉国现任政府自掌权以来一直将能源安全和能源来源多样化作为重中之重。为此，EMRD 的智库 Hydrocarbon Unit (HCU) 每年都会发布孟加拉国的能源情景。该出版物非常全面且信息丰富，反映了孟加拉国当前、历史和未来的能源趋势，可供所有利益相关者参考。我祝愿这项倡议一切顺利。快乐的孟加拉国，快乐的孟加拉国国父。孟加拉国万岁
1.6（R=Ce、La）金属氢化物
金属间金属氢化物是储氢应用的关键材料，然而，仍然需要具有更大储氢容量的金属氢化物。根据 Switendick-Westlake 标准，在金属氢化物中，体积储氢容量受限于可同时占据的容纳氢的间隙位点的数量，前提是最小氢化物最近邻距离约为 2.1 Å。到目前为止，违反此标准的情况很少。违反此标准的研究最深入的化合物可能是 R NiInH x 化合物（R = Ce、La、Nd）。先前对氘代物质的中子衍射研究表明存在 Ni–D∙∙∙D–Ni–D∙∙∙D–Ni 链，其 D∙∙∙D 接触异常接近，约为 1.6 Å。但尚无关于这些非典型氢化物的中子振动光谱研究报道。这里我们使用中子振动光谱 (NVS) 测量来探测 LaNiInH x ( x = 0.67, 1.6) 和 CeNiInH 1.4 中的氢动力学。当 x > 0.67 时，紧密的 H∙∙∙H 接触的存在产生了振动光谱中的两个相关特征，中心位于 ≈ 90 meV 附近，对应于同时占据相邻 R 3 Ni 四面体的配对 H 原子的振动。值得注意的是，当 x ≤ 0.67 时，这些特征在能量上与“未配对”H 原子的可比振动运动不同。为了进行比较，我们还对新表征的化学相似的 Sn 化合物 CeNiSnH、CeNiSnH 2 和 CeNiSnD 2 进行了粉末中子衍射和 NVS 测量。这些化合物也含有 R 3 Ni 四面体，但 H 占据的四面体彼此分离良好，最近的 H∙∙∙H 距离超过 2.1 Å，并且不违反 Switendick-Westlake 标准。因此，这些氢化物中不存在紧密 H∙∙∙H 接触的光谱特征。由 Elsevier BV CC_BY_4.0 发布
定向马尔可夫尼科夫氢化和...
催化烯烃功能化是一种从易于获取的化学原料构建分子复杂性的有效而经济的方法。[1] 过渡金属催化的烯烃氢芳基化/烯基化反应是一种构建 C(sp 3 )−C(sp 2 ) 键的直接方法。已经开发出各种策略来控制使用共轭和非共轭烯烃的区域选择性，其中非共轭烯烃因烷基金属链行走而引入了额外的复杂性。[2-7] 在过去的几年中，使用非共轭烯烃的反马尔可夫尼科夫氢芳基化方法发展迅速。[8-12] 在这些系统中，选择性控制通常源于对形成主要烷基金属中间体的热力学偏好。另一方面，使用非共轭烯烃的马尔可夫尼科夫选择性氢芳基化反应相对较少，该领域的研究进展较慢（方案 1A）。 [13] 2016 年，Shenvi 和同事报告了一项显著进展，他们开发了一种双催化钴/镍金属氢化物氢原子转移 (MHAT) 方法，该方法可有效用于末端烯烃与芳基卤化物的氢芳基化，其中区域选择性由通过 MHAT 有利地形成二级烷基自由基来控制。[13c]
GA – CU模型催化剂的结构演化用于CO2氢化反应
其电子结构的特性观察到独特的物理现象，例如手性[15-17]和轴向重力异常，[18]圆形光钙效应，[19-20]手性声波，[21-22]表面状态增强的Edelstein效应[23]或最近提出的Chiral Hall-Chiral Hall-Hall-Hall-Hall-Hall-Hall-Hall-Hall-feff。[24]大多数这些效果的观察取决于WSM的拓扑结构是否可以轻松访问。In this regard, the ability to sup- press non-topological (trivial) surface states, as well as to modify the Fermi-level posi- tion to get a desired Fermi surface topology, would allow full access to unveil the role of topological surface states on physical observables, and, in addition, to construct on-demand Fermi-surfaces to harness electrical, acoustic or optical measurable outputs.到目前为止，通过探索不同的WSM来实现电子结构的多样性，但是对同一材料中拓扑带的形状和大小的真实控制仍然存在，这主要是由于缺乏自下而上的超高维库姆合成方法，从而可以控制表面终端和Fermi-Level的位置，以通过dopsing或Fermi-Level的位置来控制。需要克服这一挑战，以实现Fermi级工程的Weyl Semimetal异质结构，从而导致了众多的新型平台，以探索基于拓扑的基本质量和设备应用。在这项工作中，我们展示了I型Weyl Semimetal NBP的电子结构的两个引人注目的修改，它们由于成功的外延薄膜生长合成途径而变得可访问。[25]首先，由于有序的磷末期表面悬挂键的饱和，因此获得了NBP的弓形状（琐碎）表面状态的完全抑制，这表现在A（√2×2×√2）表面重构中。第二，通过化学对表面进行化学掺杂，fermi-Energy经历了大约 + 0.3 eV（电子掺杂）的实质转移，同时保留原始的NBP NBP的谱带特征，从而使拓扑范围的范围优点和点亮点能够达到较大的范围，从而实现了第一个实验性的视觉效果，并实现了范围的范围，并实现了范围的范围，并实现了范围的范围。分子束外延过程。我们的工作打开了实现最新理论建议的可能性，例如依赖纯拓扑>
用于固定和热量存储应用的室温金属氢化物：评论
治疗大骨缺损仍然是没有完美解决方案的临床挑战，这主要是由于合适的骨植入物无法获得。添加性生产（AM）可吸收的多孔金属提供了无与伦比的机会，以实现对骨可能性植入物的挑战性要求。首先，可以定制这种植入物的多尺度几何形状，以模仿人骨的微体系结构和机械性能。相互联系的多孔结构还增加了表面积，以促进骨细胞的粘附和增殖。最后，它们的吸收特性是可以调节的，可以在整个骨骼愈合过程中维持植入物的结构完整性，从而确保在需要时确保舒适的负载，并在完成工作后完全分解。这种特性的组合为完整的骨再生和重塑铺平了道路。在开发理想的多孔可吸收金属植入物时，彻底表征生物降解行为，机械性能和骨再生能力很重要。我们回顾了由选择性激光熔化（SLM）生产的可吸收多孔金属的最新，重点是几何设计，材料类型，加工和后处理。后一个方面对吸收行为，由此产生的机械性能和细胞相容性的影响也将被讨论。与其坚固的惰性对应物相比，AM可吸收多孔金属（APM）显示出许多独特的特性，并具有巨大的潜力，以进一步优化其应用特异性性能，这是由于其灵活的几何设计。我们进一步强调了为将来的骨科解决方案采用AM APM时面临的挑战。
用于柔性器件的具有阳极氧化和氟化 Al2O3 栅极绝缘体的氢化 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管
金属半导体场效应晶体管，10 – 15 ) 等等。特别是 In – Ga – Zn – O (IGZO) 是柔性 TFT 有源通道的有希望的候选者，因为即使在室温下沉积，IGZO 也表现出超过 10 cm 2 V − 1 s − 1 的电子迁移率。16、17) 然而，IGZO TFT 通常需要在 300°C 左右进行热退火，以减少因各种类型的加工损坏而形成的缺陷。18 – 22) 我们小组报告说，通过 Ar + O 2 + H 2 溅射沉积的氢化 IGZO 薄膜非常有希望用于制造低于塑料基板软化温度的氧化物 TFT，以用于未来的柔性设备应用。通过低温（150°C）退火可以减少沉积态IGZO薄膜中产生的缺陷。15、23、24)场效应迁移率（μFE）为13.423)
GA – CU模型催化剂的结构演化用于CO2氢化反应 NBP Weyl半薄膜中微不足道表面状态的大型费米 - 能量转移和抑制 Terahertz通过金属双层中的界面偏斜散射旋转到电荷转换 日记牙前线 敏捷和多功能量子通信 富勒烯受体有机太阳能电池 探索性研究 gbe 使用
摘要：我们研究了GA与Cu（001）表面和环境诱导的表面转移的初始阶段，以尝试阐明最近提出的Cu-Ga催化剂的表面化学，该催化剂最近提出了将CO 2氢化为甲醇的CO-GA催化剂。结果表明，GA在真空中沉积时很容易与Cu进行混合。然而，即使是气体环境中的氧气痕迹也会导致GA氧化，并形成二维（“单层”）GA氧化物岛，均匀地覆盖了Cu表面。在高度压力和温度下（0.2 MBAR，700 K），表面形态和GA的氧化状态保留在H 2中以及CO 2 + H 2反应混合物中。结果表明，在反应条件下，GA掺杂的Cu表面暴露了包括GAO X /CU界面位点在内的各种结构，必须考虑阐明反应机制。
氢化物气相外延生长的 GaN 中铒的能级
掺铒GaN（Er：GaN）由于其优于合成石榴石（如Nd：YAG）的物理特性，是固态高能激光器（HEL）新型增益介质的有希望的候选材料。Er：GaN在1.5μm区域发射，该区域对视网膜是安全的并且在空气中具有高透射率。我们报告了对通过氢化物气相外延（HVPE）技术合成的Er：GaN外延层进行的光致发光（PL）研究。HVPE生长的Er：GaN外延层的室温PL光谱在1.5μm和1.0μm波长区域分别分辨出多达11条和7条发射线，这对应于GaN中Er3+从第一（4I13/2）和第二（4I11/2）激发态到基态（4I15/2）的斯塔克能级之间的4f壳层内跃迁。这些跃迁的观测峰值位置使得我们能够构建 Er:GaN 中的详细能级。结果与基于晶体场分析的计算结果非常吻合。精确确定 4 I 11/2、4 I 13/2 和 4 I 15/5 状态下斯塔克能级的详细能级对于实现基于 Er:GaN 的 HEL 至关重要。© 2020 作者。除非另有说明，否则所有文章内容均根据知识共享署名 (CC BY) 许可证获得许可（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。https://doi.org/10.1063/5.0028470